- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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三星 DRAM
- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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DRAM DDR4
- DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
- 内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
- 5nm以下的工艺尺寸缩减逻辑;DRAM、3DNAND和新型存储器的未来;太多可能解决方案带来的高成本。
近日，外媒SE组织了一些专家讨论工艺尺寸如何继续下探、新材料和新工艺的引入带来哪些变化和影响，专家团成员有LamResearch的首席技术官RickGottscho、GlobalFoundries先进模块工程副总裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技术合伙人DavidShortt、ASML计算光刻产品副总裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
- 根据三星最新财报显示，三星Q3净利润更是高达98.7亿美元，增长145%，季度净利直逼苹果，成为世界最赚钱的两家公司之一。而耀眼财报的背后，其半导体业务起着举足轻重的作用。
昨日半导体产业曝出一条最大新闻——“ 三星电子全球首发第二代10纳米级DRAM产品。”
三星在声明中称，这是全球第一个第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片，拥有强化的节能效率和资料处理效能，将锁定云端运算中心、移动设备和高速绘图卡等高阶大数据处理的电子设备。
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三星 DRAM
- 继 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工艺生产出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星电子今日又宣布已开始通过第二代 10nm 制程工艺生产 8Gb DDR4 芯片。另据路透社报道，三星开发的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
据悉，和第一代 10nm 工艺相比，三星第二代 10nm 工艺的产能提高了 30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不仅比第一代快 10%，同时功耗又降低了 1
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三星 DRAM
- DRAM 内存市场近期严重供不应求，造成全球内存龙头三星将于 2018 年第 1 季价格再上调 3% 至 5%。 而另一家内存大厂 SK 海力士也将调涨约 5%。 除此之外，有部分供应链透露，2018 年第 2 季的价格恐也将不乐观，价格将续涨 5% 以上。 因此，在需求太强劲的情况下，此波 DRAM 价格从 2016年下半年以来，每季都呈现上涨的态势。 如果加上 2018 年第 1 季持续涨价，报价已经连续 7 季走扬，堪称 DRAM 史上时间最长的多头行情。
事实上，当前的第 4 季是传统
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DRAM DDR4
- 今年内存供给吃紧，推升价格持续走扬，研调机构IC Insights预期第四季DRAM销售金额将创历史新高。
据IC Insights估计，第四季DRAM销售金额将来到211亿美元，较去年同期跳增65%，且是有史以来最佳记录。
全年来看，DRAM市场预估成长74%，较1993-2017年平均水平高61个百分点，也是继1994年成长78%以来最强成长动能。
许多因素造就今年内存走大多头，当中包含近几年主要内存厂刻意节制扩产动作，同期间刚好又遇上数据中心、行动与游戏设备对高效能内存的需求大
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DRAM
- 围绕着此轮DRAM产业的上涨行情，无论是“供需论”还是“垄断说”，在DRAM一路疯涨的背后，展现的是耐人寻味的众生相，有需求者的无奈，领军者的得意，入局者的尴尬以及监管者的警觉。
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DRAM NAND
- 今年DRAM市场强劲成长，南亚科技(2408)预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧，DRAM平均销售单价走势稳健;展望2018，预期明年整体DRAM市场供需均衡且健康，市场将持续维持稳健。
随着人工智能、物联网、智能汽车、高速运算等应用，促进半导体产业更多元发展，DRAM成为电子产品的关键组件，带动今年内存市场强劲成长逾50%。
展望2018年，南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能，DRAM位年成长率在20%~25%，预估2018年需求将较2017
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南亚科 DRAM
- 纵观2017年，随着数据中心、服务器、智能手机和其他移动产品对DRAM需求不断提升，DRAM产能供不应求，平均售价也在持续上涨。如图1所示，IC Insights预计2017年第四季度DRAM销售额将增至211亿美元的历史最好成绩，与2016年第四季度的128亿美元相比增长65%。
图1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度营收
IC Insights预计2017年全年DRAM的销售额将达720亿美元，年增长率达74%。这是自1993年(1994年的年增长率为78%)以来的历史最好
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DRAM
- 调研机构IC Insights最新报告预估，全球整体IC市场规模将由2016年的2,977亿美元，成长为2021年的4,345亿美元。合计2016~2021年规模年复合成长率(CAGR)为7.9%。
在12类IC终端应用主要产品中，仅游戏机与平板电脑产品用IC市场规模会出现下滑，其余如汽车、物联网(IoT)连结、手机等IC应用市场规模都会呈现成长。其中以车用与物联网连结用IC市场规模成长最快，成长幅度较整体IC高出70%。
预估2017年全球车用IC市场规模，将继2016年成长11%(达2
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物联网 DRAM
- DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，有点太看得起自己，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，要与三星、海力士抗衡，至少还需要
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DRAM
- 日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。下午第三分论坛，中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾，就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示，当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
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RRAM DRAM
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