- 中关村在线消息：这近两年以来的内存和闪存价格都在下跌，做为我们消费者自然是再高兴不过了，但像美光这样的厂商都有点扛不住了。据美光发布的最新季度财报，这家公司的营收下滑了40%，净利润更是暴跌78%，而其主要原因正是内存闪存市场价格的下跌。对此，美光计划在2020财年（也就是大约今年四季度）开始缩减资本支出，以减少内存闪存的产能，希望借此改变市场供需关系。这就意味着，从今年四季度开始，内存闪存的价格可能会有所上涨，反映到消费市场自然就是我们买起来会贵了。所以如果有购买内存闪存计划的网友们，可以考虑提前准备。
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内存 闪存
- 日本三重县四日市日前发生停电意外，市场传出存储器大厂东芝存储器(TMC)当地营运的5座 NAND Flash工厂的营运中断，尽管东芝存储器尚未对外说明影响，但据传出，合作投资的威腾(WD)已通知客户可能无法按照原定时程出货。
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威腾 东芝存储器 NAND Flash
- NAND闪存的价格一跌再跌，2019年第一季度TLC闪存的晶圆合约价下跌了19~28%，eMMC/UFS类闪存合约价下跌了15~20%，消费级固态硬盘价格跌了17~31%，企业级固态硬盘跌了26~32%。即使现在SSD的价格已经白菜价，但是也有人在想等它再跌些再买，那么或许现在该出手了。因为据行业人士预测，预计NAND报价将在Q2至Q3间止跌。
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闪存 SSD
- NAND闪存价格已经连跌了6个季度，这让上游NAND厂商三星、东芝、美光等损失惨重，纷纷削减NAND产能。在群联台北电脑展上，群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本，未来跌幅会收窄，需求则会升温。
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NAND 减产
- 截至今年Q2季度，NAND闪存始于2018年Q1季度的降价已经持续了6个季度，此举导致NAND闪存均价大幅下滑，消费者买大容量手机、SSD硬盘倒是便宜了很多，只不过上游的NAND供应商业绩就难看多了。
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- NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们很不爽，Intel就在近日的投资者大会上披露，可预期的未来内也不会再建设新的闪存工厂。
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- NAND闪存价格从2018年初到现在已经连跌6个季度了，厂商一方面在削减产能以控制供需情况，另一方面也在加强低成本的NAND闪存开发，今年就会开始从TLC闪存向QLC闪存转变。SK Hynix去年底宣布了96层堆栈的QLC闪存，号称是首个4D NAND闪存，今天该公司宣布正式出样96层QLC闪存，核心容量1Tbit。
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- 市场传出，长江存储有意改变策略，越过大股东紫光集团的销售管道，采取自产自销3D NAND芯片的模式，也让双方暗自较劲的角力战俨然成形。
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紫光集团 长江存储 3D NAND
- 当前，我们正在经历第四次工业革命的历史进程，在这里催生了很多新技术和新市场，比如物联网、人工智能、新能源、3D打印、纳米技术等等。这么多新的技术和产品相互激励、互相融合，共同推动半导体行业不断发展，从而改变人类的生活方式。
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- Admin 固态硬盘 今天由于NVMe的价格溢价下降，预计今年PCIe连接驱动器的销售量将与SATA固态硬盘达到同等水平。 据报道，固态硬盘(SSD)和闪存卡中使用的NAND闪存大幅降价正在推动市场两端的销售。制造商正在为相对有利可图的企业和数据中心用例定制新的解决方案，而客户端SSD的低成本正在推动OEM厂商的采用率，以包含在PC中。 根据该报告，最引人注目的是，512 GB固态硬盘的单价与2018年同期的256 GB固态硬盘相匹配，预计到2019年剩余时间内固态硬盘的价格将从512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
- 根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512
Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。 据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB /
s。据报道，该芯片还采用了CuA(阵列电路)，这是一
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东芝 西数 NAND
- 事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金，因此，我国厂商的数字分摊到每年，还难以和龙头厂商相比。虽然在量产初期，如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力，下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损，但若想实现存储器的国产替代，这种投入十分必要。
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NAND 存储器
- 据businesskorea报道，中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元)，大约是目前水平的五倍。 然而，许多专家表示，美国急于遏制中国的半导体野心，不太可能接受中国的提议，因为它将增加对中国的半导体依赖。 韩国企业对该计划持谨慎态度，主要有两个原因。 首先，中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片，无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下，很难预测对韩国企业的影响。
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NAND DRAM
- ICInsights最新报告显示，大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出，2018年大陆半导体市场为......
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半导体 晶圆 NAND
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