- 去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。
存储芯片市场阴霾的表现，迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布，将
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三星 DRAM 存储芯片 MRAM PRAM
- 7月28日消息，据台湾媒体报道，DRAM厂商力晶新获大客户日月光4.5亿贷款，用来偿还即将到期的公司债。
消息传来，不但激励股价涨停，从28日开始还将取消力晶全额交割限制，恢复普通交易。
力晶从日月光贷款4.5亿的代价就是力晶将抵押子公司瑞晶的股权。
月初，金士顿以及力成已向力晶援手40亿。尽管好消息不断，力晶依旧相当低调，因为半年报一公布还是相当难看，预估力晶上半年将亏损70亿，加上南科、茂德以及华亚科预估整体DRAM业，上半年亏损将达到350亿元。
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力晶 DRAM
- 据国外媒体报道，全球第二大计算机内存芯片制造商海力士半导体近日表示该公司第二季度净亏损4100万美元。这也是海力士连续第七个季度亏损。
第二季度，海力士净亏损为507亿韩元（4100万美元），去年同期净亏损为7078亿韩元。根据彭博社新闻对13位分析师的调查，市场原预期海力士第二季度能录得490亿韩元的净利润。
海力士营运亏损同比扩大21%至2212亿韩元，高于去年同期1834亿韩元的营运亏损水平。根据彭博社的调查，市场原预期海力士第二季度营运亏损为1900亿韩元。
海力士在声明中表示：&ldquo
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海力士 DRAM 内存芯片
- 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
- 台“经济部”日前宣布“DRAM产业再造方案”，即日起以三个月为期受理申请政府参与投资。令人关注的是，原先受经济部相中、赋予产业重整重责大任的“真命天子”TMC公司，如今已经贬为“庶人”，须与其它DRAM制造厂平起平坐竞逐国家资金。业者指出，此举形同宣告原先的DRAM整并计划破局，一切都回归原点。事情发展到今天这样的局面，容我们直言，马政府中必须要有人负起政治责任。
在三周之前，媒体报导日本政府已经决定
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TMC DRAM
- 据台湾媒体报道，台湾DRAM厂茂德科技董事会日前决议，与合作伙伴韩国海力士半导体 (Hynix)签订停止合作协议书。茂德表示，未来将转与台湾内存公司(TMC)等合作。
茂德甫于去年5月与海力士签署策略联盟合约，不仅延续双方既有的技术合作伙伴关系，海力士将技转50纳米世代堆叠式DRAM制程技术给茂德;海力士还斥资新台币34.56亿元，取得5.76亿股茂德私募增资股。
此外，海力士资深副总裁Min Goo Choi也于今年茂德股东常会董监事改选中，顺利当选董事。
只是在茂德制程技术尚未推
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海力士 DRAM 50纳米
- 台塑集团布局DRAM产业更趋积极，除集团挹注资金、争取国发基金投资，近期传出华亚科有意让英特尔(Intel)投资入股，打算藉由办理海外存托凭证(GDR)或私募时进行，目前整起投资案正由外资机构评估中。存储器业者透露，华亚科拟引进英特尔投资，主要关键系说服英特尔藉由这次支持DRAM产业动作，阻止三星电子(Samsung Electronics)在全球存储器市场坐大，甚至威胁英特尔在半导体产业地位。
存储器业者透露，华亚科拟以GDR或私募方式引进英特尔资金，除争取资金挹注，另一个重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
- 随着全球PC厂商准备应对返校季节和圣诞节的销售，DRAM计算机内存价格正在上涨。由于微软Windows 7操作系统即将推出，内存价格上涨将超过人们的预期。
Windows 7将在10月22日推出的消息令人们兴奋不已。主要原因是Windows 7到目前为止的测试结果赢得了好评，引起了Windows 7最终将把Windows XP用户吸引过来的希望。Windows XP在市场上占统治地位已经有8年时间了。Windows 7还为PC应用一些新功能铺平了道路。这种情况也会推动销售。
据DRAMeX
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三星 DRAM 内存芯片
- 7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。
据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生产效率和成本竞争力。
三星电子表示，新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50
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三星 40纳米 Dram
- 电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。
该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。
三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。
该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。
ETnews报称，芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术，比如采用40纳米制程生产DRAM和
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三星 DRAM 30纳米 NAND
- 三星传出下半年将投入大笔资金发展存储器先进制程，对于台湾DRAM厂来说，又将面临一次严峻的考验。
DRAM厂目前最欠缺的就是金援，以现在全球DRAM业者来看，很难靠一己之力对外筹资。也因此，包括韩国、日本等国政府都已出手金援，相形之下，台湾DRAM厂迄无政府资金奥援，俨然落居劣势。
由于资金压力紧迫，加上政府产业再造计划仍没有进一步具体动作，甚至连政府挹注TMC资金都还没到位，近期台塑集团旗下南科、华亚科已抢先发动募资计画，将有助提升台湾DRAM 产业竞争力与韩系业者势力抗衡。
伴随
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三星 DRAM 存储器
- 2009年DRAM产业景气从谷底爬出，各家DRAM厂盛行缩衣节食，日前也传出海力士(Hynix)大砍2009年的资本支出近一半，全年支出仅约16亿美元，但分析师预估，将海力士的自有厂房与意法半导体在大陆合资的无锡厂一并计算，2009年的总资本支出也顶多10亿美元，较目前规划的金额减少6亿美元，充分反应对存储器市场看法的保守;此外，台系DRAM厂只有南亚科和华亚科下半年转进50纳米，2009年资本支出规划超过新台币100亿元，力晶资本支出不到50亿美元，茂德更无资本支出可言。
DRAM业者表示，以
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海力士 DRAM 存储器
- CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor)大厂豪威科技(OmniVision)与台积电合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的传感器新产品，陆续获得一线智能型手机OEM厂设计案(design win)，预计本季度开始大量出货。
豪威已开始扩大对台积电下单，台积电(2330)也已完成1.1微米间距BSI制程传感器的功能测试，并计画在12寸厂以65纳米投片。
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台积电 CMOS 传感器 65纳米
- 几十年来，摩尔定律所阐述的生产力效益定律一直是半导体行业发展的驱动力。它催生了数字处理器、宽带和大容量存储器。这些技术大幅提升了PC、手机等产品的生产力。然而，经济学正给半导体行业带来革命性转变。未来，“新摩尔定律”将发挥重要作用。
产品研发从性能驱动转为经济学驱动
半导体产业是个相对年轻的产业。自摩尔定律预测芯片上晶体管的数量每18个月翻一番以来，半导体器件制造商一直追求生产力的提升。这一定律确实没错。如今消费应用的SoC可能集成了几亿个晶体管。然而，半导体产业正
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NXP 摩尔定律 CMOS 晶体管
- 法国市场研究机构Yole Development针对微机电系统(MEMS)市场发表最新报告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服务，使得该领域变得高度分散与高竞争性，但又是整体MEMS产业不可缺少的一块。
Yole表示，大型的开放MEMS代工厂现在都很赚钱，并开始升级到8吋晶圆制程;不过由于MEMS在消费性应用领域的高成长性，以及来自其它高潜力应用市场的商机，也吸引了许多来自主流半导体产业的新进者投入竞争。
Yole并指出，由于这些来自半导体产业的新进者，具备能结合CMOS技术
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MEMS 晶圆 CMOS
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