- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。
IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒，与同类SRAM相比待机功耗降低4倍，软错误率降低1000多倍，功耗也大大减少。
IBM希望将3
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IBM 32nm DRAM 动态存储器
动态存储器介绍
目录
1 定义
2 原理
3 类别和相关产品
4 优缺点：
5 应用领域
动态存储器-定义
原理图
在指定功能或应用软件之间共享的存储器。 如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如，日历、短信息 (Short Message Service，SMS)和电话簿 (或通讯录) 可能会共享移动设备中的动态存储 [
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