近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
关键字：
DRAM NAND
全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
关键字：
存储芯片 DRAM NAND Flash
国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支：半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
关键字：
存储 DRAM 市场
根据TrendForce最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望，且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上，除非有极大的价格
关键字：
TrendForce DRAM
据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3～8％的主因，且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便
关键字：
TrendForce DRAM
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
关键字：
SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
关键字：
DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
随着11月初各大主板厂商Z690系列主板的发售，家用电脑上的内存终于进入了DDR5的时代。那么DDR5相比过去的DDR4都有哪些变化呢？以及现在值得买吗？外观方面在外观方面，DDR5和DDR4的区别主要有两方面。第一，在内存条中间的部分多了一些电子模块。第二，内存条下部的防呆口位置发生了改变。来源：金士顿防呆口位置发生改变也就意味着DDR5的内存条与DDR4的内存条物理上不兼容。现在老主板上的内存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升级DDR5的内存条就必须换新主板。关于新主板方面，目前发售的主板
关键字：
DDR5
我们刚刚进入了DDR5内存时代。自去年以来，所有主要的 DRAM 厂商，如美光、三星和 SK 海力士，都开始发布他们的第一款 DDR5 内存产品（模块）。此外，如今对 DDR5 产品的需求明显且肯定超过供应。DDR5 是 DRAM 的新标准，旨在满足计算、高带宽、人工智能 (AI)、机器学习 (ML) 和数据分析的需求。在接下来的文章里，我们了解一下这个新技术。DDR4 数据速率通常在 1,600 MHz 到 3200 MHz 的范围内运行，而 DDR5 在数据和时钟速率方面都在 DDR4 上有
关键字：
DDR5
现在，许多电脑主流使用着DDR4内存，DDR5即将正式到来。最近，AMD、Intel在发布新品时，都已开始支持DDR5。作为下一代存储技术，它究竟有何奥妙？ 去年7月，电子器件工程联合会（JEDEC）终于正式发布了下一代主流存储器（DDR5 SDRAM）最终规范。自90年代末以来，双倍数据速率（DDR）存储器技术已经历多次迭代，并且推动了PC、服务器等生态的快速发展。 据悉，JEDEC最初于2018年提出DDR5内存规范，时隔两年，正式版本虽然来得有些晚，但并没有降低新一代存储器标准的重要性。
关键字：
DDR5
我们使用了12款专业测试软件，分别对DDR5与DDR4内存，在相同平台下进行了测试体验： 酷睿i9-12900K搭配DDR4与DDR5，总体差距并不是很大； 在y-cruncher测试中，DDR5比DDR4速度快了40％以上； 在Geekbench 5的多线程测试中，DDR5比DDR4快了近20%； 在选购笔记本时，在其他硬件基本相同，且价差不大的情况下，更推荐搭载DDR5内存产品。 今年第一季度，惠普、联想、华硕等OEM厂商纷纷召开新品发布会，游戏本和轻薄本等PC产品开启了换代升级。本轮新品升
关键字：
DDR5
DDR5和DDR4主要在带宽速度、单芯片密度以及工作频率等方面有区别。带宽速度上，DDR5为32GB/s,DDR4为25.6GB/s;；单片芯片密度上，DDR5单芯片的容量为16GB，DDR4单芯片的容量为4GB；工作频率上，DDR5工作频率达4800MHz以上，DDR4最低为1600MHz。具体区别如下： 1、带宽速度方面：DDR4的带宽为25.6GB/s，DDR5的带宽为32GB/s。 2、单片芯片密度方面：DDR4为4GB的单片芯片密度，单条内存的最大容量达到128GB；而DDR5会有单片超
关键字：
DDR5 DDR4
DDR5内存的标准起步频率只有4800MHz，而潜力显然是无限的。此前呼硕、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，现在终于突破了10000MHz！这也是内存频率第一次达到五位数字，进入了10GHz+时代。 达成这一成就的是Kovan Yang领衔的微星超频团队成员，使用了一条金士顿的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功运行在了5001.8MHz的基础频率，等效于DDR5-10004。 为了如此之高的频率，内存时序也放宽到了史无前例的72-126-1
关键字：
DDR5
去年随着12代酷睿的出现，DDR5内存也正式登上了舞台，DDR5时代正式开启。作为全新一代内存，DDR5拥有相比上代高得多的频率，性能当然也有不小的提升，然而由于其插槽的变化，导致其并不能兼容DDR4的主板，并且作为新产品，价格当然也并不便宜，这些原因也导致了如今不少用户依旧不太愿意更换DDR5内存。而调研机构Omdia在最近的一份报告中提到，在2022年DDR5内存市场占有率将达到10%，直到2024年占有率将进一步提升至43%，如果DDR5的份额想要过半那估计至少要等到2025年了。虽然看起来很久，但
关键字：
DDR5
Kingston FURY针对高端玩家以及专业用户推出了一系列高性能DDR5内存，包括Kingston FURY野兽（Beast）系列DDR5 4800MT/s、5200MT/s、5600MT/s、6000MT/s，单条容量8GB、16GB、32GB，套装容量16GB、32GB、64GB，虽然在性能上可以满足用户的高标准要求，但是对于需要打造个性化装机的用户，他们需要性能出众颜值高可以烘托游戏氛围的RGB灯条，今天Kingston FURY野兽（Beast）系列DDR5 RGB内存全新上市，可充分满足玩家
关键字：
DDR5
ddr5 dram介绍
您好，目前还没有人创建词条ddr5 dram!
欢迎您创建该词条，阐述对ddr5 dram的理解，并与今后在此搜索ddr5 dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473