- 芯片行业一直是困扰全球的“卡脖子”领域,而其中核心的光刻机技术被几家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片领域有长足的进步,光刻机这种核心设备就要有所突破。而之前美国通过自身在全球市场的控制能力,通过修改法案等手段一直将光刻机设备和技术限制对中国进行输出。但近期光刻机头部企业ASML则明确表态将会尽其所能向中国市场提供一切他们能够提供的技术,其中DUV光刻机将会不需要认可许可即可向中方企业提供。ASML光刻机除此之外,ASML表示在当前法律框架之下,他们除了EUV光刻机无法向中方企业提供,其他产品都可以正常发售。
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ASML EUV 光刻机
- 海外知名充电配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上众筹了一款全新的100W快充充电器。这款产品基于纳微GaNFast氮化镓功率芯片,采用堆叠设计思路,不仅支持自带可折叠的插脚,而且还集成了一个AC插口,在使用时,不会占用两孔插座,并支持最多16款充电器堆叠使用。 回到充电本身也是颇有亮点,配备了3C1A四个输出接口,可同时满足四台电子设备的充电需求;在单口输出时,C口支持盲插输出100W。同时借助氮化镓技术的优势,实现了小巧的外形尺寸,出门携带比较方便。 关于这款产品的性能,充电
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HYPER JUICE 氮化镓 充电器
- 据《连线》杂志报道,在美国康涅狄格州郊区的一间洁净室中,ASML的工程师们正在为一台单台造价1.5亿美元的新机器制造关键部件,该部件是新一代EUV系统的组成部分,会采用一些新技术来最大限度地减少其使用的光波长,包括缩小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程师正在装配系统组件(图片来自ASML)
要知道,当前的EUV机器已经像一辆公共汽车那么大,包含10万个零部件和两公里长的电缆,运输这些组件需要40个货运集装箱、三架货机和20辆卡车,能够买得起这种设备的公
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ASML EUV 光刻机
- 9月2日消息,荷兰阿斯麦的新一代极紫外(EUV)光刻机每台有公共汽车大小,造价1.5亿美元。其前所未有的精度可以让芯片上的元件尺寸在未来几年继续缩小。 在位于美国康涅狄格州郊区的一间大型洁净室里,工程师们已经开始为一台机器制造关键部件,这台机器有望让芯片制造行业沿着摩尔定律至少再走上10年时间。 这台极紫外光刻机是由荷兰阿斯麦公司制造的。阿斯麦于2017年推出世界上第一台量产的极紫外光刻机,在芯片制造领域发挥着至关重要的作用,已经被用于制造iPhone手机芯片以及人工智能处理器等最先进的芯片。阿斯
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阿斯麦 EUV 光刻机
- 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预
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美光 EUV DRAM
- SK海力士公司在7月12日表示,本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外(EUV)工艺,这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法,比起前一代规格的产品,第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%,成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商,并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明,正式启用EUV光刻机闪存内存芯片,批量生产采用
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EUV DRAM
- 芯片虽小,制造难度却很大,而且芯片制造的关键设备光刻机的缺乏,更是成为限制我国高端芯片的一大难题。尤其是近两年华为事件的不断发酵,让我国半导体芯片领域的问题越加明显,那就是在芯片制造的设备上,我国依然受制于人的问题相当严重。为什么ASML加速来华?北大教授的发声很现实,国产光刻机突破在即虽然华为研发出基于5nm工艺的麒麟9000芯片,令一众对手刮目相看,但是没有台积电为其代工生产,没有属于中国自己的高端光刻机,就等同于一张“纸老虎”。作为中国大陆最先进的芯片制造企业中芯国际,因为没有高端光刻机,至今仍然没
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EUV 光刻机 ASML
- 据韩媒援引业内人士消息,三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂,以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。该工厂将采用5nm制程,计划于今年Q3开工,2024年投产,预计耗资180亿美元,同时也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。去年,台积电去宣布将在美国建设芯片工厂,建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片,目标是2024年投产。最新消息称,台积电管理层目前正在讨论,他们在美国的下一座芯片工厂,是否采用更先进的3nm制程工艺,为相关的客户代工芯片。
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三星 5nm EUV 芯片厂
- 本周一,外媒援引韩国产业通商资源部一份有关半导体产业发展战略文件报道称,光刻机制造商阿斯麦将投资2.12亿美元,在京畿道华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心。在报道阿斯麦将在华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心时,外媒还提到,虽然三星电子、SK海力士已引进了阿斯麦生产的极紫外光刻机,但他们获得的数量同台积电相比,有不小的差距。 外媒在报道中提到,阿斯麦目前已生产的极紫外光刻机,70%是卖给了台积电,留给其他厂商的就只有30%。 阿斯麦是目前全球唯一能制造极紫外光刻机的厂商,他们已推出了TWIN
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- 做为国内最大也是最先进的半导体制造公司,中芯国际在先进工艺上的进展引人关注,其中7nm及以下节点非常重要,这还牵涉到EUV光刻机。 日前有股民在互动平台上询问,称有报道指出中芯国际不用EUV光刻就攻克了类7nm工艺,要求中芯国际澄清。 对此,中芯国际表示,公司不针对传言进行评论。 从中芯国际官网的介绍来看,该公司提到的最先进工艺还是14nm,接下来的是N+1、N+2工艺,但没有指明具体的工艺节点。 中芯国际联合CEO赵海军曾表示,经过三年的积累,FinFET工艺已经取得了不错的成绩,N+1已经
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EUV 光刻机 中芯国际
- 蓝色巨人出手就是王炸。 5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。 核心指标方面,IBM称该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。 2nm晶圆近照 换言之,在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内,就能容纳500亿颗晶体管。 同时,IBM表示,在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。 实际上,I
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- 近日,中芯国际与ASML达成12亿美元交易购买晶圆生产设备的消息引发关注。针对双方此次合作,有媒体报道称“除了EUV光刻机,中芯国际几乎可以买到其他所有型号的光刻机。”但是这一说法很快被ASML官方澄清,该协议与DUV光刻技术的现有协议相关。 可能很多网友看到这里有点蒙圈,这绕来绕去的到底是玩的什么文字游戏。这里先进行一个小科普,EUV和DUV到底有啥区别呢?EUV也就是“极深紫外线”的意思,而DUV是“深紫外线”的意思,通过字面就知道EUV看上去就比DUV高级,实际上也是如此。 ASML澄清与中
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中芯国际 ASML DUV EUV
- 荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)1月20日发布了2020年Q4和全年财报,这位世界光刻机霸主去年共出货了31台EUV光刻机,中国大陆由于种种原因没有买到其中任何一台。 有人说阿斯麦是唯一一个能让台积电折腰的公司,这一点也不夸张。阿斯麦所生产的光刻机,是半导体工厂生产芯片的最关键工具。毕竟,没有刀,再好的师傅也雕不出来花。 如果有任何厂商的光刻机设备需要维修,阿斯麦的工程师从登上飞机那一刻,厂商就要付给他们以小时计的美金。 曾经,某上市公司的光刻机出问题后,排了3年队才等到阿斯麦的工程师。结果阿斯麦的
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- 拜登上任在即,他会缓解紧张的中美科技局势吗?近期,全球最大光刻机制造商ASML的CEO表示,即使总统换届,两国在包括光刻机在内的半导体领域,仍将出现进一步的对抗。也有人发表看法,发展芯片,开源指令集架构RISC-V可能会让中国芯片自主「弯道超车」? 离美国新任总统拜登的上任越来越近了。 在过去川普任职期内,中美之间的贸易战让不少科技公司都卷入其中,总部位于荷兰的光刻机制造商ASML也是其中之一。 由于美国政府的压力,其最新价值约2亿美元的光刻机已停止向中国销售。 由于川普的举动常常出其不意而且疯狂
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EUV 光刻机 ASML
- 14日讯,《科创板日报》记者从ASML获悉,其公布了EUV路线图上的新机型TWINSCANNXE:3600D的最终规格,这是30mJ/cm2的曝光速度达到每小时曝光160片晶圆,提高了18%的生产率,并改进机器匹配套准精度至1.1纳米,并计划于2021年的中期开始发货。
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