在行业下行周期时，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。当下DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。据外媒消息报道，行业专家认为三星、美光等公司正大力推动DDR5内存普及，以此遏制半导体市场下滑的趋势。公开资料显示，DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM规范，其性能比DDR4
DRAM高了一倍。据悉，为了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点，例如D1z或D1a
(D1α)代，这是1
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三星 美光 DDR5
集邦咨询预估第二季度 DDR5 Server DRAM（服务器内存）价格跌幅将收敛，由原预估 15%-20% 收敛至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
服务器新平台英特尔Sapphire Rapids与超威Genoa机种量产在即，但近期市场上传出服务器DDR5 RDIMM的电源管理IC匹配性问题。研调机构集邦科技（Trendforce）认为，该情况将产生两种影响，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重，另外内存将停留在旧制程，因此预估第二季DDR5服务器DRAM价格跌幅将收敛。 首先，由于仅MPS（芯源系统）供应的电源管理IC无状况，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次，目前原厂DDR5服务器DRAM生产仍停留在旧制程，短期内供给量难
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DDR5 服务器DRAM Trendforce
服务器新平台Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa机种量产在即，但近期市场上传出Server DDR5
RDIMM的PMIC匹配性问题，目前DRAM原厂与PMIC厂商均已着手处理。TrendForce集邦咨询认为，该情况将产生两种影响，首先，由于仅MPS（芯源系统）供应的PMIC无状况，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次，目前原厂DDR5
Server DRAM生产仍停留在旧制程，短期内供给量难免受此事件影响，故预估第二季DDR5 Server
DRAM
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Server DDR5 RDIMM PMIC
2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足
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SK海力士 堆叠HBM3 DRAM
据媒体报道，尽管消费性电子应用需求复苏缓慢，但华邦电总经理陈沛铭指出，第二季与客户洽谈合约价格已看到止稳迹象。华邦电是一家利基型存储器IC设计、制造与销售公司，其产品包括利基型存储器（Specialty DRAM）、行动存储器（Mobile DRAM）以及编码型闪存（Code Storage Flash Memory）。存储器产品主要以DRAM、NAND Flash为主。从产品价格上看，在NAND
Flash方面，此前据TrendForce集邦咨询3月30日调查指出，即便原厂持续进行减产，然需求端如服
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利基型 DRAM
IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷导致存储产品价格大跳水的背景下，三星电子第一季度业绩营业利润暴跌 95.8%，终于顶不住压力宣布减产。这是自 1998 年金融危机以来，三星时隔 25 年首次制定正式减产方案。据韩国《中央日报》援引业内人士消息，三星的减产计划聚焦以 DDR4 为代表的通用产品，位于华城市的内存产品线产量将削减 3 至 6 个月。消息人士表示，虽然产能有所增加（通过技术性减产），但与去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圆总投入已经减少了 5-7%。三星电子在其华城和平泽园
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存储芯片 DDR4 DDR5 三星
TrendForce集邦咨询表示，由于部分供应商如美光（Micron）、SK海力士（SK
hynix）已经启动DRAM减产，相较第一季DRAM均价跌幅近20%，预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过，由于2023下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM均价下行周期尚不见终止，在目前原厂库存水位仍高的情况下，除非有更大规模的减产发生，后续合约价才有可能反转。PC DRAM方面，由于买方已连续三季大减采购量，目前买方的PC DRAM库存约9~13周，而PC
DRAM原厂已进行减产，TrendForce集
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DRAM 止跌 TrendForce
当前，由于消费电子市场需求持续疲弱，当前存储器卖方面临库存高企压力，以DRAM和NAND Flash为主的存储器产品价格持续下探。为避免存储器产品再出现大幅跌价，多家供应商已经开始积极减产，尽管2023年第一季价格跌幅将有所收敛，但集邦咨询仍预估当季DRAM价格跌幅将达13~18%，NAND Flash均价跌幅为10~15%。对于第二季DRAM产业市况发展，近日，南亚科和华邦电给出了各自的看法。李培英：下半年市况将有所好转南亚科总经理李培英认为，受高通货膨胀与供应链不顺影响，今年上半年将是DRAM市况最差
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DRAM 存储
华邦消费性电子应用需求回温本季是谷底；南亚科上半年跌幅收敛。
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DRAM NAND
由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
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存储器 DRAM NAND Flash
近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
存储模组大厂威刚认为，以供给面而言，DRAM供给相对单纯且市场库存水位较低，看好DRAM价格回温时间可望早于NAND
Flash。目前消费性需求尚未全面复苏，第一季DRAM与NAND
Flash合约价仍有小幅下跌压力，但存储器中下游业者库存调整已历经近一年时间，并也降至相对健康水位，因此只要存储器价格明确落底，市场备货需求将可望快速启动，加速产业供需平衡。威刚预估，第一季营收走势可望逐月走升，第二季优于第一季，下半年可望明显回升，宇瞻则认为，DRAM上半年仍会处于供过于求，但在原厂减产、减少资本支
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存储模组 威刚 宇瞻 DRAM
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