- 按全球第一大光刻设备供应商ASML公司的预估，其Q1的销售额将从08年Q4的4.94亿欧元下降到1.84亿欧元，而去年同期为9.19亿欧元，下降达80%。
ASML预计Q2的销售额在2.1-2.3亿欧元间，因为受工艺制程的进一步缩小推动，产业可能会在今年下半年开始复苏，订单回归到4.0-5.0亿欧元。新的工艺制程会要求购买新的或者升级现有的设备。
如08年仅只有各领域的领先者在购买设备，主要集中在如闪存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客户。预计2009年会加速工艺制
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ASML 光刻 DRAM
- DRAM价格持续低于现金成本;2009年资本支出大减56%
随着全球DRAM产业面临了超过二年的不景气，加上去年下半年金融风暴袭卷造成消费需求急冻之下，2008年DRAM颗粒价格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb价格回到了0.88美元均价，但仍在材料成本与现金成本之间，在DRAM厂本身面临到极大的现金流出压力下，不仅要大幅减产因应，对新制程转进，也在大减资本支出下延后时程。根据集邦科技调查统计，全球2009年的DRAM资本支出已经下修至54亿美元，比起2008年时122亿
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集邦 DRAM 摩尔定律
- 美国密歇根大学科学家开发出一种由纳米级忆阻器构成的芯片，该芯片能存储1千比特的信息。发表在《纳米快报》(Nano Letters)上的此项研究成果将有可能改变半导体产业，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或电脑成为可能。
忆阻器是一种电脑元件，可在一简单封装中提供内存与逻辑功能。此前，由于可靠性和重复性问题，所展示的都是只有少数忆阻器的电路，而研究人员此次展示的则是基于硅忆阻系统并能与CMOS兼容的超高密度内存阵列。CMOS指互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
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CMOS 芯片 忆阻器
- 设计了一款3．7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化，并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0．18 μm CMOS混合信号制造工艺，芯片面积为0．4 mm×1 mm。测试结果显示，芯片的工作频率为3．4~4 GHz，根据输出频谱得到的相位噪声为一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明，该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能，可以用于锁相环和频率合成器。
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CMOS GHz VCO LC
- 继三星电子和海力士之后列世界第三位的存储芯片企业——日本尔必达公司总经理坂本幸雄作为日本半导体业界的先锋队队长站了出来。本月初他与台湾政府结成“反韩国半导体同盟”，主导“打倒韩国”的计划。
坂本幸雄在接受日本媒体采访时表示：“我们要改变世界存储芯片市场的格局，形成日本和台湾同盟占有40%市场，三星电子30%、其余企业30%的市场格局。”也就是说，他根本没把世界排名第二的海力士放在眼里。
坂本幸雄
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海力士 DRAM 存储
- 台湾政府面临对台湾记忆体公司(Taiwan Memory)越来越严格的审查。为了改革台湾陷入困境的动态随机存取存储器(D-Ram)芯片业，台湾政府成立了台湾记忆体公司。
台湾立法院经济委员会昨天通过了一项提案，要求政府定期提供有关台湾记忆体公司的报告。
提出提案的反对党立委潘孟安表示，台湾记忆体公司的结构已经与立法者和行业的预期大不相同。“台湾记忆体成立时，我们以为它能加快产业整合，帮助台湾与韩国竞争，但希望的火花变成了昙花一现。”
台湾记忆体公司是为了应对D-Ram产业迄今
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TMC Dram
- 日前日本政府与台湾当局达成共识，将针对日本半导体大厂尔必达公司及台湾当局出资设立的台湾内存(TMC)公司的合作提供支持。
报导指出，日本经济产业省的审议官木村雅昭近日造访台湾当局，一致同意期待尔必达与TMC的合作。
日本本期国会将审议有关产业活力再生特别措施法(简称「产业再生法」)的修正案，尔必达正考虑在修法之后，运用官方的纾困金以增强资本。
日本政府也在检讨该修正案通过后，如何提供具体的支持。
报导指出，TMC是台湾官民合资所成立的新公司。尔必达于4月1日决定将与TMC合作。
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TMC DRAM
- 台湾内存公司(TMC)可望在4月30日前正式向行政院国发基金递出投资申请书，台塑集团亦不甘示弱，提出新台币300亿元(新台币，下同)投资申请，“工业局”局长杜紫军对此表示，“行政院”国发基金收到台塑集团申请后，亦会受理审查。由于政府乐见业界良性竞争，因此，会由工业局撰写投资TMC和台塑集团的建议书给国发基金，供该基金管理会做投资审查参考。
近期TMC将完成公司设立，最快赶在4月底前向国发基金申请投资，国发基金管理会在收到TMC投资申请后，将启动一连
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TMC DRAM
- 全球DRAM厂持续减产，以减少亏损及资金流出，并放缓制程技术推进时程;集邦科技预期，今年全球DRAM产业资本支出约54亿美元，年减56%。
集邦科技表示，50纳米制程技术每片晶圆颗粒产出量可望较60纳米制程增加40%至50%，有助于制造厂降低成本达3成以上。
只是集邦科技估计，以目前DRAM制程来看，DRAM生产线升级至浸润式技术所需设备费用，及其它转进新制程所需支出，每1万片产能需要1亿美元左右的资本支出。
而减少资金流出，为DRAM厂当务之急，期能安然度过这波景气寒冬，因此，集邦
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集邦 DRAM
- 台塑集团旗下南科董事长吴嘉昭近日表示，台塑集团会在DRAM领域坚持走下去，而美光技术在当下是「上选」，如果政府不帮忙，南科和华亚科也会自强，将办理增资，改善财务结构。吴嘉昭指出，南科在DRAM制程技术研发说可说是一步一脚印，在8年前就与IBM等公司一起投入，已拥有相当的技术，目前研发团队约 800人，至今投入研发经费也已新台币400亿元，虽然负担相当大，但8年来已具备深厚基础，希望政府重视南科在这方面的努力。
南科在去年和美光签订10年密切而对等的合作开发合约，吴嘉昭说，双方在 1-2年内将共同
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台塑 DRAM 内存
- DRAM整并计划出现戏剧化发展，台塑集团宣布，美光将全面移转技术给台塑集团旗下的华亚科、南亚科两家DRAM厂，并公开表示不加入台湾内存公司(TMC)。
美光和台塑集团联姻，彻底打乱了“经济部”成立TMC，意图整并国内DRAM产业的一盘棋。尤其，TMC日后和尔必达完成结盟后，不仅要力抗韩国DRAM业的强大竞争压力，还要面对台塑集团的正面挑战，可说腹背受敌。
TMC成立以来，目前仅得到政府承诺提拨300亿元的资金挹注，论财力，远不及台塑“家大业大&rdquo
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台塑 DRAM
- IBM与法国原子能署下属的电子资讯科技实验室(CEA/LETI)近日宣布将合作研究开发半导体与纳米电子相关技术。双方将就22nm制程工艺有关的高级材料，设备及制造工艺方面进行合作，合约期为5年。
研究工作将在IBM公司在东Fishkill的300mm工厂，Nanotech/意法半导体公司在法国Crolles的工厂以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm设施中展开。而来自CEA/LETI的一支研究团队则将在Albany Nanotech公司开展这项研究工作。CEA/LETI将不会加入I
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IBM CMOS 22nm
- 台湾“经济部”及TMC(台湾内存公司)欲一举整合美、日、台DRAM产业，共同对抗韩国，但此愿景目前已宣告落空。据《苹果日报》报导，美光 (Micron)合作伙伴华亚科总经理高启全证实，美光已向TMC筹备召集人宣明智表明不加入意愿。TMC则低调不回应。
宣明智在4月1日记者会上还表示美光参加意愿颇高，但美光执行长Steve Appleton之后在法说会中表示，他对产业再造意愿不高，与尔必达合作并不适合美光。负责实际谈判任务的华亚科执行副总Michael Sadler更直言，
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美光 DRAM
- 台湾半导体产业协会(TSIA)指出，2008年台湾IC产业产值约为1兆3743亿元，较前年减少了8.1%;预估今年仍将持续受到全球景气衰退影响，整体产值更将掉至兆元之内，约9845亿元，年减 26.9%，其中又以IC制造业衰退33.5%最多。
根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)所公布的数据，2008年全球半导体市场全年总销售值达2486亿美元，较2007年衰退2.8%;总销售量达5606亿颗，较2007年衰退3.4%;2008年平均销售价格为 0.444美元，较2007年成长0.7%。
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IC 晶圆 DRAM
- 4月上旬DRAM合约价再度持平，这已是DRAM合约价连续10周几乎是纹风不动，近期DRAM厂和PC OEM大厂拉锯战升温至最高点，由于全球DRAM价格持续低于现金成本，以全球每1季DDR2产出18亿颗、每颗平均成本1.8~1.9美元计算，过去10周价格拉锯战，造成全球DRAM厂亏损金额逾新台币500亿元。DRAM厂表示，现在DRAM模块占PC成本只剩下3%不到，相较于过去高峰期达10%比重，实在令业者感慨不已!
内存业者表示，近期尽管DDR2现货价格来回涨跌，合约价却都是不动声色，只要合约价涨不
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Samsung DRAM
cmos.dram介绍
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