- 根据外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特尔将推出其 Tiger Lake-U 系列处理器，采用 Willow Cove 架构和 Xe 核显。爆料者 @momomo_us 的最新消息称，英特尔计划在 2021 年初推出名为 Tiger Lake-H 系列产品。▲via Vide
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英特尔 处理器 DDR5
- 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
- 都说一流的企业定标准，可见能够参与制定标准的企业，都是最顶尖的企业，所以我们能够看到每当一项国际标准出炉时，各国的企业们都是打破头的想把自己的标准定为国标标准。比如大家最熟悉的通信标准制定，从1G到5G标准的确定，那可是一项波澜壮阔的通信技术竞争史，也是中国通信技术的崛起史。而不久前，跳票了近2年时间之后，JEDEC终于确定了JESD79-5 DDR5 SDRAM标准，这也是一项国际标准，有利于内存企业们尽快推出自己的DDR5内存。但与DDR4标准有中国企业参与不同，澜起科技在DDR4F时代，发明的DDR
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DDR5 内存标准
- 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
- 作为计算机内存发展的重要里程碑，JEDEC固态技术协会发布了下一个主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范。DDR5是DDR标准的最新迭代，DDR5再次扩展了DDR内存的功能，将峰值内存速度提高了一倍，同时也大大增加了内存容量。基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。外媒anandtech报道，和之前的每一次DDR迭代一样，DDR5的主要关注点再次放在提高内存密度以及速度上。JEDEC希望将这两方面都提高一倍，最高内存速度将达到6.4Gbps
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PC DDR5 内存
- 去年下半年开始，使用 LPDDR5 内存的手机陆续发布。虽然用于电脑的 DDR5 内存与用于手机的 LPDDR5 并不相同，但这也让许多 DIY 玩家期待 DDR5 内存的到来，那么它今天真的来了。JEDEC
固态技术协会最初计划在 2018 年公布 DDR5 SDRAM
最终规范，但是很显然跳票了。两年后的今天，新规范正式公布，同时各大内存厂商也表示基于新规范的内存产品最快年内就能进行量产，不过一开始会用在服务器上，后来才是家用
PC 以及其他设备。本次的新标准主要提升了内存密度和频率，其中
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DDR5 内存
- 7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
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国产 DRAM 内存 合肥长鑫
- 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
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存储器 10nm 南亚科 DRAM
- 因为种种原因,Intel的产品规划这两年调整非常频繁,路线图经常出现变动,无论是消费级还是企业级。在近日与投资者沟通时,Intel公关总监Trey Campbell就保证说,将在今年第二季度末(最迟至6月底)发布代号Ice Lake-SP的下一代至强服务器平台,明年某个时候则会带来Sapphire Rapids。Ice Lake-SP将采用和移动端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工艺、Sunny Cove CPU架构,并更换新的LGA4189封装接口,核心数量和频率暂时不详(据说最多38核心),
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英特尔 CPU处理器 服务器 DDR5 至强 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
- 三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
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三星 DRAM
- 尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节,但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。简单来说,DDR5内存频率从3200MHz起跳(厂商一般都会从4800MHz出货)、最高可达8400MHz(时序瑟瑟发抖……)。核心容量密度方面,SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的选择,也就是说,DDR5时代单条内存最大可到128GB。其它参数也均有明显改进,两个关键电压VDD/VDDq和VPP分别从1.2V、2.5V将至1.1V、1.8V,可进一步缓解
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内存 SK海力士 DDR5
- 尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节，但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。 简单来说，DDR5内存频率从3200MHz起跳（厂商一般都会从4800MHz出货）、最高可达8400MHz（时序瑟瑟发抖……）。 核心容量密度方面，SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的选择，也就是说，DDR5时代单条内存最大可到128GB。 其它参数也均有明显改进，两个关键电压VDD/VDDq和
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SK海力士 DDR5 内存
- 从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
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DRAM GIDL
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