英特尔与 VLSI 的专利拉锯战仍在继续。据路透社报道,美国一家上诉法院本周重新受理了VLSI 科技公司对英特尔的专利诉讼。该裁决推翻了此前 “不构成侵权” 的认定,并将争端发回陪审团审理,进一步延长了两家公司之间数十亿美元的法律缠斗。美国联邦巡回上诉法院撤销了加州北区联邦地方法院贝丝・弗里曼法官在2024 年作出的判决。该判决曾认定,英特尔处理器未侵犯 VLSI 所持有的8,566,836 号专利;该专利涉及一种在多核 CPU 中测量最高频率,并据此分配核心任务的方法。上诉合议庭认为,此案不适合简易判决
关键字:
英特尔
专利侵权诉讼
VLSI
在超大规模集成电路(VLSI)设计中,时钟域交叉过程必然会出现亚稳态现象。要实现鲁棒且高可靠性的电路设计,必须对亚稳态进行抑制。想要掌握亚稳态的解决方法,以及如何设计满足指标要求的同步器,我们需要明确其产生原因、影响因素,以及降低其发生概率的方式。亚稳态与触发器同步器为了更深入理解时序元件进入亚稳态的过程,以及亚稳态的消解时长,可参考图 1。图 1:典型的主从锁存器触发器电路图 1 为典型的主从锁存器触发器电路,由主锁存器和从锁存器组成,每个锁存器均包含两个级联的反相器。在正常且正确的工作状态下,时钟为低
关键字:
VLSI
时钟域交叉
亚稳态
触发器
同步器
晶圆到晶圆混合键合和背面技术的进步将CMOS 2.0从概念变为现实,为计算系统扩展提供了更多选择。在VLSI 2025 上,imec 研究人员展示了将晶圆间混合键合路线图扩展到250 nm 互连间距的可行性。他们还通过制造120 nm 间距的极小的贯穿介电通孔,在晶圆背面显示出高度致密的连接。在晶圆两侧建立如此高密度连接的能力为开发基于CMOS 2.0 的计算系统架构提供了一个里程碑,该架构依赖于片上系统内功能层的堆叠。基于CMOS 2.0 的系统还将利用包括供电网络(BSPDN)在内的后端互连,其优势可
关键字:
202510
晶圆连接
VLSI 2025
imec
SK海力士公司今天宣布,在日本京都举行的20251年IEEE VLSI研讨会上,该公司提出了未来30年的DRAM新技术路线图和可持续创新的方向。SK海力士首席技术官(CTO)车善勇于6月10日发表了题为“推动DRAM技术创新:迈向可持续未来”的全体会议。首席技术官 Cha 在演讲中解释说,通过当前的技术平台扩展来提高性能和容量变得越来越困难。“为了克服这些限制,SK海力士将在结构、材料和组件方面进行创新,将4F² VG(垂直门)平台和3D DRAM技术应用于10纳米级或以下的技术。4F² VG平台是下一代
关键字:
SK海力士
IEEE
VLSI 2025
DRAM
4 月 21 日消息,2025 年超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都举行,这是半导体领域的顶级国际会议。VLSI 官方今日发布预览文档,简要介绍了一系列将于 VLSI 研讨会上公布的论文,例如 Intel 18A 工艺技术细节。相较于 Intel 3 制程,Intel 18A 节点在性能、能耗及面积(PPA)指标上均实现显著提升,将为消费级客户端产品与数据中心产品带来实质性提升。英特尔声称,在相同电压(1.1V)和复杂度条件下,I
关键字:
英特尔
2025 VLSI
18A 制程技术
众所周知,为了使晶体管更小,人们做了大量工作。然而,仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作,以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单,只有几个逻辑门(包含两到四个晶体管),也可能是包含成千上万个晶体管的更大系统。相反,这些系统需要满足各种工作条件下的速度/延迟和功率要求。众所周知,为了使晶体管更小,人们做了大量工作。然而,仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作,以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单,只有几个逻辑门(包含两到四个晶体管),也可能是包含成千上万个
关键字:
VLSI
IT之家 11 月 20 日消息,相对于 IEEE 国际研讨会,在半导体和集成电路领域还有着三大盛会的存在,他们分别是:ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,国际固态电路会议)、IEDM(International Electron Devices Meeting,国际电子器件会议)、VLSI(Symposium on VLSI Technology and Circuits,超大规模集成电路技术和电路研讨会)。这三大会议,并称集
关键字:
ISSCC
IEDM
VLSI
IEEE
引 言JPEG 2000是为了弥补JPEG的不足而提出的新一代静止图像压缩国际标准。其目标是对多种类型的静止图像实现高效压缩,并要求压缩码流具有较好
关键字:
JPEG
2000
VLSI
标准
中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)宣布,中微在VLSIresearch(美国领先的半导体行业市场研究公司,以下简称“VLSI”)举办的2018年度客户满意度调查(简称“CSS”)中荣登上榜,在多项排名中位居前列。VLSI从1988年开始每年都会举办这项客户满意度调查,这是业内唯一一项能让不同地区的客户对它们全球的半导体设备和子系统的供应商进行匿名反馈的调查。上榜企业名单中有来自美国、欧洲、亚洲和以色列的企业,中微是其中唯一一家中国本土的半导体设备公司。 中微在芯片制造设备专业型供应商
关键字:
中微,VLSI
IBM昨天联合三星、Globalfoundries宣布了全球首个5nm半导体工艺,性能提升40%,功耗降低75%。IBM这则消息就是在VLSI大规模集成电路会议上宣布的,这也是国际级的半导体会议。这次会议也暴露了我们在半导体制造技术依然没有什么存在感,虽然总计提交了18篇论文,但入选的只有1篇,仅占全部入选论文的1/64,远远低于美国、日本、欧洲、韩国、新加坡及台湾地区。
2017年的VLSI国际会议是在日本东京举行的,昨天正式开幕,会期8天,全球领先的半导体技术公司、科研机构汇聚一堂讨论未来技
关键字:
VLSI
工艺
正电子发射断层成像系统(PET)前端读出电路是数模混合信号超大规模集成电路芯片.针对多通道高性能PET专用集成电路芯片的特点,采用JTAG控制器对该芯片进行初始控制和辅助测试.采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计实现了一个可扩展的JTAG控制器IP核,支持14组可扩展控制信号和16个多位寄存器扫描链的读/写操作,并配备定制的底层驱动
关键字:
VLSI
JTAG
PET成像系统
近年来,锂离子电池以其能量密度高、自放电率低、单节电池电压高等优点,获得了广泛应用,相应的电池管理芯片研究也在不断地完善与发展。其中,为了尽可能保证电池使用的安全性并且延长电池的使用寿命,电池管理芯片的功能及低功耗研究显得更为迫切和必要。
关键字:
混合信号电路
VLSI
RTL编码
近年来,锂离子电池以其能量密度高、自放电率低、单节电池电压高等优点,获得了广泛应用,相应的电池管理芯片研究也在不断地完善与发展。其中,为了尽可能保证电池使用的安全性并且延长电池的使用寿命,电池管理芯片的功能及低功耗研究显得更为迫切和必要。
关键字:
锂离子电池管理芯片
Top-Down低功耗设计
VLSI
SOC技术是当前大规模集成电路(VLSI)的发展趋势,也是世纪集成电路技术的主流,其为集成电路产业和集成电路应用技术提供了前所未有的广阔市场和难得的发展机遇。SOC为微电子应用产品研究、开发和生产提供了新型的优秀的技术方法和工具,也是解决电子产品开发中的及时上市(TTM——Time to Market)的主要技术与方法。
关键字:
SoC
集成开发环境
VLSI
嵌入式系统
处理器
最近,超大规模集成(VLSI)技术的发展扩宽了数字控制应用范围,尤其是在电源电子元件方面的应用。数字控制IC具有多种优势,比如裸片尺寸更小、无源元件数量更少、成本更低。 另外,数字控制可利用电源管理总线(PMBus)来完成系统配置;高级控制算法能改善性能;可编程性则可实现应用优化。 随着数字电源管理的进一步普及并代替大量模拟控制器,它必须保持现有功能的向后兼容性,从而使数字电源模块和模拟电源模块均可在同一个系统中工作。 模拟电源模块中一般使用输出电压调整,这样最终用户可以通过外部电阻更改
关键字:
数字电源控制器
VLSI
在经济部技术处支持下,由工研院主办的半导体界盛会─国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会(VLSI-TSA)及设计、自动化暨测试研讨会(VLSI-DAT),4月25日开幕。大会讨论主题聚焦在目前最热门的物联网、5G、超越摩尔定律(More than Moore’s Law)、无人机等相关技术产业发展现况与未来趋势。
另外,ERSO Award是国内高科技界的崇高荣誉,今年度由网路家庭董事长暨创办人詹宏志、亿光电子董事长叶寅夫、联发科技副董事长暨总经理谢清江及新日光董事长林坤禧同获此
关键字:
摩尔定律
VLSI
智能仪器的出现,极大地扩充了传统仪器的应用范围。智能仪器凭借其体积小、功能强、功耗低等优势,迅速地在家用...
关键字:
智能仪器
微型化
VLSI
数字信号测试作为VLSI芯片测试的基础,已经是一项应用十分广泛的技术。各个EDA供应商、ATE供应商都有着十分成熟的解决方案,包括功能测试仿真向量的产生,转换和实际测试操作,以及芯片的AC/DC参数测试。作为高速信号
关键字:
VLSI
芯片
数字信号
测试
ADPCM算法及其编解码器原理 ADPCM(Adaptive Differential Pulse Code Modulation,自适应差分脉冲编码调制)综合了APCM的自适应特性和DPCM系统的差分特性,是一种性能较好的波形编码。它的核心思想是:利用自适应改
关键字:
芯片
设计
方法
VLSI
解码
ADPCM
语音
基于
一个由印度政府成立的“权责委员会”(Empowered Committee)正努力推动印度进军晶片制造领域,该机构日前筹备了一支广告,向潜在的技术供应商和投资料发出了在印度设立半导体晶圆厂意向书的邀请。
关键字:
晶圆
VLSI
电子消费市场适度增长
当前世界电子市场最俏销的电子产品当属电视、电脑和手机,代表产品就是LCD平板电视、iPad和智能手机。据市场调研公司VLSI最近发表的报告,在它们的带领下,2011年的世界电子市场,将在2010年增长13%的基础上续增7.8%,达1.74万亿美元,且预期2012年将再增8.2%,达到1.89万亿美元。相比同期半导体市场的激烈震荡,更显稳好(表1),前景可待。
记得上世纪80年代即有一种说法:80年代是电子时代,90年代是光时代,21世纪是生物时代。实际预测往往过于乐观
关键字:
智能手机
VLSI
ADPCM算法及其编解码器原理 ADPCM(Adaptive Differential Pulse Code Modulation,自适应差分脉冲编码调制)综合了APCM的自适应特性和DPCM系统的差分特性,是一种性能较好的波形编码。它的核心思想是:利用自适
关键字:
设计
方法
芯片
VLSI
语音
解码
ADPCM
随着超大规模集成电路(VeryLargeScaleIntegrationVLSI)工艺技术的发展,芯片的规模越来越大,集成规模...
关键字:
FPGA
IP核
SCI接口电路
VLSI
VLSI认为由于市场需求上升,而提升今年的IC预测, 但是公司也表示已经看到一些需要重视的问题。
VLSI的总裁Dan Hutcheson说,尽管提升今年IC预测,但是非常可能市场己经出现过热的迹象。
VLSI认为与2009年相比今年全球IC销售额可达2315亿美元, 增长21,9%。上个月公司的预测还认为与2009年相比增长17%,而09年下降8,4%。
对于半导体设备市场今年有望达到332亿美元, 比09年增长42,5%,而09年IC设备市场下降了43,1%。
按VLSI的
关键字:
VLSI
半导体设备
据市场研究公司VLSI Research的分析,尽管有报道称部分芯片制造商的库存正在增加,但目前芯片库存量依然处于历史低水位。
据VLSI Research 9月的分析数据,目前芯片库存量仅相当于一个月的出货量。如此低的库存出货比是上世纪80年代早期之后从未有过的。
“当芯片市场进入圣诞旺季,库存增长就不足为奇。”VLSI Research公司CEO G.Dan Hutcheson说道,“目前市场所报道的芯片短缺告诉我们第四季度供应链中的芯片库存不足。&
关键字:
VLSI
芯片制造
历史发展
自从1971年Intel公司研发出lKB的DRAM,距今已近40年,从此开创了DRAM的历史。DRAM不仅推进了电子技术的前进,而且对各国半导体业的发展也发挥了举足轻重、无可取代的巨大作用。
众所周知,进入上世纪80年代,随着大型计算机市场扩大,DRAM需求巨增。由于当时DRAM技术要求较低,其特点是量大面广,胜负在于大规模生产技术,而这正是日本公司的强项。因而尽管日本在LSI(大规模集成电路)DRAM时代还落后于美国两年,但在“官产学”举国一致的努力下,
关键字:
Intel
DRAM
VLSI
LSI
200910
引 言 JPEG 2000是为了弥补JPEG的不足而提出的新一代静止图像压缩国际标准。其目标是对多种类型的静止图像实现高效压缩,并要求压缩码流具有较好的抗误码性能,用户可对图像进行多种形式的累进传输,还可以对压
关键字:
JPEG
2000
VLSI
标准
为了提高JPEG2000图像压缩速度,提出一种基于提升算法的二维离散9/7小波变换(DWT)Mesh结构的VLSI设计方案,利用这种Mesh结构的VLSI能够实现并行处理一个图像的所有像素点。这种并行处理的Mesh结构可提高小波变换电路速度,以及图像压缩的速度。
关键字:
VLSI
二维
小波变换
引 言
DVD -ROM的视频和音频数据是经过加密编码的,加扰的源是标题密钥(Tittle Key),同时标题密钥被光盘密钥(光盘密钥)加密,主机在播放影碟的时候必须拿到这两个密钥才能顺利播放。在密钥从DVD驱动器传送到主机的过程中,为了保证数据传输通道的安全性,即保证光盘密钥和标题密钥能够被安全地传输,CSS建立了一道认证机制(AuthentICation Mechanism),通过总线密钥(BUSKEY)对光盘密钥和标题密钥进行加扰。由于能够有效地防止对DVD光盘的非法拷贝,CSS几乎被所有
关键字:
DVD -ROM VLSI
vlsi介绍
SSI 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuites),MSI 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuites), LSI 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuites),VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuites),ULSI [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473