- 三星破天荒公布第二季获利预估，优于市场预期，业界认为作多意味浓厚，三星主要业务涵盖面板、手机、半导体晶片等三大领域，以现况来看，面板需求畅旺无虞，但半导体芯片，尤其是DRAM与NAND Flash两大存储领域，则仍有观察空间。
近来包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等岛内外大厂，纷纷看好下半年DRAM价格走势，为市场信心吞下一颗定心丸。
但业界忧心，三星第二季整体获利超乎市场预期，在记忆体价格仍未见明显起色下，是否会以其他部门的获利，来弥补存储事业亏损，进而持续以&
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三星 DRAM 存储器
- 半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此，既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。
本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的螺旋式发展史事，探讨主流半导体技术的发展哲理，供大家参考讨论。
发展历程
根据IC Knowledge 的归纳[1]，可以把集成电路(IC)的发展历程划分为四个阶段：
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集成电路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
- 全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。
按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。
在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。
究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存储器
- 日本经济产业省日前依据“产业再生法”，决定透过该国政策投资银行(DBJ)，对DRAM大厂尔必达投资300亿日圆，DBJ并将与日本民间四大银行连手提供超过1,000亿日圆融资，协助尔必达度过难关。日本经济产业大臣二阶俊博在记者会上表示，“尔必达的经营若出状况，将对日本电子产业造成极大影响，因此政府决定提供金援”。
看到这则新闻，让人不无感慨。马英九去年12月4日曾告诉外籍记者：“台湾DRAM厂倒了，我们的IT产业就糟糕了。”他
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TMC DRAM 手机
- 市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。
原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零售价开始利润有所好转。
由于供应商担心是持久力问题,加上英特尔美光联盟推出34纳米芯片,贸易中间商为了促销给出更大的折扣,导致同样在零售市场也看到与DRAM相似情况，近期DRAM合同价格趋势在零售价基础上有点小的波动。虽然6月下半月无论DDR2及DDR3的价
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英特尔 DRAM NAND 34纳米
- 战国时代群雄割据，秦始皇一统天下，成就了后来的西汉盛世。如今的台湾DRAM产业，也面临群雄割据与经营艰辛的困境，到了需要有人出面主导整合再造的时机，因此像台湾内存公司(TMC)这种角色的存在，确有其必要性。
然而，当前DRAM业若要整合，并非光比谁的技术强，最重要的还是钱，尤其在价格萎靡不振，各厂都面临资金庞大压力时，「钱是英雄胆」才是王道哲学。
就目前台湾两大DRAM阵营来看，美光有台塑集团撑腰，尔必达也将陆续获得日方巨额金援，各有其利基之处，两强之间的争霸，势必还有一番厮杀。TMC出面
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TMC DRAM 内存
- 2009年6月24日，恒忆(Numonyx)与三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布将共同开发制定相变存储器(Phase Change Memory，PCM)产品的市场规格，两大存储器厂商的携手再次印证了“商场上没有永远的对手”。
韩国三星电子称霸存储器行业已有多时，其DRAM市场近30%、闪存市场近40%的份额长期无可撼动。而恒忆作为存储器行业的新宠，其正式成立距今不过一年左右的时间。它的主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM，并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
- 南亚科努力进行营运转型，如期在6月底之前达成减资和增资的动作。日前办理10亿股的私募，正式以每股私募价格新台币12.22元的定价，取得122.2亿元的资金，认购人包括南亚塑料、台湾化学纤维、台湾塑料、台塑石化、麦寮汽电和长庚医疗财团法人，全数由母公司相关企业力挺到底，成为台湾第1家获得营运资金的DRAM厂，南亚科表示，三厂(Fab3)要尽快转入50奈米的堆叠式技术制程，降低成本结构。
台塑集团对外宣示不加入TMC以来，以实际行动力挺自家DRAM厂进行营运体质强化运动，并挹注新的营运资金，使得旗下
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南亚 DRAM 50纳米 DDR3
- 台湾DRAM芯片制造大厂——力晶半导体上周五表示，今年资本支出将远低于50亿台币，较去年10月时的预估减少一半以上。
力晶副总经理谭仲民在年度股东大会场边向路透表示，由于制造已升级至65纳米，基本上以现有制程生产即可，因此资本支出也就大幅下降。
力晶在去年10月的投资人说明会中曾表示，今年资本支出目标为100亿台币。力晶自2007年第二季至今年第一季已连亏损八个季度。
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力晶 DRAM 65纳米
- 据《日本经济新闻》网站最新消息，为了确保日本在最先进的半导体产业领域的国际竞争力，未来3年内，日本政府和民间将总共为半导体巨头尔必达(Elpida)提供2000亿日元(约合21亿美元)融资。
报道说，为了帮助尔必达进行企业重建，除了日本政策投资银行和大型商业银行，国际协力银行也将提供紧急融资。此外，日本官方与民间共同组建的基金——“产业革新机构”也将向其提供资助。
尔必达是日本最大DRAM生产商。报道说，2000亿日元的融资将在未来3年内帮助
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尔必达 DRAM
- 茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技术开发的疑虑。
存储器业者透露，茂德与海力士2008年底达成共识，将技转54纳米制程DRAM技术，但转换至5
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茂德 DRAM 65纳米
- 据国外媒体报道，美国科技巨头IBM的研究人员、DRAM内存芯片技术发明人罗伯特·登纳德(Robert Dennard )将于下周四获得美国电气和电子工程师协会(IEEE)颁发的荣誉勋章。
DRAM内存芯片技术发明人罗伯特·登纳德
与“摩尔定律”(Moore's Law)提出者、英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)相比，今年76岁的登纳德并不太为全球公众所熟悉。但在全球技术研发领域
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IBM DRAM 摩尔定律
- 继韩国海力士十二英寸封装测试项目落户无锡，其在无锡的销售中心日前也正式签约。海力士无锡工厂新任董事权五哲日前透露，十二英寸后工序项目明年初将建设完毕，届时，该集团将真正实现在无锡的一体化生产，成为中国最大的半导体生产基地。
海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在全球半导体公司中名列前茅。无锡工厂是其在海外唯一的生产基地，承担了韩国总部百分之五十的DRAM生产量，占全世界DRAM市场的百分之十。
权五哲称，金融危机下，国际内存需求量逆势上升，该公司目前内存价格较年初已上涨二倍。明年实现
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海力士 DRAM 封装测试 DDR3
- 台湾存储芯片生产商茂德科技董事长陈民良周二表示，公司正与数家企业就开展战略合作生产芯片事宜进行谈判。
陈民良在年度大会上向公司股东表示，茂德科技将利用其台中的工厂生产DRAM芯片。
该公司还将打算利用其新竹的芯片厂生产非主流DRAM产品和非DRAM芯片。
由于存储芯片行业供应过剩及全球经济滑坡导致的需求下滑，茂德科技此前八个季度连续亏损，导致公司现金紧张，举步维艰。
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茂德 DRAM 存储芯片
ddr5 dram介绍
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