- 去年下半年开始，使用 LPDDR5 内存的手机陆续发布。虽然用于电脑的 DDR5 内存与用于手机的 LPDDR5 并不相同，但这也让许多 DIY 玩家期待 DDR5 内存的到来，那么它今天真的来了。JEDEC
固态技术协会最初计划在 2018 年公布 DDR5 SDRAM
最终规范，但是很显然跳票了。两年后的今天，新规范正式公布，同时各大内存厂商也表示基于新规范的内存产品最快年内就能进行量产，不过一开始会用在服务器上，后来才是家用
PC 以及其他设备。本次的新标准主要提升了内存密度和频率，其中
- 关键字：
DDR5 内存
- 7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
- 关键字：
SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
- 关键字：
SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
- 关键字：
国产 DRAM 内存 合肥长鑫
- 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
- 关键字：
存储器 10nm 南亚科 DRAM
- 因为种种原因,Intel的产品规划这两年调整非常频繁,路线图经常出现变动,无论是消费级还是企业级。在近日与投资者沟通时,Intel公关总监Trey Campbell就保证说,将在今年第二季度末(最迟至6月底)发布代号Ice Lake-SP的下一代至强服务器平台,明年某个时候则会带来Sapphire Rapids。Ice Lake-SP将采用和移动端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工艺、Sunny Cove CPU架构,并更换新的LGA4189封装接口,核心数量和频率暂时不详(据说最多38核心),
- 关键字：
英特尔 CPU处理器 服务器 DDR5 至强 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
- 三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
- 关键字：
三星 DRAM
- 尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节,但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。简单来说,DDR5内存频率从3200MHz起跳(厂商一般都会从4800MHz出货)、最高可达8400MHz(时序瑟瑟发抖……)。核心容量密度方面,SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的选择,也就是说,DDR5时代单条内存最大可到128GB。其它参数也均有明显改进,两个关键电压VDD/VDDq和VPP分别从1.2V、2.5V将至1.1V、1.8V,可进一步缓解
- 关键字：
内存 SK海力士 DDR5
- 尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节，但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。 简单来说，DDR5内存频率从3200MHz起跳（厂商一般都会从4800MHz出货）、最高可达8400MHz（时序瑟瑟发抖……）。 核心容量密度方面，SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的选择，也就是说，DDR5时代单条内存最大可到128GB。 其它参数也均有明显改进，两个关键电压VDD/VDDq和
- 关键字：
SK海力士 DDR5 内存
- 从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
- 关键字：
DRAM GIDL
- 据外媒报道称,由于种种原因所致,Intel和AMD两家要在明年才能拿出支持DDR5内存的平台了。三星方面也已经表示,2021年量产DDR5内存,并且使用EUV工艺,制作将会在韩国平泽的新工厂进行,三星同时宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万。三星表示EUV技术减少了光刻中多次曝光的重复步骤,并提高了光刻的准确度,从而提高性能、提高产量,并缩短了开发时间。三星估计,使用EUV工艺生产DDR5内存,其12英寸D1a晶圆的生产效率会比旧有的D1x工艺的生产力提升一倍。据悉,三星第四代10nm
- 关键字：
英特尔 内存 GDDR5 DDR5
- 据ZDnet报道，三星宣布，已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
- 关键字：
三星 EUV DRAM
- 当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12
- 关键字：
三星 DRAM EUV
- 韩媒报道称美国美光公司在中国地区的工厂及办公室也受到了严重影响,生产中断,拖累DDR5量产,不过美光方面否认了相关报道。最近的疫情危机不仅影响了很多的生活,更重要的是导致一些工厂不能正常开工。韩国媒体报道称,春节期间,美光公司在中国地区不仅办公室工作受到影响,生产线也一度陷入停摆。韩媒指出,美光中国区目前已经开始恢复生产,但是临时中断产线已经带来严重损失,还推迟了DDR5内存量产的计划,对客户的供货也会出现问题。针对这些报道,美光公司下午发表声明否认,声称美光致力维持安全的工作环境,除了密切关注国际性新冠
- 关键字：
美光 内存 DDR5
- 韩媒报道称美国美光公司在中国地区的工厂及办公室也受到了严重影响,生产中断,拖累DDR5量产,不过美光方面否认了相关报道。最近的疫情危机不仅影响了很多的生活,更重要的是导致一些工厂不能正常开工。韩国媒体报道称,春节期间,美光公司在中国地区不仅办公室工作受到影响,生产线也一度陷入停摆。韩媒指出,美光中国区目前已经开始恢复生产,但是临时中断产线已经带来严重损失,还推迟了DDR5内存量产的计划,对客户的供货也会出现问题。针对这些报道,美光公司下午发表声明否认,声称美光致力维持安全的工作环境,除了密切关注国际性新冠
- 关键字：
DDR5 美光
ddr5 dram介绍
您好，目前还没有人创建词条ddr5 dram!
欢迎您创建该词条，阐述对ddr5 dram的理解，并与今后在此搜索ddr5 dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
