- 今日三星宣布，高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5
(6.4Gbps)快约1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 骁龙
- 11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，联发科（MediaTek）已在其全新的5G旗舰智能手机芯片天玑9000平台上完成了对美光LPDDR5X DRAM内存的验证。美光由此成为首家送样并验证该款业界最快、最先进移动内存的半导体厂商，并已出货首批基于1α节点的LPDDR5X样片。美光同时也是业界首家应用1α制造节点的厂商。美光LPDDR5X专为高端与旗舰智能手机设计，让智能手机生态系统能够在人工智能(AI)与5G创新背景下，推动数据密集型应用的新一波发展浪潮。Micron LPDDR5X
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美光 联发科 DDR5
- 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DR
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DRAM 微结构
- 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预
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美光 EUV DRAM
- 根据TrendForce调查，第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成，受惠于DRAM供货商的库存量偏低以及旺季效应，本季合约价调涨3~8%，但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然约自七月初起，DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存，持续降价求售。合约市场方面，先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料，使DRAM库存已达高水位，库存迭高问题成为涨价的阻力，再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低，进而拉低PC DRAM的总需求量。因此，预估PC DRAM合约价于第四
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TrendForce PC DRAM
- 今年下半年，最快10月底就能升级DDR5内存了，这一次Intel的12代酷睿Alder Lake会首发支持DDR5。SK海力士日前在财报会议上也表示未来几个月就要量产DDR5内存。 DDR5的标准已经发布一年多了，相比DDR4继续提升性能、降低功耗，标准电压从1.2V进一步降至1.1V，最大单条容量从32GB来到128GB(单Die密度64Gb)，标准最高频率从3200MHz翻番到6400MHz(实际瞄准8400MHz)，此时带宽达到51GB/s，基本是DDR4-3200的两倍。 另外，DDR5支
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英特尔 酷睿 DDR5 SK海力士
- 三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好，其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长，尤其是针对高端服务器和高性能计算（HPC）市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块，该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块，从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。 但事实证明，这家韩国巨头可能还不满足，因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步，生产768GB DDR5模块，也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电
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三星 内存 DRAM DDR5
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外（EUV）工艺，这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%，成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商，并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明，正式启用EUV光刻机闪存内存芯片，批量生产采用
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EUV DRAM
- SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR”
为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering
Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。 图1.
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SK海力士 10纳米 DRAM
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021线上主题演讲中，美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra代表美光发布多项产品创新，涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品，并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些创新产品和创新技术体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景，从而助力数据中心和智能边缘的创新，突出了内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。在新的数据经济背后，有一
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美光 176层NAND 1α DRAM
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出货基于1α(1-alpha) 节点的DRAM产品，是目前世界上最为先进的DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。为此，《电子产品世界》记者采访了公司DRAM 制程集成副总裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran1 1α节点技术1α 节点DRAM 相当于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指内存阵列激活区半间距）在(10~19) nm之间。要做到这一点，需要大幅缩小位线和字线间距——可以说是收缩
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202104 DRAM
- 近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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DRAM NAND
- 存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND
Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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美光科技 DRAM NAND
- 11月1日消息 据韩媒 The Lec 今日报道，今年十月份，DRAM 和 NAND 价格遭遇集体暴跌。分析师认为，这是由于美国对华为的制裁所致，这加剧了存储芯片市场价格的下跌。据市场研究公司 DRAM Exchange 上个月 30 日的统计，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易价格为 2.85 美元，相比 9 月份的交易价格下降 8.9%。这与八月和九月连续第二个月保持平稳的情况形成了对比，就
NAND 闪存而言，128GB 存储卡和用于 USB 的多层单元存储（MLC）
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内存 DRAM
- 根据IC Insights的分析报告，DRAM内存芯片在今年底之前将继续呈现下滑态势。简单回顾下，内存跌价大致是从2018下半年开始，2019年12月均价一度跌至3.9美元。尽管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家办公、远程学习等推动了PC等设备的需求增长，内存价格有所小幅反弹，但持续的时间并不长。6月份DRAM均价是3.7美元，7、8月份则在3.51美元处徘徊。通常来说，三四季度是DRAM价格大幅飙升的旺季，可今年的情况大家都懂，无论是厂商还是个人消费者，其季节性的购买行为也被扰乱了。另外，尽管5G智能
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内存 DRAM
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