- DRAM大厂南亚科再度宣布筹资计画，预计办理8亿股的现金增资，筹措资金新台币百亿元，用途在于买3厂的机器设备和偿还到期公司债，目前南亚科积极转换制程到美光(Micron)68奈米制程，约有20~25%产能比重已转换过去，10月目标是80%产能都转到68奈米，为未来主力制程50 奈米做暖身，南亚科将挟持台塑集团的银弹和美光的技术，成为台系DRAM厂聚焦之处。
南亚科在6月发行10亿股的私募，当时由台塑集团相关企业出面认购，募得资金约新台币122.2亿元资金，南亚科24日再度宣布将办理8亿股的现金增
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南亚科 DRAM 晶圆
- 全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)近日表示，尽管半导体业已由2年的低迷谷底重振，公司对前景仍抱持谨慎态度。
三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)在中国台湾台北举办的移动解决方案年度论坛上表示，由于政府鼎力相助，此行业现发展情况优于公司当初预期。然而他指出：“尽管如此，我们抱持的观点仍偏向谨慎，预估欧美感恩节假期时，将是销售情况的转折点。”
感恩节假期在美国落在11月，加拿大则为10月。
权五铉另表示，目
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Samsung 内存芯片 DRAM
- “2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭，产业链进一步整合是必然趋势，而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存，就必需尽快寻找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR闪存厂商Spansion(飞索)公司企业营销总监John Nation抵京，他带来了Spansion最新的第二季度财务状况，以及公司为脱离破产保护而进行的战略调整。
Spansion是全球最大的NOR型闪存制造商，也是全球最大一家专门出品闪存的企业。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM NOR
- 分析师指出，资本支出创下历史新低使IC市场供应收紧，价格可能随之上涨，但可能会发生其他不可预料的结果。
IC Insights总裁Bill McClean称，今年半导体资本支出在销售额中所占的比例降至12%，创历史新低。芯片商在经历了严重衰退后，对资本投入依然比较谨慎。
“我们还不知道资本支出比例12%意味着什么。”McClean说道，“我们从来没有遇到过这种情况。”
资本支出比例在2008年为16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 据外电报道，晓星集团表示了收购海力士半导体的意向。
海力士股份管理协商会主管机构的外换银行表示，在受理海力士收购意向书(L01)截止的最后一天，只有一家企业提交了意向书。据了解，这家企业是晓星集团。
外换银行本月7日向43家企业发出了出售通知。该43家企业包括：公平交易委员会指定的企业集团当中，去年资产总额达到5万亿韩元以上的29家企业;在2007年和2008年均受到相互出资限制的企业集团中，资产总额达2万亿韩元以上的14家企业。
当初估计，国内至少会有4、5家企业会对收购海力士有兴
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海力士 DRAM 存储芯片
- 据报道，三星芯片部总裁Oh-Hyun Kwon近日在台北举行的三星年度移动解决方案论坛上表示，三星正在提高DDR3芯片产量，以缓解目前市场上DDR3芯片供应短缺现状。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增长量超过了先前的预计，导致了DDR3供应短缺。不过三星目前已经加大了DDR3芯片生产量，以满足市场的增长需求，40nm工艺将成为他们明年芯片生产的主要处理技术。
Oh-Hyun Kwon认为，提高产量的方法并不只是多建几家工厂，技术升级将是三星以后提高芯片产量的主要途径。
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三星 40nm DRAM DDR3
- Rambus公司以往的新闻几乎都与XDR DRAM的官司有关，不过这次他们则和金士顿合作开发出了一种可用于增大DDR3内存带宽的技术“线程式内存条技术”(Threaded memory module)。这种技术基于现有的DDR3技术，不过将内存条上的内存芯片进行了分块处理，位于各个分块内部的芯片共享一个命令/地址端口，不过数据传 输部分则可通过各自独立的传输通道进行传输，传输的位宽可达64字节(512bit)，这样就可以将传统DDR3内存的带宽提升50%左右，而且采用这种 技术
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Rambus DRAM DDR3
- 据国外媒体报道，三星电子芯片部门总裁权五铉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形势好于公司原来预期，因此三星电子正在提高芯片产量以满足市场需求。
权五铉将需求提升归功于企业重建库存以及政府的经济刺激政策。
在台北的新闻发布会上，权五铉举例道个人电脑用的DDR3芯片的需求就非常强劲。三星电子正在台北举行一个关于手机行业的论坛。
他表示，三星正在提高DDR3芯片的产量，预计将有助于结束市场供给短缺的现象。
权五铉表示，此前由于制造商产能过度扩张，DRAM(动态随机存取
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三星 DRAM DDR3 液晶面板 记忆体芯片
- DRAM价格涨不停，1Gb容量DDR2价格直逼2美元，苦熬多时的台系DRAM厂终于进入现金正流入的状态，包括华亚科、力晶和茂德营运都终止失血，南亚科在自己晶圆厂生产部分也开始有现金流入，但采购自华亚科的部分，受到母子公司拆帐仍是Margin-Sharing模式，因此部分还是现金流出，但以整个台塑集团的DRAM事业来看，已进入现金正流入状态，下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。
4 大DRAM厂2008年亏损金额超过新台币1,000亿元，眼看龙头厂三星电子(Samsung Electronic
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力晶 DRAM DDR2
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。
IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒，与同类SRAM相比待机功耗降低4倍，软错误率降低1000多倍，功耗也大大减少。
IBM希望将3
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IBM 32nm DRAM 动态存储器
- 据国外媒体报道，投资银行摩根士丹利在周一表示，在经历了三年的衰退之后，计算机存储芯片市场已开始复苏，预计此次复苏将会持续两年的时间。
摩根士丹利分析师韩亘(Keon Han)在周一的报告中指出，DRAM芯片销售在2010年将会达到224亿美元，较今年的184亿美元增长21%。在摩根士丹利分析师上调了三星电子、海力士和三家台湾芯片制造商的股价预期之后，韩国和台湾芯片股周一普遍出现上涨。
瑞萨科技在周一表示，该公司计划在下月上调芯片售价。瑞萨科技此举表示，芯片制造商正在走出去年供给过剩以及亏损
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海力士 DRAM 存储芯片
- 华尔街日报报道，台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)发言人曾邦助(Ben Tseng)周五称，公司将与台湾记忆体公司(Taiwan Memory Company)在芯片研发和生产方面进行合作。
曾邦助告诉道琼斯通讯社(Dow Jones Newswires)称，茂德科技计划于10月份取消无薪假期，部分原因是与台湾记忆体的合作需要公司逐步恢复产能。此前受芯片供应过剩影响，茂德科技已连续9个季度亏损。
受芯片行业持续低迷影响，自去年11月份以来，茂德科技的雇员每月都
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TMC DRAM
- 9月18日消息 据华尔街日报导报，南亚科技发言人白培霖周五称，因个人电脑销售旺盛，继续带动DRAM芯片需求，公司将把9月下半月的动态随机存储(DRAM)芯片价格较上半月上调10%。
白培霖表示，公司几乎已经达成了下半月的所有交易，由此可见需求之旺盛。南亚科技每月与个人电脑制造商进行两次DRAM芯片价格谈判。
白培霖还称，南亚科技9月上半月将DRAM芯片价格较8月末上调了15%，公司目前的芯片平均售价约为2美元，高于其现金成本。
但白培霖称，南亚科技仍然不太可能在本季度扭亏为盈。该公司
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南亚科技 DRAM
- 2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际，各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势，DDR2饱受冷板凳之苦许久，然现在风水轮流转，DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故，市场意外出现缺货声浪，DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势，导致现在DDR2库存过低，南亚科副总白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺货问题将更明显浮上台面，且由合约价蔓延至现货价，届时1Gb DDR2现货价格将看到2美元。
近期市场传言，三星电子(Samsung Electronics)有意将1Gb DDR2价格压在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
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