据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨询今日发布报告称，2023 年的 Server DRAM 位元产出比重约 37.6%，将正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%。▲ 图源：TrendForce 集邦咨询报告指出，自 2022 年起 DRAM 原厂持续将原先配置给 Mobile DRAM 的产能移转至前景相对强劲稳健的 Server DRAM，试图减轻 Mobile DRAM 端供需失衡的压力。2023 年由于智能手机出货增长率与平均搭载容量成长率仍保守，原厂的
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DRAM 市场
IT之家 2 月 10 日消息，据威刚官方消息，威刚 1 月合并营收仅月减 7.57% 为 21.77 亿元新台币。威刚表示，公司短期内仍将维持弹性且谨慎的库存策略，并随时掌握产业变化，预期内存产业供应链库存有望在今年上半年逐步去化完成，随着下半年消费性需求回笼，以及各项产品单机内存搭载容量快速成长，内存产业需求有望从第三季起恢复成长动能。威刚董事长陈立白进一步指出，目前公司对内存景气展望不变，预期本季内存价格仍处短期修正波段，但受惠于上游供应商获利不再且投片态度转趋保守，DRAM 与 NAND
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威刚 DRAM
2023 年 2 月 7 日消息，据 DT 报道称主要存储厂商包括美光、SK海力士、三星等存储大厂们的芯片库存仍在不断膨胀挤压中，库存压力巨大。不断增长的库存压力也让供销商对终端出货的预期保持谨慎，甚至预测到 2023 年第四季度才能回暖。价格方面，目前 DRAM 内存芯片价格预计一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 闪存价格预计一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手储存卡、固态硬盘 SSD 的用户，近期好价可以选择入手！
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DRAM 市场
IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨询最新报告指出，全球经济持续疲软，促使北美四大云服务供应商下修 2023 年服务器采购量，且数字可能持续下修，下修幅度由多到少依次为 Meta、Microsoft（微软）、Google（谷歌）、AWS（亚马逊云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨询预计，四家厂商服务器采购量由原先预估的同比增长 6.9%，降至 4.4%，此将影响 2023 年全球服务器整机出货年增率下降到 1.87%，进一步加剧 Server DRAM 供
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DRAM 市场
近日，美光科技宣布，其用于数据中心的DDR5服务器内存产品组合已在第四代英特尔至强可扩展处理器上得到全面验证。据介绍，美光DDR5提供的内存带宽是前几代产品的两倍，这对于推动当今数据中心处理器内核的快速增长至关重要。过渡到DDR5将提供更高的带宽以释放每个处理器的更多计算能力，从而有助于缓解未来几年的潜在瓶颈。美光DDR5结合第四代Intel Xeon Scalable处理器使包括SPECjbb在内的广泛工作负载受益，与前几代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作数）基准测试中的性能
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美光科技 DDR5 服务器内存
IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向数据中心的 DDR5 服务器内存产品组合已在第四代英特尔至强可扩展处理器系列产品中完成验证。据介绍，美光 DDR5 所提供的内存带宽相比前几代产品实现了翻番。升级到 DDR5 将带来更高的带宽，有助于充分释放每台处理器的计算能力，从而缓解其未来几年可能面临的性能瓶颈。IT之家了解到，美光数据显示，SPECjbb 在关键 jOPS（每秒 Java 运行次数）的基准测试中，性能比前代产品提升了近 49%。除了更高的内存带宽和更强的性
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DDR5 美光
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向数据中心的DDR5服务器内存产品组合已在第四代英特尔®至强®可扩展处理器系列产品中完成验证。美光 DDR5 所提供的内存带宽相比前几代产品实现了翻番，为当今数据中心快速增长的处理器内核提供更强赋能。升级到 DDR5 将带来更高的带宽，有助于充分释放每台处理器的计算能力，从而缓解其未来几年可能面临的性能瓶颈。美光 DDR5 与第四代英特尔® 至强® 可扩展处理器强强联手，可为各
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美光 DDR5 英特尔至强
IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研发的第四代 10 纳米级（1a）DDR5 服务器 DRAM 获得了近期上市的全新第四代 Xeon 服务器处理器（代号为 Sapphire Rapids）兼容认证。SK 海力士表示，采用 EUV（极紫外线）技术的 1a 纳米 DDR5 DRAM 产品获得了英特尔推出的第四代 Xeon 服务器处理器可支持的存储器认证。将通过目前在量产的 DDR5 积极应对增长趋势的服务器市场，尽早克服存储器半导体的低迷市况。新一代服务器用 CPU 上
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海力士 DDR5
IT之家 12 月 26 日消息，韩国《首尔经济日报》表示，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。业内消息人士称，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，12 英寸晶圆月产能可达 7 万片，明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片（共 10 万），高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2 万片产能。三星电子计划利用新的设备生产 12 纳米级 DRAM。截至今
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三星 晶圆代工 DRAM
三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5
DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
12月19日，美光宣布，与AMD在奥斯汀建立联合服务器实验室，以减少服务器内存验证时间。目前美光适用于数据中心的DDR5内存和第四代AMD EPYCTM（霄龙）处理器均已出货。长期以来，超级计算机承担着高性能计算工作负载。此类大规模的数据密集型工作负载需要运行TB级的数据量以进行数百万个并行操作，以解决人类世界的难题，如天气和气候预测；地震建模；化学、物理和生物分析等。随着计算机架构的进步，此类工作负载往往托管在超大型“可横向扩展”的高性能服务器集群中。这些服务器集群需要集合最强大的算力、架构、内存和存储
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美光 AMD DDR5
IT之家 12 月 19 日消息，据美光发布，美光与 AMD 双方在奥斯汀建立联合服务器实验室，以减少服务器内存验证时间，在产品验证和发布期间共同进行工作负载测试。目前美光适用于数据中心的 DDR5 内存和第四代 AMD EPYCTM （霄龙）处理器均已出货，官方对其进行了一些常见的高性能计算（HPC）工作负载基准测试。长期以来，超级计算机承担着高性能计算工作负载。此类大规模的数据密集型工作负载需要运行 TB 级的数据量以进行数百万个并行操作，以解决人类世界的难题，如天气和气
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美光 AMD DDR5
美光与AMD联手为客户及数据中心平台提供一流的用户体验。双方在奥斯汀建立联合服务器实验室，以减少服务器内存验证时间，在产品验证和发布期间共同进行工作负载测试。目前美光适用于数据中心的 DDR5 内存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龙）处理器均已出货，我们对其进行了一些常见的高性能计算（HPC）工作负载基准测试。 长期以来，超级计算机承担着高性能计算工作负载。此类大规模的数据密集型工作负载需要运行TB 级的数据量以进行数百万个并行操作，以解决人类世界的难题，如天气和气候预测；地震建模；化学、物理和生
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美光 DDR5 AMD EPYC
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