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台积电：仍在评估 High NA EUV 光刻机，采用时间未定

  • IT之家 7 月 30 日消息，《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机，图源：ASML上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8
  • 关键字： 台积电  ASML  光刻机  EUV  

台积电大举拉货EUV光刻机

  • 台积电依然是 EUV 设备的最大买家。台积电 2nm 先进制程产能将于 2025 年量产，设备厂正如火如荼交机，尤以先进制程所用之 EUV（极紫外光刻机）至为关键，今明两年共将交付超过 60 台 EUV，总投资金额上看超过 4000 亿元新台币。在产能持续扩充之下，ASML 2025 年交付数量增长将超过 3 成，台厂供应链沾光，其中家登积极与 ASML 携手投入下一代 High-NA EUV 研发，另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。设备厂商透露，EUV 设备供应吃紧，交期长达 16~20
  • 关键字： EUV  

EUV 的单次曝光与多次曝光的进步

  • 在过去的五年中，EUV 模式设计取得了长足的进步，但高 NA EUV 又重现了旧的挑战。
  • 关键字： EUV  ASML  

ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍，让台积电、三星和英特尔犹豫不决

  • ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
  • 关键字： ASML  Hyper-NA EUV  光刻机  台积电  三星  英特尔  

独拥四大连续制程设备 TEL成EUV出货大赢家

  • 国际设备大厂东京威力科创（TEL）为全球唯一拥有沉积、涂布／显影、蚀刻、清洗四大连续制程设备之公司，是晶圆片进入EUV曝光前重要步骤。TEL宫城总裁神原弘光指出，随着芯片设计演进，蚀刻技术不断朝着3D化方向演进，垂直堆栈发展、更有效利用空间，然而堆栈层数的增加，在成膜次数跟蚀刻时间、次数也会随之增加，所需的机台数量同步成长。 EUV大厂拥有近乎100％市占率，TEL在涂布／显影与之紧密配合，同样近乎独占；换言之，只要EUV出货，TEL亦将同步受惠。TEL更透露，早已在台设置研发中心，近期更会扩增洁净室规模
  • 关键字： 制程设备  EUV  TEL  

台积电EUV大举拉货 供应链集体狂欢

  • 台积电2纳米先进制程产能将于2025年量产，设备厂正如火如荼交机，尤以先进制程所用之EUV（极紫外光曝光机）至为关键，今明两年共将交付超过60台EUV，总投资金额上看超过4,000亿元。在产能持续扩充之下，ASML2025年交付数量成长将超过3成，台厂供应链沾光，其中家登积极与ASML携手投入次世代High-NA EUV研发，另外帆宣、意德士、公准、京鼎及翔名等有望同步受惠。 设备业者透露，EUV机台供应吃紧，交期长达16至20个月，因此2024年订单大部分会于后年开始交付；据法人估计，今年台积电EUV订
  • 关键字： 2纳米  先进制程  ASML  EUV  台积电  

改变​摩尔定律的未来是粒子加速器吗？

  • 位于日本筑波的高能加速器研究组织（KEK）的一组研究人员认为，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技术可能会更便宜、更快、更高效。
  • 关键字： 摩尔定律  粒子加速器  EUV  光刻技术  

ASML市值超车LVMH，成为欧洲第二大上市公司

  • 最新 EUV 设备的销售情况对 ASML 的市值产生了明显影响。
  • 关键字： EUV  ASML  

可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了

  • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
  • 关键字： ASML  光刻机  高NA EUV  0.2nm  

ASML：EUV光刻机已近极限 追赶技术还是另辟蹊径？

  • ASML首席财务官达森（Roger Dassen）表示，EUV技术路线发展受欧美限制，且光刻机已接近技术极限，此一技术路线前景不明。积极寻求突破的中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随？还是将资源另辟蹊径寻找新的技术路径？将面临艰难的抉择。 据《芯智讯》报导，台积电已经订购了High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机，ASML与台积电的商业谈判即将结束，预计在第2季度或第3季度开始获得大量 2nm芯片制造相关设备订单。ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国
  • 关键字： ASML  EUV  光刻机  

台积电今年将拿到最新款光刻机

  • 6月6日消息，据外媒报道称，ASML将在今年向台积电交付旗下最先进的光刻机，单台造价达3.8亿美元。报道中提到，ASML首席财务官Roger Dassen在最近的一次电话会议上告诉分析师，公司两大客户台积电和英特尔将在今年年底前获得所谓的高数值孔径（高NA）极紫外（EUV）光刻系统。英特尔此前已经订购了最新的高NA EUV设备，第一台设备已于12月底运往俄勒冈州的一家工厂。目前尚不清楚ASML最大的EUV客户台积电何时会收到设备。据悉，这些机器每台造价3.5亿欧元（3.8亿美元），重量相当于两架空中客车A
  • 关键字： ASML  光刻机  高NA EUV  

EUV光刻机“忙疯了”

  • 据市场消息，目前，ASML High NA EUV光刻机仅有两台，如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求，为此ASML布局步伐又迈一步。当地时间6月3日，全球最大的半导体设备制造商阿斯麦（ASML）宣布，携手比利时微电子研究中心（IMEC），在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），并由双方共同运营。推动摩尔定律关键因素：High NA EUV技术据业界信息，High NA EUV技术是
  • 关键字： EUV  光刻机  EDA设计  

ASML和IMEC启用联合High-NA EUV光刻实验室

  • 自ASML官网获悉，6月3日，比利时微电子研究中心（imec）与阿斯麦（ASML）宣布在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同运营。声明中称，经过多年的构建和集成，该实验室已准备好为领先的逻辑和存储芯片制造商以及先进材料和设备供应商提供第一台原型高数值孔径EUV扫描仪（TWINSCAN EXE：5000）以及周围的处理和计量工具。据悉，该联合实验室的开放是High-NA EUV大批量生
  • 关键字： 阿斯麦  ASML  EUV  

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

  • 5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
  • 关键字： 台积电  ASML  High-NA  EUV  光刻机  

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

  • 据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
  • 关键字： 美光  DRAM  日本  EUV  
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