- 自从国外对我们实行卡脖子的政策后，在芯片这件事上加速进阶就成为了国家级战略，而上海兆芯推出的KX-6000是一款国产x86处理器，采用16nm工艺，最高8核架构，代号为“陆家嘴 (Lujiazui)”，日前知名的编译器GCC也添加了对KX-6000的支持。
KX-6000系列处理器在2019年6月份发布，由上代的KX-5000系列的28nm升级到16nm工艺，有4核及8核两种规格，频率可达3.0GHz，还支持PCIe
3.0、双通道DDR4内存，搭配的芯片
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国产 X86处理器 7nm DDR5 兆芯
- 12代酷睿诞生以来，除开CPU本身，最受关注的莫过于在先进协议上的革命，其一是全面支持PCIe5.0协议，为下一代的显卡和存储器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5内存协议，打破了多年来内存产品性能和体验的“停滞不前”，引发新一轮的内存浪潮。关于前者，鉴于尚未出现消费级PCIe5.0相关产品，在此略过。今天，重点聊聊被誉为“内存行业革命”的DDR5内存。关于DDR5内存，大多数用户的直观感受便是频率的提升，即由DDR4内存2133MHz起步频率，倍增至4800MHz，甚至根据最新消息DDR5内
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DDR5 内存 PCIe5.0
- 根据市调预估，第二季整体DRAM平均价格跌幅约0～5％，跌幅相较上季已明显缩小。由于买卖双方库存略偏高，再加上需求面如笔电、智能型手机等受近期俄乌战事和高通膨影响，进而削弱消费者购买力道，目前仅服务器为主要支撑内存需求来源，故整体第二季DRAM仍有供过于求情形。在标准型PC DRAM方面，受俄乌战争影响，引发PC OEM对第二季的订单采保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单情形，进而下修今年的出货目标，然而整体供给位却仍在增长，故第二季PC DRAM价格跌幅达3～8％，且可能会进一步恶化。在服务器DR
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DRAM 集帮咨询
- 据TechPowerUp的报告来看，Intel正在研发仅为13代Raptor Lake处理器提供支持的700系列芯片组主板，虽然DDR4+DDR5的内存控制器仍是主流，但Intel正在努力提升DDR5内存的市场比例。 从该报道来看，Intel正在研发的700系列芯片组主板将仅支持DDR5内存，而DDR4内存则主要保留在600系芯片组平台。 不过需要注意的是，厂商往往并不会完全听从Intel指挥，只要市场需要700系主板支持DDR5内存的呼声够大，总会有厂商忍不住。 此外，13代Raptor La
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ddr4 DDR5 内存
- 今日三星宣布，高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5
(6.4Gbps)快约1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 骁龙
- 11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，联发科（MediaTek）已在其全新的5G旗舰智能手机芯片天玑9000平台上完成了对美光LPDDR5X DRAM内存的验证。美光由此成为首家送样并验证该款业界最快、最先进移动内存的半导体厂商，并已出货首批基于1α节点的LPDDR5X样片。美光同时也是业界首家应用1α制造节点的厂商。美光LPDDR5X专为高端与旗舰智能手机设计，让智能手机生态系统能够在人工智能(AI)与5G创新背景下，推动数据密集型应用的新一波发展浪潮。Micron LPDDR5X
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美光 联发科 DDR5
- 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DR
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DRAM 微结构
- 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预
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美光 EUV DRAM
- 根据TrendForce调查，第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成，受惠于DRAM供货商的库存量偏低以及旺季效应，本季合约价调涨3~8%，但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然约自七月初起，DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存，持续降价求售。合约市场方面，先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料，使DRAM库存已达高水位，库存迭高问题成为涨价的阻力，再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低，进而拉低PC DRAM的总需求量。因此，预估PC DRAM合约价于第四
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TrendForce PC DRAM
- 今年下半年，最快10月底就能升级DDR5内存了，这一次Intel的12代酷睿Alder Lake会首发支持DDR5。SK海力士日前在财报会议上也表示未来几个月就要量产DDR5内存。 DDR5的标准已经发布一年多了，相比DDR4继续提升性能、降低功耗，标准电压从1.2V进一步降至1.1V，最大单条容量从32GB来到128GB(单Die密度64Gb)，标准最高频率从3200MHz翻番到6400MHz(实际瞄准8400MHz)，此时带宽达到51GB/s，基本是DDR4-3200的两倍。 另外，DDR5支
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英特尔 酷睿 DDR5 SK海力士
- 三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好，其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长，尤其是针对高端服务器和高性能计算（HPC）市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块，该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块，从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。 但事实证明，这家韩国巨头可能还不满足，因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步，生产768GB DDR5模块，也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电
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三星 内存 DRAM DDR5
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外（EUV）工艺，这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%，成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商，并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明，正式启用EUV光刻机闪存内存芯片，批量生产采用
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EUV DRAM
- SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR”
为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering
Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。 图1.
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SK海力士 10纳米 DRAM
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021线上主题演讲中，美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra代表美光发布多项产品创新，涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品，并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些创新产品和创新技术体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景，从而助力数据中心和智能边缘的创新，突出了内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。在新的数据经济背后，有一
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美光 176层NAND 1α DRAM
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出货基于1α(1-alpha) 节点的DRAM产品，是目前世界上最为先进的DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。为此，《电子产品世界》记者采访了公司DRAM 制程集成副总裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran1 1α节点技术1α 节点DRAM 相当于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指内存阵列激活区半间距）在(10~19) nm之间。要做到这一点，需要大幅缩小位线和字线间距——可以说是收缩
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202104 DRAM
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