- 最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度DRAM产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度在增大。。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
- 关键字：
Inotera DRAM
- 按SEMI的资深分析师Christian Dieseldorff报道，SEMI的全球Fab预测于2010年时全球Fab投资再增加64%，达240亿美元。
ICInsight的McClean认为，今年第三季度的全球产能利用率可达88%，接近去年金融危机之前的水平。它还认为2007年的产能利用率达90%，一直维持到去年的前三个季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1为最低水平是57%，到09 Q2由于OEM为补充库存而使产能利用率又回复到78%。
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Inotera 70纳米 沟槽式 DRAM
- 由于第三季度内存芯片价格看涨，因此台湾内存芯片厂商华亚(Inotera)，南亚(Naya)以及力晶半导体(PSC)公司最近纷纷进行制程转换并计划提高产能。此前，由于PC和ASP市场需求萎靡，因此这些芯片厂商曾一度减产自保。
力晶公司将员工的月无薪休假日数由8天减到了4天，而华亚和南亚则计划六月份开始禁止大部分员工无薪休假。
华亚称由于奇梦达的破产其出货量有所下降，不过自从与镁光达成供货协议后出货开始恢复。该公司预计五月份产量为8万片12英寸晶圆，而到第三季度，月产量将达9-10万片。相比第
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Inotera 晶圆 内存芯片
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