- 耶鲁大学的研究人员和Semiconductor Research Corp (SRC)称利用铁电材料制作存储器来代替DRAM和闪存非常合适。目前DRAM技术必须每几个毫秒就刷新一下，而铁电存储器可以持续几分钟而无需刷新。
耶鲁大学和SRC的研究人员制成了一种用于FeDRAM的铁电晶体管实验样品，该FeDRAM保存信息的时间比DRAM长1000倍，而功耗仅为DRAM的1/20，而且尺寸可以缩至ITRS上的最先进节点。
“我们的存储器的速度至少和DRAM一样快，但尺寸和闪存一样小，
- 关键字：
存储器 DRAM 闪存 FeDRAM
- SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
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内存芯片 CMOS FeDRAM
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