11 月 2 日消息，据国外媒体报道，受电子消费品续期下滑影响，当前全球存储芯片市场并不乐观，DRAM 与 NAND 闪存的需求和价格都有下滑，三星电子、SK 海力士等存储芯片制造商的业绩，也受到了影响。虽然存储芯片市场整体的状况并不乐观，但部分领域的需求，却在不断增长。研究机构在最新的报告中就表示，服务器 DRAM 的需求在不断增长，在今年有望首次超过智能手机、平板电脑等移动设备对 DRAM 的需求。研究机构在报告中预计，今年全球服务器对 DRAM 的需求，会达到 684.86 亿 GB，智能手机、平板
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DRAM 市场
当地时间11月1日，美光宣布正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴，并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现了量产准备。据官方介绍，美光于2021年实现1α LPDDR5X DRAM批量出货，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每区储存的位元数也增加35%。美光表示，随着LPDDR5X的出样，移动产品将率先从1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消耗更少的电力。美光DRAM程序整合部门副总裁Thy Tran表示，新版
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功率效率 美光 1β DRAM
2022年11月2日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高
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美光 1β技术节点 DRAM
IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天发布了 LPDDR5X-8500 内存，采用先进 1β 工艺，正在向智能手机制造商和芯片组合作伙伴发送样品。据官方介绍，美光 2021 年实现 1α 工艺批量出货，现在最新的 1β 工艺巩固了美光市场领先地位。官方称，最新的工艺可提供约 15% 的能效提升和超过 35% 的密度提升，每个 die 容量为 16Gb。美光表示，随着 LPDDR5X 的出样，移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消
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美光 LPDDR5X-8500 内存 1β DRAM
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
据媒体报道，因笔电市场低迷，冲击DDR5内存价格跌幅进一步扩大，可望推动各厂商在2023年启动产品世代转换，DDR5将随之放量。从具体跌价幅度来看，TrendForce集邦咨询预估，2022年第四季度DRAM跌幅约在13%~18%左右，而DDR5价格跌幅大于DDR4。市场消息上，英睿达、美光16GB DDR5 4800笔记本内存条当前秒杀价为499元，而今年6月份售价则一直稳定在699元左右，跌幅超28%。DDR5为何跌跌不休？据了解，PC市场是DDR5的关键终端市场之一。然而近期PC市场情况并不乐观，终
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DDR5 渗透率
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X内存已通过验证，可在骁龙（Snapdragon®）移动平台上使用，该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通过优化应用处理器和存储器之间的高速信号环境，三星超过了自身在今年3月创下的7.5Gbps的最高运行速度，夯实了在内存市场的地位。三星LPDDR5X DRAM 可达8.5Gbps的运行速度作为十多年来全球移动内存（DRAM）市场的推动者，三星一直在努力推进高端智能手机普及，使更多消费者能够在移动设备上体验更为强大的计算性能。凭借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
近期，DDR4和DDR5价格持续下跌，吸引了不少消费者的持续关注。目前消费电子疲软还在继续，据TrendForce集邦咨询数据显示，第四季度DRAM价格跌幅将扩大至13~18%。从积极方面考量，价格的亲民化或将加速DDR5的入世，DDR5有望加速成为行业主流。DDR5对比DDR4的优势从过往历史看，每代DDR新标准发布后都需要经过2年左右的优化，才能实现性能的较为全面的稳定提升，而后实现对上一代产品的市场替代则可能需要3到5年的时间。业界数据显示，DDR3和DDR4都享有大约7年的生命周期。据悉，DDR4
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DDR5 DDR4
据TrendForce集邦咨询最新服务器相关报告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能够整合各种xPU之间的性能，进而优化AI与HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU为源头去考虑，但由于可支援CXL功能的服务器CPU
Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa现阶段仅支援至CXL
1.1规格，而该规格可先实现的产品则是CXL存储器扩充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce认为
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TrendForce 集邦咨询 存储器 CXL AI/ML DRAM
芯片已经无处不在：从手机和汽车到人工智能的云服务器，所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。创建更先进的芯片通常涉及缩小晶体管和其他组件并将它们更紧密地封装在一起。然而，随着芯片特征变得更小，现有材料可能无法在所需厚度下实现相同性能，从而可能需要新的材料。 泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPAR
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SPARC 先进逻辑 DRAM 沉积技术
在过去的十年时间里，随着程序与应用、数据集与复杂代码，以及3D模型渲染、8K视频编辑和高帧速率游戏等领域的空前发展，DDR4技术已不堪重负，难以跟上行业发展步伐。随着CPU内核数量的不断增加，为了应对这些海量需求，内存技术也需要进一步扩展。下一代系统中的DDR5内存是实现当前所需性能的最佳解决方案，同时能够进一步扩展，以满足未来内容创作、内容发布和内容消费的更高要求。内容创作内容创作者受到了DDR4技术的限制，因为他们的高性能工作台消耗了增加的内存密度或内存带宽。等待时间延长导致效率降低，甚至无法进行多任
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DDR5 内存 Crucial 英睿达
市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 发布了 EVO V DDR5 RGB 内存条，采用了双风扇散热系统，将 RGB 灯效和双风扇主动式的散热设计结合到一体成型的模组中。现在，GeIL EVO V DDR5 RGB 内存条推出了支持 AMD EXPO 超频技术的型号。据介绍，该系列内存采用了 GeIL 独家主动双风扇散热系统，支持 6400MHz 一键超频，采用了独家优化的 RGB 照明设计，兼容 AM5 平台。根据 GeIL 之前的介
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内存条 DDR5 GeIL
根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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