- 什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;组成rdquo;均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同
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Flash存储器 闪存
- 几年前突然“大火”的存储行情，给业界带来的极大的冲击。在 PC 市场衰退后本就不多的 DIY 用户，要么咬牙买高价内存(DRAM)和固态硬盘(SSD)、要么咬牙推迟或干脆直接放弃了装机升级的计划。当然，市场也不是没有好消息。据集邦咨询(DRAMeXchange)所述，近期闪存降价的趋势，有望持续到 2019 上半年。 DRAMeXchange 报告称，2018 年 3~4 季度，NAND 闪存的平均销售价格，预计将下降 10% 。集邦认为，市场需求较低的情况下所增长的产能，是推动这一趋势的主要原因。
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闪存 DRAM
- 在最近发布的《麦克莱恩2018年中期报告》(McClean Report 2018)中，IC Insights预测，2018-2022年全球GDP和IC市场相关系数将达到0.95，高于2010-2017年期间的0.88。 IC Insights描述了从2010年到2017年全球GDP增长与IC市场增长之间日益密切的关联，以及到2022年的最新预测。 如图所示，在2010-2017年的时间段内，全球GDP增长与IC市场增长的相关系数为0.88，这是一个强劲的数字，因为完全相关为1.0。在此期间之前的3
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DRAM NAND
- NAND闪存价格2018年以来一直在降低，大家也应该注意到了今年发布的智能手机闪存容量也越来越大了，中高端机中64GB是起步，128GB已经是主流了。NAND闪存降价的趋势在下半年还会继续，因为智能手机出货量增长放缓，而3D NAND闪存产能持续增加，预计Q3、Q4两个季度中NAND价格都会下跌10%，不用过这也加速了大容量SSD硬盘的普及，未来2-3内512GB将成为主流之选。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了有关NAND闪存市场下半年趋势的报告，认为Q3季度虽然是传统旺季，但是N
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NAND SSD
- 外界普遍认为，中国存储芯片公司逐步扩大产能，全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降。
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内存 闪存
- 对于关注国产内存、闪存的用户来说，从明年开始将会有实质性的成果，因为长江存储、晋华集成电路以及合肥Innotro存储都将量产。据台湾电子时报报道称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产。目前，长江存储正在准备的第一个订单是，生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。 在新产品方面，长江存储正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。 跟长江存储不同的是，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已经
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存储 闪存
- 今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。 而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。 目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。 近期传出合肥长鑫投产8
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NAND DRAM
- 据韩国媒体报道称，三星已经上调了今明两年在NAND生产上的投资，总计高达150亿美元，这主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。报道中提到，三星如此投资，只是为了提高NAND产量，所以未来SSD的继续降价是基本没悬念的事。 全球NAND闪存市场份额中，三星排名第一，占有率达到37%，其一举一动直接影响整个行业的发展，而此番投资NAND领域以扩大产能，也势必让竞争对手采用同样的策略。 有报道称，东芝/西数、美光、SK Hynix及Intel都在大举投资NAND产能，今年底到明年
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三星 NAND
- 近日，据IC Insights的数据预测，2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上，从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元，属于近8年来的最大增幅。
其中，3D NAND的市场需求，成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。3D NAND闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系，可以使得每颗芯片的储存容量增加，从而实现更大的结构和单元间隔，利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受NAND闪存厂商的追捧，目前已成为NAND闪存厂商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)宣布，中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司，针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件，该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼，实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼，以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
- 对接资本市场，对接国家战略，充分发挥西安的产业与科研、人才优势，西安完全有可能创造出一个千亿级的产业。
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半导体 闪存 三星
- TrendForce旗下专注存储业追踪和调研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日发布的最新闪存市场分析报告，称2018下半年，NAND Flash闪存市场的增长潜力疲软。由于64层/72层3D闪存的产能良率(四季度超80%)爬升，市场会处在一种供需平衡的局面，从而自然延续NAND Flash合同价的下降趋势。 报告称，由于处于传统的淡季和产能拉升期，所以在上半年，闪存市场已经观察到了连续两个季度的价格走弱。在这样的态势下，一些供应商甚至暂缓了面向更高密度存储芯片的扩张，以避免价格走到崩盘的
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SSD 闪存
- 在2018年第一季度，全球半导体产业销售额达到了1158亿美元。即使该季度半导体产业总营收出现些许下滑，然而NAND市场依然创下了有史以来第二高的季度收入，其中，来自企业和消费性固态硬盘(SSD)市场的需求最为强劲。 随着企业和储存市场对于相关零组件需求的增加，在2018年第一季度，储存类别增长率为1.7%，达到397亿美元。事实上，对于服务器用内存(Server DRAM)的强劲需求将持续推动该市场。然而，也能看到NAND涨幅在该季度内收入略有下降，IHS Marki内存与储存市场资深总监Crai
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无线通讯 NAND
- 在“2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会”上，紫光集团有限公司董事长赵伟国作了“自主可控的中国存储器产业崛起之路”报告，介绍了从2015年3月到2018年上半年的三年时间，紫光进入3D NAND闪存芯片的思考与愿景。
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存储器 3D NAND 自主可控 201807
- 为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。 群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正
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NAND，芯片
nand 闪存介绍
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