根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
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三星 DRAM DDR3 DDR2
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
全球半导体产业受金融危机的冲击已经一年过去。此次危机是历史上最严重的一次，所以尽管各国政府都奋力相救，但是由于受损太严重，产业的完全康复仍需要过程与时间。
至此，产业链中各类公司今年前三个季度的财报都已纷纷出笼，正如ICInsight公司所言，如果依季度比较，工业恢复的过程十分明显。今年的Q1是惨不成睹，仍在下降轨迹，半导体的产能利用率在50%以下，各类投资几乎为零。到Q2时已经看到回升的迹象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3结束时，部分公司已经扭亏为盈，工业已经明显看到好转的局面，但是与去年
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半导体 DRAM
力晶在DRAM价格强劲回文件下，将恢复财务自主能力，力晶董事会2日通过，从明年开始停止纾困，全力正常恢复营运，可望从明年起针对银行正常还款。力晶对第四季价格仍保持每颗2美元至2.5美元的乐观预期，今年第四季将有机会转亏为盈。
力晶昨日领先各大DRAM厂，率先公布10月营收，由于产能满载，加上DRAM价格回文件，该公司10月营收达42.39亿元(新台币，以下同)、较9月大增28%，创下今年以来新高，预估11月、12月营收将会维持持续成长的动能。
力晶指出，在政府政策与银行团大力支持之下，透过
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力晶 DRAM 封测
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强越过2.5美元后，颇有朝3美元的实力，各厂全产能投片后，可望力拼单月损益两平，其中力晶旗下瑞晶第3季已转亏为盈，力晶董事长黄崇仁也表示，若报价维持在2.5美元水平，第4季也有机会挤身获利之林。
DRAM 产业在2008年此时受到供过于求严重失衡的影响，亏损严重到一度将存储器
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力晶 DRAM 晶圆
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
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Intel 5纳米 DRAM NAND
据国外媒体报道，数家亚洲大型芯片厂商财报预期显示，本季度有望实现数年来的首次扭亏为盈，芯片下滑趋势或将结束。
三星电子本月初表示，其季度利润有望超市场预期，分析师对其预期为每股收益1.98万韩元(约合16.83美元)。
投行Macquarie Group对三星股票评级为“表现突出”(outperform)，将三星目标股价由84万韩元调高至90万韩元。该投行在研究报告中称，因三星上半年收益强劲，预计其股价将持续上涨。周一，三星股价在首尔股票交易所收盘于75.3万韩元(
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海力士 DRAM 内存芯片
尽管上周南亚科及华亚科法说会时，公司对于DRAM市场多抱持乐观看法，不过台湾创新存储器公司(TIMC)董事长宣明智26日上午参观台湾宽频通讯展时却表达保守看法，认为DRAM年年都要过冬，对DRAM景气没有那么乐观，针对DRAM产业再造合并时机已过，他则表示，该做的就做。
对于近期DRAM价格回稳，宣明智认为价钱回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目竞争情况下，DRAM价格杀到低于变动成本，目前DRAM市场价位回升，也颇为合理，宣明智表示，希望能大家都够抓住机会，掌握未来竞争条件，这样才能让整
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南亚科 DRAM 华亚科 TIMC
力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，对内存产业无疑是一枚深水炸弹，不论就技术自主、产能整合和产业创新等条件上，TFC都是力晶精心策划下的「政治正确」产物，从条件论而言，“经济部"很难直接拒绝TFC计划，尤其是现在台湾创新内存(TIMC)的技术来源尔必达(Elpida)在日本政府资金介入后，传出不让台湾地区政府投资的谣言不绝于耳，力晶在此时拿出TFC计划，就算不能获得政府补助，也达到破坏TIMC的目的，台湾内存产业整合大戏未来要如何演下去，在各厂底
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力晶 DRAM 内存
市场研究公司iSuppli称，今年第二、三季度DRAM内存芯片销售额和价格环比增幅创下过去5年来的最高记录，这表明市场正在复苏，这一趋势将至少持续到明年。
据国外媒体报道称，iSuppli发布的初步统计数字显示，第三季度全球DRAM芯片销售额环比增长了35%，第二季度环比增长了34%。iSuppli分析师迈克·霍华德发表声明称，这些数字表明DRAM市场确实在复苏中，价格的持续增长是DRAM内存芯片走出低迷的又一个迹象。
iSuppli表示，过去两个季度终结了DRAM内存芯片销
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内存芯片 DRAM
韩国海力士半导体预估，动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲，并指出合约价格可能在11月进一步扬升，12月时趋稳。
海力士公司主管在投资人电话会议中称，由于产业供应增长有限，2010年料出现DRAM短缺。
他们表示，低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
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海力士 DRAM DDR3
研究机构iSuppli表示，第2、第3季DRAM销售额与价格连续增长的幅度，至少创下5年来之最。该机构遂看好产业后市，2010年也将持续复苏。
据国外媒体报道，根据iSuppli初步预测，第3季全球DRAM销售额季增35%，第2季则增长34%;全球DRAM平均售价上涨21%，同样超越第2季增幅的19%。
iSuppli表示，就全年销售额来看，全球DRAM市场自2007年起连续衰退后，今年虽有第2、第3季的支撑，但由于首季表现太差，2009全年仍将下滑12.9%。
2007年全球DRA
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三星 DRAM
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 内存 存储
北卡罗莱纳州立大学的工程师声称已经开发出一种比人的指甲还要小的芯片，它可以加大目前DRAM内存芯片的容量50倍，理论上可以实现一个指甲大小的芯片寸1TB数据。
学校的材料科学与工程系教授Jagdish Narayan表示他通过添加镍、氧化镁，混合金属和陶瓷来完成了数据存储容量的改变，新的合金镍原子占用空间不到10平方纳米，最困难的挑战就是精确的纳米点和读取方式，目前通过使用脉冲层，研究人员就能够实现对过程的控制。
Jagdish Narayan认为，原型产品可在1-2年出现，而且价格并不比
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内存芯片 DRAM
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全数出货2Gb DDR3芯片，赶搭DDR3主流列车;华亚科则预计2010年第1季50纳米制程量产，2010年底旗下13万片12寸晶圆厂产能全转至50纳米制程，南亚科和华亚科2010年资本支出合计将达640亿元，主要用于50纳米制程。
南亚科和华亚科第3季营运表现明显好转，对于先
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南亚科 DRAM 50纳米 DDR3 68纳米
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