近日国际半导体产业协会SEMI公布了最新的中国集成电路产业生态系统报告，报告显示，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16%，到2020年，这一份额将增加到20%。受跨国公司和国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。 2014年中国成立大基金以来，促进了中国集成电路供应链的迅速增长，目前已成为全球半导体进口最大的国家市场。SEMI指出，目前中国正在进行或计划开展25个新的晶圆厂建设项目，代工厂、DRAM和3D
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晶圆 DRAM 3D NAND
IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%。预计存储器IC占2018年半导体支出的53%，其中，闪存占资本支出的份额最大，而DRAM资本支出今年将以最高的速度继续增长。 如图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存尤其是DRAM和闪存生产，包括对现有晶圆厂产线和全新制作设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%，达到
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存储器 DRAM
8月20日，研究机构ICInsights发布了2018年上半年全球半导体供应商Top15榜单，三星位居第一位，英特尔位居第二位。不过遗憾的是，中国大陆暂时没有公司进入这个榜单的前15名。 根据发布的数据显示，三星、英特尔、SK海力士、台积电、镁光排名榜单的前五位，相较于去年同期，这几家公司都有比较明显的增长，特别是三星、SK海力士以及镁光，分列六至十五位的分别是博通、高通、东芝\东芝内存、德州仪器、英伟达、西数\闪迪、英飞凌、恩智浦、意法半导体和联发科。这里，英伟达数据最为抢眼，相较于去年同期，英伟
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DRAM NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了图像处理内存(graphicDRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。 展望第三季价格走势，DRAMeXchange指出，PC-OEM厂已陆续在七月份议定合约价格。就一线大厂定价来看，均价已来到34.5美元，较前一季上涨约1.5%
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DRAM 美光
智能手机的涨价潮已然是一种普遍现象，Galaxy Note 9的定价逻辑或许只是新一轮涨价潮的开始，曾经标售1999元的旗舰机早已渐行渐远。
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手机 DRAM
根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。展望第三季，预期DDR4利基型内存报价水平将较接近主流标准型与服务器内存，因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动。整体而言，第三季利基型内存价格走势预估将持平。 DDR3具成本优势，短期仍为利基型记内存主流 就产品应用种类观察，首先在利基型内存需求大宗的电视，今年出货量持稳，约为2.157亿台。不过
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DRAM DDR3
几年前突然“大火”的存储行情，给业界带来的极大的冲击。在 PC 市场衰退后本就不多的 DIY 用户，要么咬牙买高价内存(DRAM)和固态硬盘(SSD)、要么咬牙推迟或干脆直接放弃了装机升级的计划。当然，市场也不是没有好消息。据集邦咨询(DRAMeXchange)所述，近期闪存降价的趋势，有望持续到 2019 上半年。 DRAMeXchange 报告称，2018 年 3~4 季度，NAND 闪存的平均销售价格，预计将下降 10% 。集邦认为，市场需求较低的情况下所增长的产能，是推动这一趋势的主要原因。
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闪存 DRAM
在最近发布的《麦克莱恩2018年中期报告》(McClean Report 2018)中，IC Insights预测，2018-2022年全球GDP和IC市场相关系数将达到0.95，高于2010-2017年期间的0.88。 IC Insights描述了从2010年到2017年全球GDP增长与IC市场增长之间日益密切的关联，以及到2022年的最新预测。 如图所示，在2010-2017年的时间段内，全球GDP增长与IC市场增长的相关系数为0.88，这是一个强劲的数字，因为完全相关为1.0。在此期间之前的3
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DRAM NAND
今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。 而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。 目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。 近期传出合肥长鑫投产8
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NAND DRAM
美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)宣布，中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司，针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件，该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼，实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼，以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
此次对美国芯片巨头美光(Micron)发出“诉中禁令”虽不是最终判决，但似乎暗示美光确实存在侵权行为。而这是中国发展半导体一路被指称“窃密”和“侵权”以来，首次成功重拳回击。
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芯片，美光，DRAM
受惠于市场需求强力推升，服务器存储器供应持续吃紧，近来市场传出，存储器龙头厂三星与海力士18nm制程出现良率问题，应用于高阶服务器产品遭到退货，包括美国及大陆厂商已要求暂时停止出货。尽管三星对外刻意采取低调，但多家台湾地区业者近日仍纷纷接获消息，业界预计最快1~2个月左右应可改善良率，但由于第3季DRAM价格预期将缓步上升，如今再受到高阶DRAM产出供不应求，将为下半年市场价格涨幅投下变量。 根据市场消息传出，三星及SK海力士先后于5月起传出18nm制程出现质量疑虑，并遭到数据中心客户退货，且在改善
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SK海力士 DRAM
Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服务器销售额年增33.4%至166.93亿美元、出货量年增17.3%。 Gartner研究副总裁Jeffrey Hewitt指出，服务器市场是由超大规模(Hyperscale)数据中心以及企业与中型数据中心支出攀高所驱动。他还提到，服务器第1季销售均价上扬的原因之一是DRAM价格因供给吃紧而走高。 Gartner统计显示，2018年第1季北美服务器销售额、出货量分别成长34%、24.3%，亚太分别成长47.8%、21.9%，欧洲、中东与非洲(EM
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DRAM
受中美竞争特别是中兴事件的影响，国内对芯片的重视程度被进一步拔高，而在存储芯片方面随着三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫和福建晋华的快速推进让人看到中国存储芯片企业有机会打破当前由美日韩企业垄断的局面，不过要打破这一局面还需要时间。 美日韩垄断存储芯片市场 存储芯片主要分为两种，分别是DRAM和NAND flash，在我们日常见到的产品中分别是PC用的DRAM内存条和SSD硬盘，这两类产品在各个行业都有广泛的应用，而且随着各个产业的发展这两类产品的重要性正日益凸显，这也导致存储芯片价格自2016年
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芯片，DRAM
SK海力士在无锡可谓多灾多难。2008年曾经停电4个小时，2013年又发生重大火灾，都有大量晶圆报废，对全球DRAM内存、NAND闪存供应造成重大影响。
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SK海力士，DRAM
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