5 月 29 日消息，半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。目前，最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺，下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术，而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说，它们大都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，可提供 13 nm 分辨率。目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm)
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EUV 光刻机 ASML
Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布，首次上了性能+能效的异构设计，今年的13代酷睿代号Raptor Lake，下半年发布，属于12代的改进版，明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改，升级Intel 4工艺，也是Intel首个EUV工艺。 14代酷睿的架构也会大改，第一次采用非单一芯片设计，弹性集成多个小芯片模块，包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封
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英特尔 EUV 4nm
半导体设备大厂应用材料推出多项创新技术，协助客户运用极紫外光（EUV）持续进行2D微缩，并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极（Gate-All-Around，GAA）晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术，使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。另一种是使用设计技术优化（DTCO）与3D技术，巧妙地藉由优化逻辑单元布局来增加密度，而不需要改变微影间距。第二种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管，随着传统2D微缩技
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应用材料 EUV 2D微缩 3D环绕闸极 晶体管
ASML公司虽然是荷兰企业，但不少网友都把ASML公司“美”化了，这里的“美”指的是美国。在华为遭遇到芯片封锁之前，中国半导体企业就曾向ASML公司支付了定金，采购了一台EUV光刻机。然而，ASML公司却迟迟没有发货，这也引起了网友的各种猜疑。众所周知，全世界只有ASML公司能够生产EUV光刻机，而一部EUV光刻机上就有超过10w的精密零件，各方面的技术也是来自全世界各国的顶尖技术。所以ASML公司的光刻机一直是供不应求。但明明已经收了定金，10亿一部的EUV光刻机，ASML公司为何有生意不做呢？大部分的
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EUV ASML 光刻机
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EUV 光刻机 俄罗斯 叠加芯片
通用汽车(GM)已经恢复了2022款雪佛兰Bolt EV和EUV的生产，现在它们可以获得新电池组的供应，而这些电池组应该不会有火灾隐患。此前，雪佛兰Bolt因潜在的电池火灾而被召回，该次召回影响到了所有的车型，导致Bolt EV和EUV汽车的生产自去年8月起完全冻结。“我们的目标是恢复并坦率地说超过业务指标，”雪佛兰营销副总裁Steve Majoros在昨日的新闻电话会议上说道。Bolt的复出计划包括赶上新的2022款Bolt EV和EUV订单（2023年的订单将于7月开始）、将在MLB开幕日投放的新电视
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EUV 雪佛兰
（原标题：光刻机巨头阿斯麦CEO：不卖EUV给中国大陆“是政府们的选择”）【文/观察者网 吕栋】“这不是我们的选择，而是政府们（《瓦森纳协定》成员国）的选择。”日前，荷兰光刻机巨头阿斯麦CEO温彼得再次就向中国大陆出口EUV光刻机一事解释道。他今年1月曾表示，中国不太可能独立复制出（replicate）顶尖的光刻技术，但也别那么绝对，“他们肯定会尝试”。观察者网注意到，由于最先进的EUV设备无法向中国大陆出口，温彼得自2021年以来曾多次发声。2021年4月，他曾喊话美国政府，对华出口管制不仅不能阻碍中国
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阿斯麦CEO EUV 光刻机
前不久的Intel投资者会议上，英特尔发布了先进工艺的路线图，从去年的Intel 7工艺开始一路推进到Intel 18A工艺，酷睿处理器从12代一直持续到16代酷睿，甚至17代酷睿都在准备中了，2025年上市。 不仅工艺规划的很好，而且这一次Intel更有信心，因为多代工艺实际上提前量产了，具体如下：Intel
4工艺是Intel第一个
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EUV Intel 先进工艺
芯片行业一直是困扰全球的“卡脖子”领域，而其中核心的光刻机技术被几家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片领域有长足的进步，光刻机这种核心设备就要有所突破。而之前美国通过自身在全球市场的控制能力，通过修改法案等手段一直将光刻机设备和技术限制对中国进行输出。但近期光刻机头部企业ASML则明确表态将会尽其所能向中国市场提供一切他们能够提供的技术，其中DUV光刻机将会不需要认可许可即可向中方企业提供。ASML光刻机除此之外，ASML表示在当前法律框架之下，他们除了EUV光刻机无法向中方企业提供，其他产品都可以正常发售。
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ASML EUV 光刻机
海外知名充电配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上众筹了一款全新的100W快充充电器。这款产品基于纳微GaNFast氮化镓功率芯片，采用堆叠设计思路，不仅支持自带可折叠的插脚，而且还集成了一个AC插口，在使用时，不会占用两孔插座，并支持最多16款充电器堆叠使用。 回到充电本身也是颇有亮点，配备了3C1A四个输出接口，可同时满足四台电子设备的充电需求；在单口输出时，C口支持盲插输出100W。同时借助氮化镓技术的优势，实现了小巧的外形尺寸，出门携带比较方便。 关于这款产品的性能，充电
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HYPER JUICE 氮化镓 充电器
据《连线》杂志报道，在美国康涅狄格州郊区的一间洁净室中，ASML的工程师们正在为一台单台造价1.5亿美元的新机器制造关键部件，该部件是新一代EUV系统的组成部分，会采用一些新技术来最大限度地减少其使用的光波长，包括缩小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程师正在装配系统组件（图片来自ASML）
要知道，当前的EUV机器已经像一辆公共汽车那么大，包含10万个零部件和两公里长的电缆，运输这些组件需要40个货运集装箱、三架货机和20辆卡车，能够买得起这种设备的公
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ASML EUV 光刻机
9月2日消息，荷兰阿斯麦的新一代极紫外（EUV）光刻机每台有公共汽车大小，造价1.5亿美元。其前所未有的精度可以让芯片上的元件尺寸在未来几年继续缩小。 在位于美国康涅狄格州郊区的一间大型洁净室里，工程师们已经开始为一台机器制造关键部件，这台机器有望让芯片制造行业沿着摩尔定律至少再走上10年时间。 这台极紫外光刻机是由荷兰阿斯麦公司制造的。阿斯麦于2017年推出世界上第一台量产的极紫外光刻机，在芯片制造领域发挥着至关重要的作用，已经被用于制造iPhone手机芯片以及人工智能处理器等最先进的芯片。阿斯
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阿斯麦 EUV 光刻机
三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预
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美光 EUV DRAM
SK海力士公司在7月12日表示，本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外（EUV）工艺，这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%，成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商，并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明，正式启用EUV光刻机闪存内存芯片，批量生产采用
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芯片虽小，制造难度却很大，而且芯片制造的关键设备光刻机的缺乏，更是成为限制我国高端芯片的一大难题。尤其是近两年华为事件的不断发酵，让我国半导体芯片领域的问题越加明显，那就是在芯片制造的设备上，我国依然受制于人的问题相当严重。为什么ASML加速来华？北大教授的发声很现实，国产光刻机突破在即虽然华为研发出基于5nm工艺的麒麟9000芯片，令一众对手刮目相看，但是没有台积电为其代工生产，没有属于中国自己的高端光刻机，就等同于一张“纸老虎”。作为中国大陆最先进的芯片制造企业中芯国际，因为没有高端光刻机，至今仍然没
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