半导体行业因为种种原因，非常容易收到外来因素的影响。近日根据调查数据显示，在刚过去的1月份，内存和闪存芯片在上游的交易价均有一定幅度的上涨。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC内存内存环比上涨1.07%，均价来到2.84美元，128Gb MLC闪存颗粒价格环比上涨3.17%，均价来到4.56美元。
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内存 闪存
集邦科技旗下下半导体研究中心DRAMeXchange今天发表报告,称国内的内存及闪存工厂并没有受到疫情的影响,目前没有部分或者全面停产的迹象,生产情况正常,而且Q1季度的合约价已经谈完了,预计会小幅上涨。国内的存储芯片工厂主要分为海外投资及自主国产两部分,其中海外投资的主要是无锡的SK海力士内存工厂、大连的Intel闪存工厂、西安的三星闪存工厂,这些地方都远离武汉,正常生产没有受到影响。国产的存储芯片工厂中,合肥长鑫的内存工厂、福建晋华的内存工厂也同样没受到什么影响,只有紫光旗下的长江存储是在武汉的,不过
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内存，闪存
武汉的疫情不仅影响了很多人的正常生活，也对武汉的一些企业带来考验，国内有60多家上市公司位于武汉，小米、京东方、天马等公司都在武汉有生产基地。关心国产闪存的玩家也应该知道长江存储总部也在武汉，该公司日前回应称国产闪存生产有序进行，公司会将员工健康作为第一事项考虑。长江存储表示，始终坚持“人员安全第一”原则，严格按照政府规定保障员工的安全，延缓外地员工的返岗时间，并在条件允许的情况下鼓励远程办公，对在岗员工做好防疫宣传，发放口罩，体温检测，加强消毒，动线隔离等工作。对于原材料供应和物流方面，目前长江存储公司
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闪存 长江存储
最近一段时间来，内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X，它们也会用上16GB内存及TB级SSD，也会争抢内存闪存份额。
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闪存 PS5
最近一段时间来，内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X，它们也会用上16GB内存及TB级SSD，也会争抢内存闪存份额。微软的Xbox One X、索尼的PS4系列主机用的还是8GB内存，硬盘倒是HDD机械盘，但是今年推出的PS5、Xbox Series X主机配置就会全面升级了，PS5的内存是16GB，Xbox Series X有两个版本，少则12GB，多则16
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闪存 PS5
去年8月份，闪存巨头SK海力士重返消费级SSD市场，首发产品Gold S31只是个试水之作，常规的2.5英寸SATA形态，最大容量1TB。CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND闪存。其实这里所谓的4D闪存，本质上还是3D堆叠闪存，依然基于3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Unde，只不过SK海力士在存储单元阵列之下增加了一个电路层。SK海力士已在半年前开始量产这
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固态硬盘 闪存
紫光旗下的长江存储在2019年9月份正式量产了国内首个64层堆栈的3D闪存，容量256Gb，TLC芯片，2020年长江存储还会进一步提升产能，年底将达到每月6万片晶圆的水平，是初期产能的10倍。扩大产能就意味着要购买更多的半导体生产设备，其中光刻机还只能依赖进口，但是其他设备有望加大国产采购力度。1月2日，上海中微半导体宣布中标了9台蚀刻机，而2019全年他们中标的也不过13台。蚀刻机是芯片制造中的一种设备，与光刻机、MOCVD并称为三大关键性半导体生产设备，它主要用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔
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在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。3D闪存到底能堆栈多少层？就好像摩天大楼也不能无限堆高一样，3D闪存的层数也是有限制的，之前厂商的研究显示最多能堆栈到500多层，不过这是极限值，实际上并没有这么高。根据Techinsights最新的NAND闪存路线图，相比此前几年动不动就翻倍的堆栈层数，2022年大部分闪存厂商在
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2020年伊始，三星位于韩国华城的多座晶圆厂遭遇意外断电，在UPS电源的支持下只停了三分钟，已经够让存储芯片行业担心受怕了。现在第二大闪存厂铠侠工厂又出事了，这次又是火灾，官方表示损失情况还在统计中。据报道，1月7日，铠侠位于日本四日市的Fab 6晶圆厂传出火警，着火地点是在工厂的无尘室，火灾被迅速扑灭，但是存在无尘室暂时无法运行的可能，这也会导致东芝的闪存生产受到影响。铠侠官方已经证实了这次火灾，昨天发表公告称火灾导致的损害情况还在统计中，对于客户的供货情况还在统计中。这次出事的Fab 6晶圆厂在201
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本周三，三星电子对外确认，部分半导体芯片产线临时停车，原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园，波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉，此次意外是因为当地输电线缆问题造成，预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大。有分析人士认为，此次停车将减少三星的芯片库存，作为最大的存储芯片制造上，会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判，明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
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三星 内存 闪存
在内存、闪存价格处于一个很敏感的拐点阶段，三星在韩国华城的内存及闪存工厂突然遭遇停电事故。对于这件事，大家很容易联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故，不少人会心一笑。调侃归调侃，这次事件最大的问题在于三星损失多严重，对内存闪存的影响有多大。官方表示，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢复正常。从目前的信息来看，三星认为事件影响不大，数百万美元的损失意味着只有极少数的晶圆受到影响，
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三星 内存 闪存
北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。需要指出的，这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平泽市）的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故，虽然停电仅持续了半小时，但依然损坏了5000~6000片晶圆，是三星当月产量的11%，预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后，根据预计此次事故造成了
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三星 内存 闪存
今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、
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三星 内存 闪存
近日，以“数智·未来”为主题的2019中国数据与存储峰会在北京成功举办。汇聚全球数据存储领域知名的专家学者、企业领军人物与代表性企业用户，本次峰会旨在帮助企业和社会提升数据智能水平，推动全球存储与数据产业发展。英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生出席大会并发表演讲，不仅从产品层面阐述了英特尔如何通过傲腾™技术和QLC NAND™技术填补当前存储层级中的巨大鸿沟，还通过诸多用户案例进一步展示英特尔如何通过内存与存储的产品、技术创新引领存储新架构，构建数据金字塔。英特尔公司中国区非易失性存储事业部
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QLC NAND 内存
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