- 据报道，三星芯片部总裁Oh-Hyun Kwon近日在台北举行的三星年度移动解决方案论坛上表示，三星正在提高DDR3芯片产量，以缓解目前市场上DDR3芯片供应短缺现状。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增长量超过了先前的预计，导致了DDR3供应短缺。不过三星目前已经加大了DDR3芯片生产量，以满足市场的增长需求，40nm工艺将成为他们明年芯片生产的主要处理技术。
Oh-Hyun Kwon认为，提高产量的方法并不只是多建几家工厂，技术升级将是三星以后提高芯片产量的主要途径。
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三星 40nm DRAM DDR3
- Rambus公司以往的新闻几乎都与XDR DRAM的官司有关，不过这次他们则和金士顿合作开发出了一种可用于增大DDR3内存带宽的技术“线程式内存条技术”(Threaded memory module)。这种技术基于现有的DDR3技术，不过将内存条上的内存芯片进行了分块处理，位于各个分块内部的芯片共享一个命令/地址端口，不过数据传 输部分则可通过各自独立的传输通道进行传输，传输的位宽可达64字节(512bit)，这样就可以将传统DDR3内存的带宽提升50%左右，而且采用这种 技术
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Rambus DRAM DDR3
- 据国外媒体报道，三星电子芯片部门总裁权五铉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形势好于公司原来预期，因此三星电子正在提高芯片产量以满足市场需求。
权五铉将需求提升归功于企业重建库存以及政府的经济刺激政策。
在台北的新闻发布会上，权五铉举例道个人电脑用的DDR3芯片的需求就非常强劲。三星电子正在台北举行一个关于手机行业的论坛。
他表示，三星正在提高DDR3芯片的产量，预计将有助于结束市场供给短缺的现象。
权五铉表示，此前由于制造商产能过度扩张，DRAM(动态随机存取
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三星 DRAM DDR3 液晶面板 记忆体芯片
- DRAM价格涨不停，1Gb容量DDR2价格直逼2美元，苦熬多时的台系DRAM厂终于进入现金正流入的状态，包括华亚科、力晶和茂德营运都终止失血，南亚科在自己晶圆厂生产部分也开始有现金流入，但采购自华亚科的部分，受到母子公司拆帐仍是Margin-Sharing模式，因此部分还是现金流出，但以整个台塑集团的DRAM事业来看，已进入现金正流入状态，下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。
4 大DRAM厂2008年亏损金额超过新台币1,000亿元，眼看龙头厂三星电子(Samsung Electronic
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力晶 DRAM DDR2
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。
IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒，与同类SRAM相比待机功耗降低4倍，软错误率降低1000多倍，功耗也大大减少。
IBM希望将3
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IBM 32nm DRAM 动态存储器
- 据国外媒体报道，投资银行摩根士丹利在周一表示，在经历了三年的衰退之后，计算机存储芯片市场已开始复苏，预计此次复苏将会持续两年的时间。
摩根士丹利分析师韩亘(Keon Han)在周一的报告中指出，DRAM芯片销售在2010年将会达到224亿美元，较今年的184亿美元增长21%。在摩根士丹利分析师上调了三星电子、海力士和三家台湾芯片制造商的股价预期之后，韩国和台湾芯片股周一普遍出现上涨。
瑞萨科技在周一表示，该公司计划在下月上调芯片售价。瑞萨科技此举表示，芯片制造商正在走出去年供给过剩以及亏损
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海力士 DRAM 存储芯片
- 华尔街日报报道，台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)发言人曾邦助(Ben Tseng)周五称，公司将与台湾记忆体公司(Taiwan Memory Company)在芯片研发和生产方面进行合作。
曾邦助告诉道琼斯通讯社(Dow Jones Newswires)称，茂德科技计划于10月份取消无薪假期，部分原因是与台湾记忆体的合作需要公司逐步恢复产能。此前受芯片供应过剩影响，茂德科技已连续9个季度亏损。
受芯片行业持续低迷影响，自去年11月份以来，茂德科技的雇员每月都
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TMC DRAM
- 9月18日消息 据华尔街日报导报，南亚科技发言人白培霖周五称，因个人电脑销售旺盛，继续带动DRAM芯片需求，公司将把9月下半月的动态随机存储(DRAM)芯片价格较上半月上调10%。
白培霖表示，公司几乎已经达成了下半月的所有交易，由此可见需求之旺盛。南亚科技每月与个人电脑制造商进行两次DRAM芯片价格谈判。
白培霖还称，南亚科技9月上半月将DRAM芯片价格较8月末上调了15%，公司目前的芯片平均售价约为2美元，高于其现金成本。
但白培霖称，南亚科技仍然不太可能在本季度扭亏为盈。该公司
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南亚科技 DRAM
- 2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际，各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势，DDR2饱受冷板凳之苦许久，然现在风水轮流转，DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故，市场意外出现缺货声浪，DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势，导致现在DDR2库存过低，南亚科副总白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺货问题将更明显浮上台面，且由合约价蔓延至现货价，届时1Gb DDR2现货价格将看到2美元。
近期市场传言，三星电子(Samsung Electronics)有意将1Gb DDR2价格压在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体部门可望再创2年9个月来未见的1兆韩元(约8.2亿美元)营业利益。据韩国证券业与相关业者表示，三星电子2009年第3季合并营业利益推估可落在3.7兆~3.8兆韩元间，且可能超越上述区间。
三星电子2004年第1季创下最大营业利益4.01兆韩元，其中半导体部门营业利益为1.78兆韩元，通讯部门则是1.257兆韩元，占公司整体营业利益大半。三星半导体事业更在2004年第2季创下史上最大营业利益2.15兆韩元，占整体单季营业利益(3.773兆韩元
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三星 DRAM LCD
- 韩国半导体厂商海力士(Hynix)2009年第3季创下2,000亿韩元(约1.63亿美元)的营业利益，破除2007年第3季以来连续8季亏损魔咒。海力士在全球DRAM市场继三星电子(Samsung Electronics)之后第2家转亏为盈的厂商。
据业界预测，2009年第2季营业亏损2,110亿韩元的海力士，2009年第3季可望转亏为盈，落在2,000亿韩元左右，接近2007年第3季营业利益2,540亿韩元规模，而在2007年第3季以后，三星已连续7季营运呈现亏损。
分析指出，海力士营运改
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Hynix DRAM 50纳米
- 景气转好，近期科技业联贷案陆续通过，合约DRAM大厂南科150亿元(新台币，下同)联贷案也可望于9月底通过，加上6月时私募120亿元，以及年底可能再办约100多亿元的现增案，南科银弹满满，转进50奈米制程进度已经无虞。
日前奇美电联贷案金额不断往上追加，原应在8月结案，顺延到9月上旬，金额也由最初预定的300亿元规模，被联贷银行团超额认购到422亿元，最后以400亿元结案。显见随景气转好，银行团原本紧缩的态度，也逐渐放松。而南科150亿元联贷案，预计将在9月底登场。据银行端消息透露，最晚第四季就
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南科 DRAM 68纳米
- DRAM价格趋于稳定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，台厂面对这样美好的光景，心中还是有些疑虑，担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗，破坏DRAM价格涨势，然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单，且随著智能型手机价格平民化的趋势，未来内建高容量存储器普及，都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景，三星在喜迎苹果大单之余，也无暇与台系DRAM厂厮杀，暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触
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三星 DRAM NAND 存储器
- 台湾新任“经济部长”施颜祥11日强调，成立TMC的时空环境在变，当时规划时全球DRAM产业正处严峻状态，现在已稍微舒缓;他将以技术生根台湾理念来处理TMC的后续问题。
施颜祥说，现在很难说TMC政策到底要不要调整，他会在下周听取工业局简报，了解TMC政策推动进度与细节，再决定未来怎么做，原则上还是会以技术生根角度处理TMC的问题。
施颜祥临危受命接下“经济部”重担，未来不仅要面对TMC政策衍生的争议，还有即将来临的两岸洽签ECFA(经济合作架
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TMC DRAM
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