6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
据市场消息，目前，ASML High NA EUV光刻机仅有两台，如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求，为此ASML布局步伐又迈一步。当地时间6月3日，全球最大的半导体设备制造商阿斯麦（ASML）宣布，携手比利时微电子研究中心（IMEC），在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），并由双方共同运营。推动摩尔定律关键因素：High NA EUV技术据业界信息，High NA EUV技术是
5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
台积电熊本厂已在2月底开幕，美国亚利桑那州新厂却从2024年递延至2025年量产，美国一名结构工程师撰文指出，在美国盖晶圆厂的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地区高出30%到4倍。而盖晶圆厂比想象中复杂，以ASML的一台先进EUV曝光机为例，可能装在40个货柜中，需要漫长而仔细的组装过程。美国进步中心（Institute of Progress）学者、结构工程师波特（Brian Potter）以如何建造一座价值200亿美元的半导体厂为题撰文指出，随着摩尔定律的发展，芯片已变得越来越小、越来越便宜
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