三星宣布512GB闪存已进入量产，意谓着明年Galaxy S9与Galaxy Note 9等新旗舰机储存容量有望从当前最大256GB翻倍成长。
512GB闪存主要因应4K超高分辨率影片的录制需求增加，据三星表示，新内存芯片可容纳130个10分钟4K短片。 (日经新闻)
三星从2015年开发出128GB内存以来，已连续三年将内存逐年倍增，成功将3D 64层闪存商业化。 展望未来，三星将再推出96层3D堆栈闪存。
目前iPad Pro、微软Surface平板均有提供512GB机种，不过三
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三星 闪存
今年全球NAND Flash产业成功转换至64/72层3D NAND规格，随着制程转换完成，全球缺货问题也逐渐纾解，群联董事长潘健成指出，2018年底将进入96层的3D NAND技术世代，带动单一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技术也全面提升至新层次，群联的关键技术已经准备好了，呈现蓄势待发的姿态!
今年的NAND Flash产业受到技术转换不顺、数据中心对于储存容量需求快速攀升之故，导致产业供需失衡，芯片价格一直高居不下，但这样的状况停留太久后，导致终端产品的需求被抑制，
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SSD NAND
美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 为存储产品事业部副总裁兼总经理。 在此职位上，Dicker 将负责领导和拓展美光的固态存储业务，包括打造世界领先的存储解决方案，从而把握云端、企业级和客户端计算等大型细分市场中日渐增多的机遇。他将向美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报。 Dicker 在半导体行业拥有 20 年的从业经验，包括在 Intel、
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美光 NAND
内存大厂旺宏(2337)在3D NAND Flash研发获得重成果，昨(29)日宣布，最新研发3D NAND记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM)，被评选为「亮点论文」，是今年台湾产学研界唯一获选的厂商，彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定，也显示旺宏在业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。
旺宏强调，独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC)，相较其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数，却可达到二到三倍的内存密度。
目前很多公司大举投入64层或72层等3D NA
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旺宏 NAND
自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继，NAND闪存超级周期料将发生逆转。
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内存 闪存
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存储器芯片获利恐难显著成长为由，将三星电子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投资评等自“加码”降至“中性权重”，目标价下修3.4%至280万韩元。大摩指出，随着NAND型快闪存储器报价在2017年第四季开始反转，下行风险随之升高;在此同时，2018年第一季以后的DRAM供需能见度也已降低。自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继，N
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内存 闪存
被誉为世界三大车展之一的东京车展于近日开幕，来自全世界的主要汽车生产厂商通过展示最新的产品和技术来描绘下一代汽车发展蓝图，其中 “人工智能”、“自动驾驶”和“新能源”俨然已成为汽车产业界公认的未来的发展方向。 例如，丰田展出的“爱i”系列，能凭借大量数据分析解驾驶员的日常习惯及行为模式，甚至判断出驾驶员的兴趣爱好、感情状态等。不仅是轿车，丰田展示的依靠氢燃料电池提供动力的大巴“SORA”，不仅助力环保，更在智能性方面有了极大提高。SORA内外搭载有8个高清晰摄像头，能捕捉到周围的行人、车辆
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NAND LPDDR4
中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出，目前状况到底如何?
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三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元，其中，又将以3D NANDFlash为最大宗，研调机构IC Insights认为，3D NANDFlash恐将供过于求。
IC Insights预估，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将成长35%;其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。
三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NAND Flash)，将达140亿美元，IC Insights指出，三星将斥资70亿美元，推进动态
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三星 NAND
11月9日消息，据国外媒体报道，日本东芝公司今天公布财报显示，由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动，该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近，该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。
处于困境状况的这家日本工业巨头表示，本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。
这个业绩好于分析师预期，汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估，东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
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东芝 NAND
美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 3D NAND
美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 NAND
2017年9月5日，工信部首次发布《中国电子信息产业综合发展指数研究报告》，其中电子信息制造业综合指数专门针对我国产业进行规模、效益、研发、环境等全方位的评价，并包括全国、分地区和分行业三大细分指数。行业综合发展指数主要通过我国与全球同行业比较的方式，明确我国产业的发展水平和特点，手机行业作为了行业综合发展指数评价的首个领域。
2016年，手机行业综合发展指数132分，相比2015年分数提升20%，呈现连续两年增长的态势。其中除产业效益指标得分相比2015年有所下降外，其他四个一级指标均呈现上涨
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据IC Insights预测，2017年的IC市场增长率有望提高到22%，较今年年中预期的16%再提升6个百分点，出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。
此外，IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子，传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言，2017年半导体产业整体预计增长达20%，比年中预期调高5个百分点。
2017年，IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%，预计今年将推动DRAM
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DRAM NAND
DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
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