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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

台湾DRAM厂面临内忧外患

  •   三星破天荒公布第二季获利预估,优于市场预期,业界认为作多意味浓厚,三星主要业务涵盖面板、手机、半导体晶片等三大领域,以现况来看,面板需求畅旺无虞,但半导体芯片,尤其是DRAM与NAND Flash两大存储领域,则仍有观察空间。   近来包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等岛内外大厂,纷纷看好下半年DRAM价格走势,为市场信心吞下一颗定心丸。   但业界忧心,三星第二季整体获利超乎市场预期,在记忆体价格仍未见明显起色下,是否会以其他部门的获利,来弥补存储事业亏损,进而持续以&
  • 关键字: 三星  DRAM  半导体芯片  

台塑集团和TMC战火激烈 台DRAM产业发展路线再起争论

  •   华亚科总经理于9日发表对台湾DRAM产业整合的建言,9日更传出台塑集团抢在TMC前面,向“经济部”和国发基金送出DRAM整合企画书;惟对此南亚科和华亚科表示,在几天前的确以南亚科的名义,向工业局送出研发补助草案,非正式送件,也与DRAM整合无关,正式的整合计画书将于近期送出;惟台塑集团和TMC之间的战火,各方互不相让。   “经济部”针对台湾DRAM产业整合成立TMC,选定尔必达作为台湾技术主轴,引发不少DRAM业者的抗议声浪,台塑集团首先出面拒绝加入
  • 关键字: TMC  DRAM  

台塑将申请政府注资 投入DRAM技术开发

  •   台塑集团的DRAM晶片厂南科、华亚科近日向台“经济部”提出资金援助申请,希望政府支持台塑集团投入技术开发计划。预计将向政府争取国发基金的资金挹注,额度约在200亿至300亿台币。   在台湾当局今年年初出面主导成立台湾记忆体公司(TMC),希望藉此进行动态随机存取记忆体(DRAM)产业整合再造後,台塑集团在4月初时曾表示,与海外技术夥伴美光不会加入TMC阵营,反之希望政府比照TMC,予以资金等支持。   报导引述华亚科总经理高启全称,有鉴政府将挹注资金给新的TMC公司,现也
  • 关键字: TMC  DRAM  

台湾DRAM厂 面临内忧外患

  •   三星破天荒公布第二季获利预估,优于市场预期,业界认为作多意味浓厚,三星主要业务涵盖面板、手机、半导体晶片等三大领域,以现况来看,面板需求畅旺无虞,但半导体芯片,尤其是DRAM与NAND Flash两大存储领域,则仍有观察空间。   近来包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等岛内外大厂,纷纷看好下半年DRAM价格走势,为市场信心吞下一颗定心丸。   但业界忧心,三星第二季整体获利超乎市场预期,在记忆体价格仍未见明显起色下,是否会以其他部门的获利,来弥补存储事业亏损,进而持续以&
  • 关键字: 三星  DRAM  存储器  

韩国三星发布采用45nm工艺技术的应用处理器

  •   韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品。   该处理器配备有英国ARM工作频率533MHz或667MHz的CPU内核“ARM1176”。CPU内核、芯片上的所有硬件加速器及周边部件接口均由工作频率166MHz、64bit总线“AXI”连接。   还配备有支持现行及新一代多值NAND闪存的错误订正用硬件,以及支持移动DDR或D
  • 关键字: 三星  45纳米  CMOS  S5P6440  

集成电路发展哲理

  •   半导体技术极其丰富多彩,身陷其景,会有“不识庐山真面目,只缘身在此山中”的感触。为此,既要“近赏细微”,又要“临空浏览”,以期从中领悟到一些哲理。   本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的螺旋式发展史事,探讨主流半导体技术的发展哲理,供大家参考讨论。   发展历程   根据IC Knowledge 的归纳[1],可以把集成电路(IC)的发展历程划分为四个阶段:
  • 关键字: 集成电路  CMOS  EPROM  DSP  DRAM  MPU  200907  

在危机中寻找突破点

  •   在金融海啸中,博通(Broadcom)公司2008年增长了25%,成了半导体行业的明星企业。不过该公司在2009年一季度营收有所下降,博通的解释是增长率会根据产品或者最终市场和季节性有所差别,并且很大程度上受到了金融危机的影响。不过,博通尤其是WLAN部门的发展经验可圈可点。   Michael Hurlston    Broadcom公司副总裁   兼无线连接集团WLAN事业部总经理   运营成本控制   博通擅长运营成本控制,不同的事业部有不同的特点:一些
  • 关键字: Broadcom  WLAN  65纳米  CMOS  PA  Wi-Fi  200907  

英特尔美光及三星开始NAND缩微大赛

  •   全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。   按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。   在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。   究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸
  • 关键字: 三星  DRAM  NAND  存储器  

台湾媒体社论:政府救DRAM产业救到那里去了?

  •   日本经济产业省日前依据“产业再生法”,决定透过该国政策投资银行(DBJ),对DRAM大厂尔必达投资300亿日圆,DBJ并将与日本民间四大银行连手提供超过1,000亿日圆融资,协助尔必达度过难关。日本经济产业大臣二阶俊博在记者会上表示,“尔必达的经营若出状况,将对日本电子产业造成极大影响,因此政府决定提供金援”。   看到这则新闻,让人不无感慨。马英九去年12月4日曾告诉外籍记者:“台湾DRAM厂倒了,我们的IT产业就糟糕了。”他
  • 关键字: TMC  DRAM  手机  

基于CMOS阈值电压的基准电路设计

  • 摘要:在数/模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点,提出一种新的设计方案,电路中不使用双极晶体管,利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电
  • 关键字: CMOS  阈值电压  基准  电路设计    

应用于智能手机的的高性能、小封装逻辑电平转换方案

  •   近一两年来,在苹果公司iPhone手机的带动下,智能手机市场迅速扩大。智能手机等便携产品的一个重要特点是功能越来越多,从而支持更广泛的消费需求。但智能手机等便携产品内部用于支持不同功能的集成电路(IC)或模块的工作电压往往不同,如基带处理器和应用处理器电压一般在1.5 V至1.8 V之间,而现有许多外设工作电压一般为2.6至3.3 V,如USIM卡、Wi-Fi模块、调频(FM)调谐器模块工作电压为2.8 V,而相机模块为2.7 V。      因此,智能手机等便携产品中的不同IC与外设模块之间
  • 关键字: 安森美  智能手机  电平转换器  CMOS  

全球DRAM及NAND零售价推动毛利率上升

  •   市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。   原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零售价开始利润有所好转。   由于供应商担心是持久力问题,加上英特尔美光联盟推出34纳米芯片,贸易中间商为了促销给出更大的折扣,导致同样在零售市场也看到与DRAM相似情况,近期DRAM合同价格趋势在零售价基础上有点小的波动。虽然6月下半月无论DDR2及DDR3的价
  • 关键字: 英特尔  DRAM  NAND  34纳米  

高清视频CMOS电流舵数/模转换器的设计

  • 摘 要:高清晰电视(HDTV)和无线通信网络的发展,对转换器速度和精度提出了更高的要求。基于新型传输门(TG) 结构组成的电流源单元矩阵和译码逻辑电路,提出一种适用于高清晰视频使用的高速8位CMOS电流舵数/模转换器(
  • 关键字: 转换器  设计  电流  CMOS  视频  高清  转换器  

基于电流折叠技术的CMOS全差分VCO设计

  • 摘 要:针对目前通信系统应用上对压控振荡器的片上集成、宽调谐、调幅、启动特性和功耗等提出的综合性要求,分析和设计了一种压控调频调幅振荡器,其延迟单元采用全差分结构,以消除共模噪声和增加延迟控制的灵活性
  • 关键字: CMOS  VCO  电流  折叠技术    
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