阿斯麦（ASML）近日发布2024年第三季度财报。2024年第三季度，ASML实现净销售额75亿欧元，毛利率为50.8%，净利润达21亿欧元。今年第三季度的新增订单金额为26亿欧元2，其中14亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2024年第四季度的净销售额在88亿至92亿欧元之间，毛利率介于49%到50%，2024年全年的净销售额约为280欧元。ASML还预计，2025年的净销售额在300亿至350亿欧元之间，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度财报一览（除非特别说明，数字均以百万欧元
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ASML EUV 光刻机
此次合作旨在利用安霸先进的Oculii人工智能4D成像雷达技术，提高路特斯电动汽车的安全性Source:Getty Images在9月24日发布的一篇新闻稿中，安霸宣布将与路特斯科技公司合作，展示了其Oculii人工智能4D成像雷达技术的安全性。该技术现已集成至2023款和2024款路特斯Eletre电动超跑SUV以及2024款路特斯Emeya纯电超跑GT车型中。此次合作旨在通过利用超过300米的超长探测距离，提升包括高速公路和城市自主领航（NOA）及自动紧急制动（AEB）等半自动驾驶系统的能力。该系统在
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安霸 路特斯 4D成像雷达 Hyper SUV 2级+
IT之家 9 月 3 日消息，日经报道称，英特尔将与日本产业技术综合研究所（AIST）在日本建立芯片研发基地，新设施将在三到五年内建成，配备极紫外线光刻（EUV）设备。▲ 图源：英特尔设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。据介绍，这将是日本第一个行业成员能够共同使用极紫外光刻设备的中心。IT之家查询获悉，产业技术综合研究所隶属经济产业省，是日本一家设法使用集成科学和工程知识来解决日本社会和经济发展需要的研究机构，总部位于东京，2001 年成为独立行政机构的一个新设计的法律机构。
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英特尔 AIST 芯片 EUV
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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imec High-NA EUV DRAM
日本冲绳科学技术大学院大学设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。
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EUV
荷商艾司摩尔（ASML）是半导体设备巨头，台积电等龙头公司制造先进芯片，都需采用ASML制造商生产的昂贵极紫外光曝光机（EUV），根据《Tom's Hardware》报导，日本科学家已开发出简化的EUV扫描仪，可以大幅降低芯片的生产成本。报导指出，冲绳科学技术学院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一种全新、大幅简化的EUV曝光机，相比ASML开发和制造的工具更便宜，如果该种设备大规模量产，可能重塑芯片制造设备产业的现况。值得关注的是，新系统在光学投影设定中只使用两面镜子，与传统的
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台积电 EUV ASML
8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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Intel High NA EUV 光刻机 晶圆 8纳米
英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
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ASML High-NA 英特尔 光刻机
IT之家 7 月 30 日消息，《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机，图源：ASML上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8
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台积电 ASML 光刻机 EUV
台积电依然是 EUV 设备的最大买家。台积电 2nm 先进制程产能将于 2025 年量产，设备厂正如火如荼交机，尤以先进制程所用之 EUV（极紫外光刻机）至为关键，今明两年共将交付超过 60 台 EUV，总投资金额上看超过 4000 亿元新台币。在产能持续扩充之下，ASML 2025 年交付数量增长将超过 3 成，台厂供应链沾光，其中家登积极与 ASML 携手投入下一代 High-NA EUV 研发，另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。设备厂商透露，EUV 设备供应吃紧，交期长达 16~20
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EUV
在过去的五年中，EUV 模式设计取得了长足的进步，但高 NA EUV 又重现了旧的挑战。
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EUV ASML
ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
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ASML Hyper-NA EUV 光刻机 台积电 三星 英特尔
国际设备大厂东京威力科创（TEL）为全球唯一拥有沉积、涂布／显影、蚀刻、清洗四大连续制程设备之公司，是晶圆片进入EUV曝光前重要步骤。TEL宫城总裁神原弘光指出，随着芯片设计演进，蚀刻技术不断朝着3D化方向演进，垂直堆栈发展、更有效利用空间，然而堆栈层数的增加，在成膜次数跟蚀刻时间、次数也会随之增加，所需的机台数量同步成长。 EUV大厂拥有近乎100％市占率，TEL在涂布／显影与之紧密配合，同样近乎独占；换言之，只要EUV出货，TEL亦将同步受惠。TEL更透露，早已在台设置研发中心，近期更会扩增洁净室规模
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制程设备 EUV TEL
台积电2纳米先进制程产能将于2025年量产，设备厂正如火如荼交机，尤以先进制程所用之EUV（极紫外光曝光机）至为关键，今明两年共将交付超过60台EUV，总投资金额上看超过4,000亿元。在产能持续扩充之下，ASML2025年交付数量成长将超过3成，台厂供应链沾光，其中家登积极与ASML携手投入次世代High-NA EUV研发，另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。 设备业者透露，EUV机台供应吃紧，交期长达16至20个月，因此2024年订单大部分会于后年开始交付；据法人估计，今年台积电EUV订
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2纳米 先进制程 ASML EUV 台积电
位于日本筑波的高能加速器研究组织（KEK）的一组研究人员认为，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技术可能会更便宜、更快、更高效。
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摩尔定律 粒子加速器 EUV 光刻技术
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