6月27日，SEMICON China 2020大会于上海拉开帷幕。会上，长江存储联席首席技术官程卫华发表《探索闪存发展可能，共同迎接未来挑战》主题演讲，谈及了疫情下闪存产业发展、长江存储3D NAND技术进展等内容。程卫华认为，2020年不平凡的一年，这一年经历了新冠疫情的全球蔓延，国际局势的变幻莫测，全球产业链合作受到了极大的冲击。与此同时，疫情给人们的生活方式与半导体技术带来了改变。程卫华指出，消费市场的变化驱动了SSD的需求，以及云上业务驱动企业级SSD需求增长。从全球市场综合发展来看，企业级SS
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长江存储 闪存
根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查，尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降，但云端服务、远距教学的需求也同步催生，加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货，促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言，目前需求以SSD占最大宗，与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出，当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻，初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变，首次转进SSD的
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NAND Flash
4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND
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国产 128层 QLC 闪存
据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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三星 NAND 闪存
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise
SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求
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NAND 三星 intel
来自统计机构TrendForce的最新统计显示,刚过去的一季度,主要NAND闪存厂商的营收均有所增长,整体规模达到135亿美元,环比增加8.3%。品牌排名方面,三星依旧领衔,营收45亿美元,环比增加1.1个百分点,市场份额33.3%。KIOXIA(铠侠,原东芝存储)紧随其后,营收25.66亿美元,环比增加9.7%。市场份额19%。3~6名分别是西数、美光、SK海力士和Intel,营收20亿美元(份额15.3%)、15亿美元(11.2%)、14.4亿美元(10.7%)和13亿美元(9.9%)。报告称,一季度
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固态硬盘 闪存 SSD
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。
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集邦咨询 数据中心 NAND Flash
处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步，开始有了新的进度。根据外媒报导，英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图，在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下，作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
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英特尔 144层 NAND
电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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群联 控制芯片 长江存储3D NAND
电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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群联 3D NAND 长江存储
长江存储近日宣布,已经攻克128层堆叠3D QLC闪存技术,单颗容量做到1.33Tb,创造单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗芯片容量三个世界第一,首次跻身全球第一队列水平。当前,整个闪存行业都在全面转向100+层堆叠,其中东芝、西部数据是112层,美光、SK海力士是128层,三星是136层,Intel则做到了144层。中国的突破显然让国际巨头们有些不安,纷纷开始提速。三星日前就宣布,正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。在今天的第一季度财务会议期间,同样来自韩国的SK海
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闪存 SK海力士 长江存储
从去年下半年到现在,内存闪存的涨价让存储厂商重新过上了好日子,想降价只能靠中国厂商了。上周国内的长江存储宣布攻克128层堆栈的QLC闪存,性能、容量、密度三项世界第一,预计今年底量产。据介绍,长江存储的128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(
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闪存 QLC闪存 长江存储
据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总
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长江存储 3D NAND
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社近日宣布推出RX产品家族新成员——32位RX72N产品组和RX66N产品组，其单个芯片集成了设备控制与网络连接。RX72N基于瑞萨专有的RXv3 CPU内核，具备240MHz最大工作频率及双以太网通道；RX66N具备120MHz最大工作频率及单个以太网通道。在工业设备领域，性能与功能的不断升级导致程序代码愈加庞大。因此，存储容量和读取速度是决定实时性能的关键因素。全新RX72N和RX66N提供高达4MB片上闪存，可达到业界最高的120MHz读取频率，同时具备1
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闪存 芯片
在NAND闪存市场,三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能,留给其他厂商的空间并不多。国内公司中,兆易创新表示能做38nm的SLC闪存,还在推进24nm闪存研发。前不久兆易创新发布了2019年报,去年营收32亿元,同比增长42%,净利润6.07亿元,同比大涨50%。兆易创新的主要有三大业务,最主要的是NOR闪存,全球市场份额在去年Q3季度上升到了第三,主要生产工艺为65nm节点,另有部分55nm工艺产品。兆易创新的NOR闪存累计出货量超过100亿颗,目前依然供不应求
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国产 闪存 SLC
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