首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> ddr5 dram

ddr5 dram 文章 进入ddr5 dram技术社区

2009第二季全球DRAM产业营收涨幅高达27.1%

  •   根据集邦科技调查统计,2009年第二季,DRAM合约价在减产效应持续发酵,计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下,第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下,供给吃紧,DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在五月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬,传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场,而使六月现货价格维持在1.05至1.19间盘整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 现货季均价上涨27%,约1.12美元。   第二季
  • 关键字: Elpida  DRAM  DDR2  

尔必达的DDR3 DRAM产量将提高一倍以上

  •   日本尔必达存储公司称,计划下月将把用于高速计算机和服务器的高级DRAM 芯片产量提高一倍多。此消息一出,周一该公司股价被推高。   尔必达表示,从9月开始,将把DDR3芯片的产量从现在的月产20000-30000片提高到每月75000片。   DDR3 芯片的现货价格大约在2.10美元,比5月时的价格上涨了约30%,这促使尔必达及其竞争对手三星电子有限公司和海力士半导体公司将重心更多地转移到这种新型芯片上。今年第二季度期间,韩国包括三星电子和海力士在内的芯片企业在全球半导体市场上占有的份额超过60
  • 关键字: 尔必达  DRAM  DDR3  

华亚科完成百亿元募资 加速转进50纳米制程

  •   DRAM大厂华亚科日前办理的海外存托凭证案(GDR)原本价格订为新台币14.5元,预期募集资金116亿元,然近期股价受惠DRAM产业回春和DRAM价格反弹,因此一路上涨,最后完成定价,订为每股约16.02元,与日前收盘价相较,则是折价约10%,预计可募得102.5亿元资金,加速华亚科下半年将12寸晶圆厂到入50纳米制程。   科技大厂法说会起跑,2009年DRAM产业由华亚科和南亚科打头阵举办,将于本周登场,也是华亚科已公布第2季的营运数字,亏损缩小至41亿元,南亚科估计亏损也将较第1季大幅减少,约
  • 关键字: DRAM  50纳米  DDR3  

获利泉源在创新价值 而不是降低成本

  •   2008年底时,三星共有8万4,000多名员工,LG则有2万8,000多名员工,令人惊讶的是,三星员工2008年的平均薪资达4万8,000多美元,而LG电子更高达5万1,000美元,尽管景气欠佳LG Display也发出了3万5,000多美元的平均薪资。这个数字对台湾厂商而言,恐怕是可望不可及的数字。   从1990年代起,南韩业界、舆论界便不断讨论「价值、成本」孰轻孰重的议题。南韩业界没有选择以海外生产、降低成本做为企业的核心战略,而是选择以品牌营销、核心技术、经济规模做为市场竞争的利器。如今,英
  • 关键字: 三星  DRAM  WiMAX  Netbook  

对4Q景气有疑虑 零组件业者全面重启产能意愿低

  •   由于对第4季的消费市场实际情况仍无法有效掌握,因此即便是品牌与系统业者纷纷看好2009年下半的旺季效应,但是零组件业者对于是否应该继续提升产能,仍抱持有些许的疑虑,虽然在电池、机壳部分目前都没有缺料的问题;但是据市场业者表示,面板、信息用光驱(ODD)以及DRAM等关键零组件缺料较为严重,预估仍将存有10%的供应落差。   虽然对于2009年下半市场发展,不论是计算机品牌业者或是系统厂商多半都认为将会是进入传统旺季的成长局面。但是由于2008年下半之后,受到景气冲击的影响,整体的经济模式已经不太能适
  • 关键字: 电池  DRAM  NB  

iSuppli把DRAM市场状况评级调升至“正面”

  •   在DDR3内存供应短缺并导致价格上涨之际,iSuppli公司日前把DRAM供应商的近期形势评级调升到了“正面”。   自从2008年9月以来,iSuppli公司一直维持对DRAM市场的“负面”评级,两周前才调高至“中性”。   “DRAM市场近三年来一直处於供应过剩状态,局面改善令人高兴,”iSuppli公司的首席分析师Nam Hyung Kim表示,“供应过剩对於全球DRAM产业是一大灾难
  • 关键字: 内存  DRAM  DDR3  

存储芯片市场前景令人堪忧

  •   去年,一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域,存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示,由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑,该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%,并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。   存储芯片市场阴霾的表现,迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布,将
  • 关键字: 三星  DRAM  存储芯片  MRAM  PRAM  

台芯片厂力晶获日月光4.5亿贷款用来还债

  •   7月28日消息,据台湾媒体报道,DRAM厂商力晶新获大客户日月光4.5亿贷款,用来偿还即将到期的公司债。   消息传来,不但激励股价涨停,从28日开始还将取消力晶全额交割限制,恢复普通交易。   力晶从日月光贷款4.5亿的代价就是力晶将抵押子公司瑞晶的股权。   月初,金士顿以及力成已向力晶援手40亿。尽管好消息不断,力晶依旧相当低调,因为半年报一公布还是相当难看,预估力晶上半年将亏损70亿,加上南科、茂德以及华亚科预估整体DRAM业,上半年亏损将达到350亿元。
  • 关键字: 力晶  DRAM  

海力士第二季净亏4100万美元 已连亏7个季度

  • 据国外媒体报道,全球第二大计算机内存芯片制造商海力士半导体近日表示该公司第二季度净亏损4100万美元。这也是海力士连续第七个季度亏损。 第二季度,海力士净亏损为507亿韩元(4100万美元),去年同期净亏损为7078亿韩元。根据彭博社新闻对13位分析师的调查,市场原预期海力士第二季度能录得490亿韩元的净利润。 海力士营运亏损同比扩大21%至2212亿韩元,高于去年同期1834亿韩元的营运亏损水平。根据彭博社的调查,市场原预期海力士第二季度营运亏损为1900亿韩元。 海力士在声明中表示:&ldquo
  • 关键字: 海力士  DRAM  内存芯片  

台DRAM整并原地踏步半年 谁要负责?

  •   台“经济部”日前宣布“DRAM产业再造方案”,即日起以三个月为期受理申请政府参与投资。令人关注的是,原先受经济部相中、赋予产业重整重责大任的“真命天子”TMC公司,如今已经贬为“庶人”,须与其它DRAM制造厂平起平坐竞逐国家资金。业者指出,此举形同宣告原先的DRAM整并计划破局,一切都回归原点。事情发展到今天这样的局面,容我们直言,马政府中必须要有人负起政治责任。   在三周之前,媒体报导日本政府已经决定
  • 关键字: TMC  DRAM  

茂德与海力士拆伙 拟与TMC合作

  •   据台湾媒体报道,台湾DRAM厂茂德科技董事会日前决议,与合作伙伴韩国海力士半导体 (Hynix)签订停止合作协议书。茂德表示,未来将转与台湾内存公司(TMC)等合作。   茂德甫于去年5月与海力士签署策略联盟合约,不仅延续双方既有的技术合作伙伴关系,海力士将技转50纳米世代堆叠式DRAM制程技术给茂德;海力士还斥资新台币34.56亿元,取得5.76亿股茂德私募增资股。   此外,海力士资深副总裁Min Goo Choi也于今年茂德股东常会董监事改选中,顺利当选董事。   只是在茂德制程技术尚未推
  • 关键字: 海力士  DRAM  50纳米  

台塑绝地大反攻 拉拢英特尔入股华亚科

  •   台塑集团布局DRAM产业更趋积极,除集团挹注资金、争取国发基金投资,近期传出华亚科有意让英特尔(Intel)投资入股,打算藉由办理海外存托凭证(GDR)或私募时进行,目前整起投资案正由外资机构评估中。存储器业者透露,华亚科拟引进英特尔投资,主要关键系说服英特尔藉由这次支持DRAM产业动作,阻止三星电子(Samsung Electronics)在全球存储器市场坐大,甚至威胁英特尔在半导体产业地位。   存储器业者透露,华亚科拟以GDR或私募方式引进英特尔资金,除争取资金挹注,另一个重要原因,就是希望藉
  • 关键字: TMC  DRAM  NAND  

PC市场回暖 7月DRAM内存价格上涨10%

  •   随着全球PC厂商准备应对返校季节和圣诞节的销售,DRAM计算机内存价格正在上涨。由于微软Windows 7操作系统即将推出,内存价格上涨将超过人们的预期。   Windows 7将在10月22日推出的消息令人们兴奋不已。主要原因是Windows 7到目前为止的测试结果赢得了好评,引起了Windows 7最终将把Windows XP用户吸引过来的希望。Windows XP在市场上占统治地位已经有8年时间了。Windows 7还为PC应用一些新功能铺平了道路。这种情况也会推动销售。   据DRAMeX
  • 关键字: 三星  DRAM  内存芯片  

三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

  •   7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。   据悉,继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后,该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间,极大地提高了生产效率和成本竞争力。   三星电子表示,新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50
  • 关键字: 三星  40纳米  Dram  

三星电子增加下半年在半导体业务投资

  •   电子行业报纸ETnews周五报导称,预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。   该报未指明消息来源称,三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。   三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称,三星预计下半年投资“略高于”上半年。   该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模,或是迄今的已投资额。   ETnews报称,芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术,比如采用40纳米制程生产DRAM和
  • 关键字: 三星  DRAM  30纳米  NAND  
共1929条 109/129 |‹ « 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 » ›|

ddr5 dram介绍

您好,目前还没有人创建词条ddr5 dram!
欢迎您创建该词条,阐述对ddr5 dram的理解,并与今后在此搜索ddr5 dram的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473