全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
经历漫长的产品周期，内存进入了DDR5时代。与DDR4内存相比，DDR5在带宽速度、单芯片密度以及工作频率等方面有明显的提升，DDR5标准性能更强，功耗更低。专业设计、视频剪辑、大型游戏都离不开高容量高性能的内存，为了带给用户更好的使用体验，更高的性能，朗科推出了绝影RGB DDR5。 DDR5将每只模组升级成2个独立32位子通道，拥有多达8个Bank groups组成32Banks，Burst Length提升至16个，均是DDR4的2倍，在传输更大量数据的同时降低了数据传输等待时间，带来全新的体验。
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朗科 DDR5
IT之家 7 月 18 日消息，日经新闻表示，半导体存储芯片之一的 DRAM 正在加速降价，作为上代产品的 DDR3 型的 4GB 内存连续 2 个月下跌。指标产品的 6 月大单优惠价环比下跌 1 成，创出 1 年半以来新低。从作为指标的 8GB DDR4 内存来看，6 月报价约 2.7 美元每个，环比下跌 0.3 美元（10％），而容量较小的 4GB 内存约为 2.18 美元 / 个，环比下跌 10％，同比下跌 32％，处于 2020 年 12 月以来的最低水平。分析师认为，PC 和智能手机的
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DRAM 市场
在今年Gartner的半导体市场分析报告中指出，从历史角度来看，存储市场一直规律的处于2~3年的周期波动中。2021年DRAM市场存在一个供不应求的情况，使得价格上涨，但在2022年下半年会恢复并且进入供过于求的周期，这个周期会导致存储市场价格的整体下滑。下面我们来具体分析都存在哪些因素导致DRAM的周期波动。1.地缘问题导致消费市场向下修正 俄乌战争打破欧洲和平局面，导致能源价格大幅提升，整体社会的消费水平降低，企业和消费者会减少很多不必要的开支。早在4月底，美国商务部公布的数据显示，美国一季度G
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DRAM 半导体 市场
随着智能化、电动化浪潮的推进，汽车芯片的含量成倍提升，电动车半导体含量约为燃油车2倍，智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片，2035年增长为1285亿颗。价值增量端，2020年汽车芯片价值量为339亿美元，2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点，有望成为引领半导体发展新驱动力。 汽车芯片从应用环节可以分为5类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等，以存储芯片为例，2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元，国内汽车存储芯片市场规模
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北京君正 兆易创新 DRAM NAND
关键优势：● 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量，能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能，有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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美光 数据中心 DRAM DDR5
近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支：半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
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存储 DRAM 市场
根据TrendForce最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望，且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上，除非有极大的价格
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TrendForce DRAM
据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3～8％的主因，且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便
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TrendForce DRAM
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
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SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
随着11月初各大主板厂商Z690系列主板的发售，家用电脑上的内存终于进入了DDR5的时代。那么DDR5相比过去的DDR4都有哪些变化呢？以及现在值得买吗？外观方面在外观方面，DDR5和DDR4的区别主要有两方面。第一，在内存条中间的部分多了一些电子模块。第二，内存条下部的防呆口位置发生了改变。来源：金士顿防呆口位置发生改变也就意味着DDR5的内存条与DDR4的内存条物理上不兼容。现在老主板上的内存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升级DDR5的内存条就必须换新主板。关于新主板方面，目前发售的主板
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DDR5
我们刚刚进入了DDR5内存时代。自去年以来，所有主要的 DRAM 厂商，如美光、三星和 SK 海力士，都开始发布他们的第一款 DDR5 内存产品（模块）。此外，如今对 DDR5 产品的需求明显且肯定超过供应。DDR5 是 DRAM 的新标准，旨在满足计算、高带宽、人工智能 (AI)、机器学习 (ML) 和数据分析的需求。在接下来的文章里，我们了解一下这个新技术。DDR4 数据速率通常在 1,600 MHz 到 3200 MHz 的范围内运行，而 DDR5 在数据和时钟速率方面都在 DDR4 上有
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ddr5 dram介绍
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