- 浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫外光(EUV)的ASML则表示，目前已有数家客户下单，最快2009年便可出货，但哪种技术最终将「一统江湖」，尚未有定论。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波长可达13.5纳米，约是248波长的KrF显影设备的15分之1，尽管浸润式显
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消费电子 EUV 电子束 消费电子
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 这家大型半导体厂商的名字，尼康没有公布，估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。 作为全折射型液浸曝光设备，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技术，能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题，据称利用名为“Local-fill（局部
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NA 尼康 嵌入式系统
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