茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技术开发的疑虑。
存储器业者透露，茂德与海力士2008年底达成共识，将技转54纳米制程DRAM技术，但转换至5
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茂德 DRAM 65纳米
德国总理默克尔15日在柏林的一次演讲中暗示，政府可能对本国半导体企业提供财政资助，以帮助这些企业更好地与美国公司竞争。
默克尔在演讲中比较了德国英飞凌、奇梦达与美国英特尔的情况，并认为英特尔获得了美国政府经济刺激计划的慷慨支持。她表示，对欧洲仅剩的几家半导体生产商，政府可能需要对其提供资助。
数据显示，受经济衰退影响，DRAM价格过去一年下跌58%。德国半导体企业深受打击，奇梦达已经于今年1月23日申请破产保护。
据悉，由于德国9月27日将迎来全国大选，总理默克尔和其挑战者副总理兼外
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英飞凌 DRAM 半导体
中国台湾存储芯片生产商茂德科技董事长陈民良周二表示，公司正与数家企业就开展战略合作生产芯片事宜进行谈判。
陈民良在年度大会上向公司股东表示，茂德科技将利用其台中的工厂生产DRAM芯片。
该公司还将打算利用其新竹的芯片厂生产非主流DRAM产品和非DRAM芯片。
由于存储芯片行业供应过剩及全球经济滑坡导致的需求下滑，茂德科技此前八个季度连续亏损，导致公司现金紧张，举步维艰。
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茂德 DRAM 存储芯片
过去一向扮演DRAM市场领头羊的三星电子(Samsung Electronics)，在近期这波合约价上涨过程中，却表现异常的沈默，存储器业者表示，三星不仅不愿意跟进调涨，甚至业界不断传出三星有意不让1Gb容量DDR2价格上涨超过1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想让原本奄奄一息的台厂，再度有喘息机会，加上DRAM产业前景仍不明确，终端需求回笼迹象还不明显，但却已传出多家DRAM厂开始低调增加投片量，希望能赶上2009年下半PC市场传统旺季，这不仅让整体DRAM市场弥漫著相当诡异气氛，亦让台DRAM厂对
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三星 DRAM 晶圆 DDR2
据港台媒体报道，美国国家标准和技术研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在进行软性忆阻器 (Flexible memristor) 的开发研究，希望能为内存科技打开新的大门。这项技术虽然相当创新，但其实去年已经先由惠普对外展示它灵活的形式，让外界为之惊艳。
根据《CENT》报导，NIST 表示目前忆阻器 (memristor) 是以防晒乳与牙膏的原料─二氧化钛制造而成，是种轻薄又灵活的透明聚合物。NIS
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惠普 DRAM 内存 软性忆阻器
《山寨科技创了什么新》一文(本刊5月5日号总第267期)发表以后，读者的热情反应与分歧的意见，让远在大洋彼岸的我始料未及。在本文中，我试图再次整理山寨中的创新因素，让居庙堂之高者明白，创新不必非来自于高高在上的微软、诺基亚或者默克，也不必像当年搞“两弹一星”那样举全国之力倾斜投入，关键在于利用市场全球化、技术开放化的强大推手，在国际价值产业链上配置资源。
中国要走的自主知识产权的创新道路上，山寨科技的摸索已经为我们探明了前进的路径：
研发模式：蚂蚁雄兵的模块化开发强
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TI DRAM 手机
台湾“经济部”部长尹启铭周六表示，将由政府主导出资成立的台湾记忆体公司(TMC)，将获日本政府投资，但他不愿透露金额及其他细节。分析师解读，台湾及日本有此意外之举，应是希望藉此联合起来，与全球龙头——韩国三星抗衡。
对于日本政府有意投资TMC的最新进展，富邦投顾研究部协理李克扬分析，“对两边的产业界都有好处。现在就是大家一起在想办法，希望这次可以一起活下来，或是最少保持跟得上三星的竞争力。”
李克扬表示，日本政府应该亦
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TMC DRAM
NAND Flash经历2个月价格狂飙后，近期市场买气一夕转淡，记忆体模组厂纷因库存急增，开始出现惊慌失措。模组厂表示，3、4月NAND Flash涨价时，通路商一度担心会缺货，因而囤积不少库存，然5月NAND Flash市场却出乎意外地很快冷却下来，由于消费者需求不振，导致中间通路商手上库存整个塞住，并造成16Gb产品现货价跌破4美元心理关卡，合约价涨势亦熄火，模组厂5月同时面临NAND Flash和DRAM需求不振，恐将反应在营收表现上。
模组厂表示，2009年第1季NAND Flash市场
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苹果 DRAM NAND
据台湾媒体报道，日前由于科技产业景气有所回暖，继台积电决召回被裁员的员工后，台湾地区DRAM厂商力晶已宣布，即日起员工无薪假由原来的8天减为4天。
据悉，此前力晶员工的无薪假期为1周休2天，1个月无薪假期为8天，相当于减薪20%至30%。
此外，台积电、联电及旺宏，在4月就全面取消无薪休假，但其他产能不足的厂商仍然在实施无薪假。(舟舟)
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力晶 DRAM
存储器芯片产业景气在历经两年来的大滑坡之後，看来似乎已经落底，但未来恐难重拾昔日科技业金鸡母的丰采。
更惨的是，部分分析师认为近期存储器芯片价格上涨，让迫切需要进行的产业重整工作受阻，使得产业仍呈现过度拥挤状态，易于受到周期性景气荣枯的冲击。
“除了产业龙头三星电子之外，其他动态随机存取存储器(DRAM)业者都必需想出对策以保留现金及继续存活。”富邦投顾研究部协理李克扬表示。
长期来看，部分业者很难独自走出活路。
台湾政府今年稍早成立台湾存储器公司(TM
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三星 DRAM 存储器
根据《埃达荷政治家报》网站报导，DRAM大厂Micron Technology正对外寻求资金以扩展 LED制造业务，且同时考虑生产太阳能板。
美国埃达荷州政府看好Micron的未来表现，亦积极向美国能源部申请，由该州能源资源局拨款500万美元。
由于DRAM业务亏损连连，Micron索性裁员并关闭部份产线，连闪存部门也分拆出去与 Intel(英特尔) 共组合资企业IM Flash Technologies LLC。
有意改变营运重心的Micron，逐渐将眼光放在技术水准类似，获利却更
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Micron DRAM LED
海力士半导体公司(Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星电子株式会社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布组成一个行业联盟，推广串行端口内存技术(SPMT?)在市场的应用，努力使之成为行业标准。作为首个针对动态随机存储器(DRAM)的内存规范，SPMT将首先把目光对准手机市场，推动产生能够运行数据高度密集的富媒体应用、同时电池寿命更长的新一代移动设备。
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Hynix DRAM 串行端口
据市场研究公司Gartner本周一发表的初步统计数字显示，全球DRAM内存行业今年第一季度继续萎缩，销售收入下降到了8年以来的最低的并且继续增加亏损。
Gartner称，今年第一季度全球DRAM内存行业的销售收入是35.7亿美元，同比下降了41%，是2001年第四季度以来销售收入最低的。第一季度的数字还显示比去年第四季度43.8亿美元的销售收入减少了18%。
DRAM内存行业的下降是从两年前开始的，过多地建设工厂导致了内存芯片过剩。全球经济衰退减少了内存芯片向PC的销售进一步损害了DRAM
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三星 DRAM 内存
DRAM产业的春天逐渐来临，台系DRAM厂包括力晶、南亚科、华亚科等将逐渐缩短员工无薪假，力晶从5月底开始，无薪假由塬本8天缩短为4天;南亚科除12吋厂因转换制程之故，部分生产线人员未能如期归队，内部评估将提早结束这波无薪假;华亚科亦表示，已减少休无薪假的员工数和天数，逐渐增加12吋厂投片量。显示近期DRAM价格上扬，对于摇摇欲坠的DRAM产业果然是一帖特效药!
随着晶圆代工、面板厂纷取消无薪假，这次终于轮到DRAM厂，力晶、南亚科、华亚科都将陆续缩短无薪假的天数，将大部分员工召回公司上班，目前
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力晶 DRAM
韩国电子公司三星宣布，预估今年DRAM出货量将增长10-15%，而NAND闪存出货则估计上涨25-30%。
三星高层曾在 4月表示，预估广泛用于个人电脑的DRAM芯片，在今(2009)年出货量将有10%-15%的增长，由去年10月的预估值降下来。
在互联网上公开的简报文件显示，三星也预期专用于消费性电子设备的NAND，今年出货将增长25-30%。
三星近两年来经历了严酷的低迷时期，而在大量减产调整库存后，今年经济情况才开始有起色。
尽管三星对于生产过剩的风险相当谨慎，分析师却对
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三星 DRAM
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