据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV
机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
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英特尔 High NA EUV 光刻机 晶圆
英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
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英特尔 High-NA EUV
《科创板日报》25日讯，英特尔周一表示，去年率业界之先接收的两台ASML高数值孔径极紫外光EUV已投入生产。英特尔资深总工程师卡森表示，ASML这两台尖端机器已生产了3万片晶圆。
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最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥（BAT）激光器，这种激光器比现在行业内的标准 CO2 激光器将 EUV 光源提高约 10 倍。这一进步，可能为新一代「超越 EUV」的光刻系统铺平道路，从而生产出更小、更强大、制造速度更快、同时耗电量更少的芯片。简而言之，美国开发的新一代 BAT 激光器，远超现在的 EUV 光刻，能够将效率提升 10 倍。EUV 光刻有多强？目前来看，没有 EUV 光刻，业界就无法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻机也是历史上最复杂、最
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EUV
9 月，佳能推出了这项技术的第一个商业版本，有朝一日可能会颠覆最先进的硅芯片的制造。它被称为纳米压印光刻 （NIL），能够对小至 14 纳米的电路特征进行图案化，使逻辑芯片能够与目前正在量产的 Intel、AMD 和 Nvidia 处理器相媲美。NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是正确的，其机器最终将以极低的成本提供 EUV 质量的芯片。该公司的方法与 EUV 系统完全不同，后者完全由总部位于荷
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纳米压印光刻技术 EUV 佳能 新芯片制造系统
荷兰芯片设备制造巨擘ASML执行长福克（Christophe Fouquet）表示，尽管中国大陆企业如中芯国际近年来在半导体领域有显着进展，但由于无法取得最先进的极紫外光微影设备（EUV），芯片制程技术仍落后台积电、三星等代工龙头约10至15年。Tom's Hardware报导，福克接受荷兰《鹿特丹商报》（NRC）采访时指出，中芯国际和华为仅使用深紫外光曝光设备（DUV），在成本效益上无法与台积电的制程技术相提并论。他认为，美国政府祭出的禁止EUV出口中国大陆禁令确实有效，让中国落后西方约15 年
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近日，全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，其旗下符合3GPP
R17标准的新一代5G-A模组RG650V-NA成功通过了北美两家重要运营商认证。凭借高速度、大容量、低延迟、高可靠等优势，该模组可满足CPE、家庭/企业网关、移动热点、高清视频直播等FWA应用对高速、稳定5G网络的需求。移远通信高性能5G-A模组RG650V-NA通过北美两大重要运营商认证此前，RG650V系列已通过了北美FCC、PTCRB以及GCF全球认证，此次再获北美两项认证，表明该模组已全面取得北美运营商的认可，标志着搭
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移远通信 5G-A模组 RG650V-NA
阿斯麦（ASML）近日发布2024年第三季度财报。2024年第三季度，ASML实现净销售额75亿欧元，毛利率为50.8%，净利润达21亿欧元。今年第三季度的新增订单金额为26亿欧元2，其中14亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2024年第四季度的净销售额在88亿至92亿欧元之间，毛利率介于49%到50%，2024年全年的净销售额约为280欧元。ASML还预计，2025年的净销售额在300亿至350亿欧元之间，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度财报一览（除非特别说明，数字均以百万欧元
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ASML EUV 光刻机
此次合作旨在利用安霸先进的Oculii人工智能4D成像雷达技术，提高路特斯电动汽车的安全性Source:Getty Images在9月24日发布的一篇新闻稿中，安霸宣布将与路特斯科技公司合作，展示了其Oculii人工智能4D成像雷达技术的安全性。该技术现已集成至2023款和2024款路特斯Eletre电动超跑SUV以及2024款路特斯Emeya纯电超跑GT车型中。此次合作旨在通过利用超过300米的超长探测距离，提升包括高速公路和城市自主领航（NOA）及自动紧急制动（AEB）等半自动驾驶系统的能力。该系统在
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安霸 路特斯 4D成像雷达 Hyper SUV 2级+
IT之家 9 月 3 日消息，日经报道称，英特尔将与日本产业技术综合研究所（AIST）在日本建立芯片研发基地，新设施将在三到五年内建成，配备极紫外线光刻（EUV）设备。▲ 图源：英特尔设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。据介绍，这将是日本第一个行业成员能够共同使用极紫外光刻设备的中心。IT之家查询获悉，产业技术综合研究所隶属经济产业省，是日本一家设法使用集成科学和工程知识来解决日本社会和经济发展需要的研究机构，总部位于东京，2001 年成为独立行政机构的一个新设计的法律机构。
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英特尔 AIST 芯片 EUV
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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imec High-NA EUV DRAM
日本冲绳科学技术大学院大学设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。
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荷商艾司摩尔（ASML）是半导体设备巨头，台积电等龙头公司制造先进芯片，都需采用ASML制造商生产的昂贵极紫外光曝光机（EUV），根据《Tom's Hardware》报导，日本科学家已开发出简化的EUV扫描仪，可以大幅降低芯片的生产成本。报导指出，冲绳科学技术学院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一种全新、大幅简化的EUV曝光机，相比ASML开发和制造的工具更便宜，如果该种设备大规模量产，可能重塑芯片制造设备产业的现况。值得关注的是，新系统在光学投影设定中只使用两面镜子，与传统的
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台积电 EUV ASML
8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
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