当地时间周一下午，美国商务部突然发难，以威胁国家安全为由，将中国存储芯片制造商福建晋华集成电路实施紧急禁售令，禁止美国企业向后者出售零部件、软件和技术产品。美国商务部称，福建晋华涉及违反美国国家安全利益的行为，给美国带来了严重风险(Significant risk)，并表示晋华即将完成大幅增产计划，其动态随机存取存储芯片(DRAM)产量显著上升，此举长远威胁到美国DRAM芯片对军方的供应稳定性。这是今年继中兴以来，美国政府对中国半导体企业实施的第二例禁售，相比中兴，对晋华的指控和制裁显得尤为无理。
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DRAM 芯片
周一下午，美国商务部突然发难，以威胁国家安全为由，将中国存储芯片制造商福建晋华集成电路实施紧急禁售令，禁止美国企业向后者出售零部件、软件和技术产品。分析师认为，基于本次美国商务部声明中称，“福建晋华将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力，同时认为这家中国制造商生产能力的扩大很可能得益于‘源自美国的科技’”，本次禁令可视为此前美光-联电-晋华三者间专利纠纷的延续与深化。 根据声明，美国企业必须持有特定许可证，才能向晋华出口零件、软件、技术产品和服务，美国商务部希望通过出口禁令，限制晋华威胁美
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联电 晋华 DRAM
10月29日，美国商务部在官网发布公告称，将对福建省晋华集成电路有限公司实施禁售，自10月30日起正式实施。 具体来说，自30日起，美国商务部限制了美国公司对福建晋华的出口，并将其加入到了禁售清单。 美国商务部称晋华公司构成了参与违反美国国家安全利益的活动，有重大风险。 商务部认为晋华公司即将获得大规模生产DRAM的能力，而这可能源于美国技术，而且量产也会威胁到美国军用系统的供应商的长期经营能力。 商务部长罗斯表示：“当外国公司从事违反国家安全利益的活动时，我们将采取有力措施保护我们的国家安全
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福建晋华 DRAM
随着科技的发展，DIY行业又一次迎来了春天，各类产品层出不穷，而美光成为内存的老牌厂商，为无数玩家提供纵横游戏的尖端装备，近日，内部有消息称，美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品，并计划在2019年底量产。 作为DDR4内存的继任者，DDR5内存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5内存的详细规格。 从美光公布的文件来看，DDR5内存将从8GB容量起步，最高可达单条32GB，I/O带宽能达到3.2-6.4Gbps，同时电压1.1V，内存带宽将为DDR4内存的两倍。
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中国存储器产业起步较晚，我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，有望实现存储器产业的“弯道超车”，在全球竞争中占有一席之地。
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DRAM NAND 存储器
尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案，Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品，并计划在2019年底量产。 事实上，早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5内存验证模组，DRAM来自美光，接口层自研，采用台积电7nm工艺，数据率可达4400MT/s，也就是频率高达4400MHz。 根据美光的最新说法，其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产，基于18nm以下工艺，这就意味着，搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。 按照进度，JEDEC
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DRAM在过去九个季度中价格持续上涨，但随着技术渐入瓶颈，加之2018年智能手机增长势头放缓、PC出货量不断下滑、云服务盛行下服务器需求大减等影响，市场中DRAM渐趋供过于求，进而使得DRAM价格持续下跌。这种情况，对于国产厂商而言究竟意味着什么呢?
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DRAM 存储器
10月11日晚间，紫光国芯微电子股份有限公司发布公告，将转让公司旗下专注于DRAM存储器芯片设计研发的西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。 按照公告的说法，过去几年里，西安紫光国芯为保持和跟进 DRAM 存储器芯片设计领域的先进技术，持续加大产品开发投入，但受下游制造代工产能等方面的限制，短期内无法达到规模经济，经营压力加大，资产负债率不断提高，已影响到其正常持续经营，给上市公司带来了一定的资金和业绩压力，其
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紫光 DRAM
DRAM芯片涨价不断，三家垄断企业赚翻了天，净利润高达50%以上，对于很多中小企业而言，它们也想改变DRAM市场的格局，很多国家想过通过“反垄断”改变行业现状，但仍旧无济于事。
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DRAM 芯片
内存涨价今年底也要到头了，投行机构也看衰内存行业前景，认为明年内存价格会跌，不过在内存业内厂商来看，内存市场已经变天了，已经变成寡头垄断，不能再用以前的涨跌周期来看待了。
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DRAM，
今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5内存颗粒的正式量产。对此，有投资者在互动平台上提问，这是否会对紫光国微的DDR4前景造成影响?
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紫光国微，DRAM
近日国际半导体产业协会SEMI公布了最新的中国集成电路产业生态系统报告，报告显示，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16%，到2020年，这一份额将增加到20%。受跨国公司和国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。 2014年中国成立大基金以来，促进了中国集成电路供应链的迅速增长，目前已成为全球半导体进口最大的国家市场。SEMI指出，目前中国正在进行或计划开展25个新的晶圆厂建设项目，代工厂、DRAM和3D
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晶圆 DRAM 3D NAND
IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%。预计存储器IC占2018年半导体支出的53%，其中，闪存占资本支出的份额最大，而DRAM资本支出今年将以最高的速度继续增长。 如图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存尤其是DRAM和闪存生产，包括对现有晶圆厂产线和全新制作设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%，达到
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存储器 DRAM
8月20日，研究机构ICInsights发布了2018年上半年全球半导体供应商Top15榜单，三星位居第一位，英特尔位居第二位。不过遗憾的是，中国大陆暂时没有公司进入这个榜单的前15名。 根据发布的数据显示，三星、英特尔、SK海力士、台积电、镁光排名榜单的前五位，相较于去年同期，这几家公司都有比较明显的增长，特别是三星、SK海力士以及镁光，分列六至十五位的分别是博通、高通、东芝\东芝内存、德州仪器、英伟达、西数\闪迪、英飞凌、恩智浦、意法半导体和联发科。这里，英伟达数据最为抢眼，相较于去年同期，英伟
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DRAM NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了图像处理内存(graphicDRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。 展望第三季价格走势，DRAMeXchange指出，PC-OEM厂已陆续在七月份议定合约价格。就一线大厂定价来看，均价已来到34.5美元，较前一季上涨约1.5%
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