近日,封测龙头长电科技宣布,高性能动态随机存储DDR5芯片成品实现稳定量产。随着5G高速网络、云端服务器、智能汽车等领域对存储系统性能的要求不断提升,DDR5芯片在服务器、数据中心等领域加速渗透。相比前代产品,DDR5因其速度更快、能耗更低、带宽更高、容量更大等优势,给用户带来更佳的可靠性和扩展性,市场前景广阔。反映到芯片成品制造环节,包括DDR5在内的存储芯片效能不断提升,对芯片封装提出更高集成度、更好电气性能、更低时延,以及更短互连等要求。为此,长电科技通过各种先进的2.5D/3D封装技术,实现同尺寸
关键字:
DDR5 封测
作为韩国的重要支柱,芯片出口的多少,直接关系着几大财团的营收,比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道,消费电子产品需求下滑,导致对芯片的需求下滑,尤其是存储芯片,需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示,在11月份的前20天,韩国芯片出口52.8亿美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备,但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额,也同比下滑20.6%,降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是,全球智能手机老大已经在不停的砍单了,至少在3000万部,这也
关键字:
三星 SK海力士 DRAM NAND
IT之家 11 月 20 日消息,2020 年初,美光的软件工程师宣布了一款专为 SSD 和持久内存设计的开源存储引擎 HSE,这是一款快速键值存储数据库。去年 HSE 2.0 首次亮相,不再依赖于对 Linux 内核的修改,改为完全基于用户空间的解决方案。本周,美光发布了 HSE 3.0 开源存储引擎,带来了更多功能改进。据介绍,HSE 3.0 改进了数据管理,提高了各种重要工作负载的性能。此外,HSE 3.0 引擎围绕具有单调递增键(例如时间序列数据)的工作负载、多客户端工作负载、将压缩和未压缩值存储
关键字:
美光 SSD DRAM HSE
2022 年 11 月 18 日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布出货适用于数据中心并已通过AMD 全新EPYC™ (霄龙) 9004 系列处理器验证的 DDR5 内存。随着现代服务器配备更多处理内核的CPU,其单个CPU内核的内存带宽在不断下降。为缓解这一瓶颈,美光 DDR5 提供比前几代产品更高的带宽,从而提升可靠性和可扩展性。第四代 AMD EPYC 处理器与美光 DDR5 的强强联合,使
关键字:
美光 DDR5 AMD EPYC 处理器
当地时间11月10日,美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器,该存储器已针对新的AMD EPYC™
9004系列处理器进行了验证。随着现代服务器将更多处理内核装入CPU,每个CPU内核的存储器带宽一直在下降。与前几代相比,美光DDR5提供了更高的带宽,从而缓解了这一瓶颈,提高了可靠性和可扩展性。据介绍,美光将配备其DDR5的单个第4代AMD EPYC处理器系统的STREAM基准性能与3200MT/秒的第3代AMD
EPYC处理器系统和美光DDR4进行了比较。使用第4代AMD EPYC处理器系统
关键字:
美光 数据中心 DDR5 存储器
Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013
Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
关键字:
SK海力士 移动端 DRAM HKMG
IT之家 11 月 9 日消息,根据最新的报告,三星电子在全球 DRAM 市场的份额已跌至八年来的最低点。据 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日发布的报告,第三季度全球 DRAM 市场销售额为 179.73 亿美元(当前约 1301.25 亿元人民币),较第二季度的 254.27 亿美元下降 29.3%。三星电子的 DRAM 销售额从第二季度的 111.21 亿美元下降到第三季度的 73.71 亿美元(当前约 533.66 亿元人民币
关键字:
三星 DRAM
本周美光宣布,采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15%,存储密度提升35%以上,单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是,美光称,1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。 这意味着相较于三星、SK海力士,美光需要更复杂的设计方案。毕竟,DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力,各公司目
关键字:
美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
隶属SGH(Nasdaq:SGH) 控股集团的全球专业内存与储存解决方案领导者 SMART Modular世迈科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM内存模块,为刀锋服务器专用VLP模组产品添增生力军。 专为网通及高算力应用所需1U刀锋服务器而生隶属SGH(Nasdaq:SGH) 控股集团的全球专业内存与储存解决方案领导者 SMART Modular世迈科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM内存模块,为
关键字:
DDR5 内存模块
11 月 2 日消息,据国外媒体报道,受电子消费品续期下滑影响,当前全球存储芯片市场并不乐观,DRAM 与 NAND 闪存的需求和价格都有下滑,三星电子、SK 海力士等存储芯片制造商的业绩,也受到了影响。虽然存储芯片市场整体的状况并不乐观,但部分领域的需求,却在不断增长。研究机构在最新的报告中就表示,服务器 DRAM 的需求在不断增长,在今年有望首次超过智能手机、平板电脑等移动设备对 DRAM 的需求。研究机构在报告中预计,今年全球服务器对 DRAM 的需求,会达到 684.86 亿 GB,智能手机、平板
关键字:
DRAM 市场
当地时间11月1日,美光宣布正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴,并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现了量产准备。据官方介绍,美光于2021年实现1α LPDDR5X DRAM批量出货,此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%,每区储存的位元数也增加35%。美光表示,随着LPDDR5X的出样,移动产品将率先从1β DRAM 的提升中获益,提升新一代智能手机的性能的同时,消耗更少的电力。美光DRAM程序整合部门副总裁Thy Tran表示,新版
关键字:
功率效率 美光 1β DRAM
2022年11月2日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升,将为市场带来巨大收益。除了移动应用,基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高
关键字:
美光 1β技术节点 DRAM
IT 之家 11 月 1 日消息,美光今天发布了 LPDDR5X-8500 内存,采用先进 1β 工艺,正在向智能手机制造商和芯片组合作伙伴发送样品。据官方介绍,美光 2021 年实现 1α 工艺批量出货,现在最新的 1β 工艺巩固了美光市场领先地位。官方称,最新的工艺可提供约 15% 的能效提升和超过 35% 的密度提升,每个 die 容量为 16Gb。美光表示,随着 LPDDR5X 的出样,移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益,提升新一代智能手机的性能的同时,消
关键字:
美光 LPDDR5X-8500 内存 1β DRAM
近日,SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注,对此,SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度业绩发表会上,针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境,作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中,“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复,SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外,针对美国对芯片设备出口的管制,SK海力士表示,
关键字:
SK海力士 DRAM NAND
据媒体报道,因笔电市场低迷,冲击DDR5内存价格跌幅进一步扩大,可望推动各厂商在2023年启动产品世代转换,DDR5将随之放量。从具体跌价幅度来看,TrendForce集邦咨询预估,2022年第四季度DRAM跌幅约在13%~18%左右,而DDR5价格跌幅大于DDR4。市场消息上,英睿达、美光16GB DDR5 4800笔记本内存条当前秒杀价为499元,而今年6月份售价则一直稳定在699元左右,跌幅超28%。DDR5为何跌跌不休?据了解,PC市场是DDR5的关键终端市场之一。然而近期PC市场情况并不乐观,终
关键字:
DDR5 渗透率
ddr5 dram介绍
您好,目前还没有人创建词条ddr5 dram!
欢迎您创建该词条,阐述对ddr5 dram的理解,并与今后在此搜索ddr5 dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473