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ddr5 dram 文章 进入ddr5 dram技术社区

功耗降低 23%、量产率提高 20%,三星开始量产 12 纳米 DDR5 DRAM

  • IT之家 5 月 18 日消息,三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后,于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。存储芯片行业当前正处于低谷期,三星通过量产 12nm 的 DRAM,希望进一步巩固其在该领域的领先地位。IT之家从三星新闻稿中获悉,与上一代相比,新芯片的功耗降低了 23%,而晶圆生产率提高了 20%,这意味着芯片尺寸比上一代更小,单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中
  • 关键字: 三星  DDR5  DRAM  

DDR5:SK 海力士暂时领先,但三星不容小觑

  • 市场买新不买旧,但 DDR5 不是最优解?
  • 关键字: DDR5  SK 海力士  

三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星电子今日宣布,研发出其首款支持Compute Express Link™(CXL™)2.0的128GB DRAM。同时,三星与英特尔密切合作,在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。继2022年五月,三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(内存扩展器)后,又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高达每秒35GB的带宽。可扩展内存(Memory Expander)“作
  • 关键字: 三星电子  CXL 2.0  CXL  DRAM   

DRAM迎来3D时代?

三星、美光等推动普及,DDR5正进入放量期

  • 在行业下行周期时,新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。当下DDR5 DRAM作为存储领域的新产品,逐渐成为各大企业竞逐的焦点。据外媒消息报道,行业专家认为三星、美光等公司正大力推动DDR5内存普及,以此遏制半导体市场下滑的趋势。公开资料显示,DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会(JEDEC)于2020年推出的最新DRAM规范,其性能比DDR4 DRAM高了一倍。据悉,为了更高的密度和更高的性能,DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点,例如D1z或D1a (D1α)代,这是1
  • 关键字: 三星  美光  DDR5  

DDR5 Server DRAM 价格跌幅将收敛

  • 集邦咨询预估第二季度 DDR5 Server DRAM(服务器内存)价格跌幅将收敛,由原预估 15%-20% 收敛至 13%-18%。
  • 关键字: DDR5  DRAM  

DDR5服务器DRAM价 Q2跌幅料收敛

  • 服务器新平台英特尔Sapphire Rapids与超威Genoa机种量产在即,但近期市场上传出服务器DDR5 RDIMM的电源管理IC匹配性问题。研调机构集邦科技(Trendforce)认为,该情况将产生两种影响,DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重,另外内存将停留在旧制程,因此预估第二季DDR5服务器DRAM价格跌幅将收敛。 首先,由于仅MPS(芯源系统)供应的电源管理IC无状况,DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次,目前原厂DDR5服务器DRAM生产仍停留在旧制程,短期内供给量难
  • 关键字: DDR5  服务器DRAM  Trendforce  

Server DDR5 RDIMM传PMIC问题,供给受限跌幅将收敛

  • 服务器新平台Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa机种量产在即,但近期市场上传出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性问题,目前DRAM原厂与PMIC厂商均已着手处理。TrendForce集邦咨询认为,该情况将产生两种影响,首先,由于仅MPS(芯源系统)供应的PMIC无状况,DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次,目前原厂DDR5 Server DRAM生产仍停留在旧制程,短期内供给量难免受此事件影响,故预估第二季DDR5 Server DRAM
  • 关键字: Server  DDR5  RDIMM  PMIC  

先进封装推动 NAND 和 DRAM 技术进步

  • 先进封装在内存业务中变得越来越重要。
  • 关键字: 封装  NAND  DRAM   

SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM

  • 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字节)**的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后,又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人(AI Chatbot)产业的发展,高端存储器需求也随之增长,公司将从今年下半年起将其推向市场,以满足
  • 关键字: SK海力士  堆叠HBM3  DRAM  

利基型DRAM市场Q2回稳

  • 据媒体报道,尽管消费性电子应用需求复苏缓慢,但华邦电总经理陈沛铭指出,第二季与客户洽谈合约价格已看到止稳迹象。华邦电是一家利基型存储器IC设计、制造与销售公司,其产品包括利基型存储器(Specialty DRAM)、行动存储器(Mobile DRAM)以及编码型闪存(Code Storage Flash Memory)。存储器产品主要以DRAM、NAND Flash为主。从产品价格上看,在NAND Flash方面,此前据TrendForce集邦咨询3月30日调查指出,即便原厂持续进行减产,然需求端如服
  • 关键字: 利基型  DRAM  

存储产品价格大跳水:三星将减产 DDR4,转移到 DDR5 / LPDDR5 解决供过于求问题

  • IT之家 4 月 10 日消息,在芯片低迷导致存储产品价格大跳水的背景下,三星电子第一季度业绩营业利润暴跌 95.8%,终于顶不住压力宣布减产。这是自 1998 年金融危机以来,三星时隔 25 年首次制定正式减产方案。据韩国《中央日报》援引业内人士消息,三星的减产计划聚焦以 DDR4 为代表的通用产品,位于华城市的内存产品线产量将削减 3 至 6 个月。消息人士表示,虽然产能有所增加(通过技术性减产),但与去年 2 月和 3 月的同期相比,晶圆总投入已经减少了 5-7%。三星电子在其华城和平泽园
  • 关键字: 存储芯片  DDR4  DDR5  三星  

2023年内存芯片趋势

  • 2023 年,存储芯片的跌势仍在延续,何时止跌还是未知数。
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  NAND  

第二季DRAM均价跌幅收敛至10~15%,仍不见止跌讯号

  • TrendForce集邦咨询表示,由于部分供应商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已经启动DRAM减产,相较第一季DRAM均价跌幅近20%,预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过,由于2023下半年需求复苏状况仍不明确,DRAM均价下行周期尚不见终止,在目前原厂库存水位仍高的情况下,除非有更大规模的减产发生,后续合约价才有可能反转。PC DRAM方面,由于买方已连续三季大减采购量,目前买方的PC DRAM库存约9~13周,而PC DRAM原厂已进行减产,TrendForce集
  • 关键字: DRAM  止跌  TrendForce  

DRAM市况何时回温?存储厂商这样说

  • 当前,由于消费电子市场需求持续疲弱,当前存储器卖方面临库存高企压力,以DRAM和NAND Flash为主的存储器产品价格持续下探。为避免存储器产品再出现大幅跌价,多家供应商已经开始积极减产,尽管2023年第一季价格跌幅将有所收敛,但集邦咨询仍预估当季DRAM价格跌幅将达13~18%,NAND Flash均价跌幅为10~15%。对于第二季DRAM产业市况发展,近日,南亚科和华邦电给出了各自的看法。李培英:下半年市况将有所好转南亚科总经理李培英认为,受高通货膨胀与供应链不顺影响,今年上半年将是DRAM市况最差
  • 关键字: DRAM  存储  
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ddr5 dram介绍

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