- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高启全是全球 DRAM 领域最资深的人士之一。
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DRAM
- IT之家 7 月 5 日消息，据多个韩国媒体报道，三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工（DS）部门和 DRAM 部门负责人，被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先，三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰（Jegae Jeong）被任命为事业部最高技术负责人（CTO），而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时，负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换，由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊（Hwang Sang-jun）接管，被业界解读为对 HB
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三星 DRAM
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布面向新兴的DDR5 DRAM服务器和客户端系统推出客户端时钟驱动器（CKD）和第三代DDR5寄存时钟驱动器（RCD）。凭借这些全新驱动器IC，瑞萨仍旧是唯一一家为双列直插式存储器模块（DIMM）、主板和嵌入式应用提供完整DDR5存储器接口组合的供应商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分别达到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的传输速度均有所提升。CKD支持高达7200MT/s的速度，是业内首款与小型DIMM
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瑞萨 时钟驱动器 RCD DDR5 DIMM
- IT之家 6 月 7 日消息，内存厂商在今年第一季度推出了单条 48GB 的非二进制内存，双槽即可实现 96GB，四个内存插槽全插满可实现 192GB 的内存容量。美光今天宣布开始量产 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其带宽相当于 DDR4 内存的两倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 处理器的要求。IT之家注：目前在服务器领域主要使用的内存类型 (DIMM) 有三种 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全称为 Registered DIM
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美光 DDR5
- 6月5日，DRAM大厂南亚科公布2023年5月自结合并营收为新台币23.09亿元，月增加2.17%、年减少62.74%，仍创下今年新高水准。累计前5月合并营收为新台币109.94亿元，年减少66.42%。据中国台湾媒体《中时新闻网》引述南亚科总经理提到，DRAM市况预期第三季产品价格可望回稳。南亚科总经理认为，以今年整体状况而言，DRAM需求成长率可能低于长期平均值，但DRAM是电子产品智能化的关键元件，未来各种消费型智能电子产品的推陈出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工厂、智能汽车、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已经完成了 1bnm 的开发，这是 10 纳米工艺技术的第五代，并对针对英特尔至强处理器的 DDR5 产品的内存程序进行验证。海力士的 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim 说，1bnm 将在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等产品所采用。英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特尔一直在与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一个针对
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海力士 DDR5
- 5月26日，韩国媒体The Elec引用知情人士消息称，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度，方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限，增加DRAM制造的效率。报道称，如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比，芯片DIE面积可以减少30%左右。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点颇多。不过三星认为，与SK海力士和美
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三星 4F2结构 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F² DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F² 级别，在不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。三星组建了专业的团队，研发 4F² 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。在漏极（D）上方安装一个
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三星 DRAM
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元，环比下降21.2%，已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升，其余均衰退；平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善，价格依旧续跌，然而在原厂陆续减产后，DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季，虽出货量增加，但因价格跌幅仍深，预期营收成长幅度有限。营收方面，三大原厂营收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新机备货订单有限，出货量与平均销售单价（ASP）同步下跌，营收约41.7亿美元，环比下降24.7%。
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DRAM TrendForce
- 受消费电子市场需求疲弱影响，存储产业2022年下半年以来持续“过冬”，加上今年一季度为市场淡季，供过于求关系下，产业库存高企。第二季度存储产业市况如何？未来是否将有所好转？近期，南亚科、华邦电两家存储厂商对此进行了回应。南亚科：库存逐步去化，部分应用领域已出现急单近期，媒体报道，DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。为满足市场应用需求趋势，南亚科持续开发高速与低功耗产品，在技术推进上，20纳米产品
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存储厂商 DRAM
- 伴随存储芯片价格筑底，关于半导体周期拐点将临近的讨论越来越热。
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存储芯片 DRAM
- 今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5
DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
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