锐迪科微电子 (RDA) 日前宣布，其应用于地面数字电视接收的高性能射频接收芯片量产，这也是在该领域国内首颗成功上市的芯片，标志着国外芯片垄断国内市场的历史从此改写。该芯片型号为 RDA5880，采用 CMOS 工艺，QFN32 5*5封装，片外器件极少，具备高集成度的特点，支持自动增益控制模式，能够支持目前所有的数字电视广播传输标准(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模拟电视标准，支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
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RDA 地面数字电视 射频接收芯片 CMOS RDA5880
近日， Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)发布一款完整的、全球兼容的混合电视调谐器(hybrid TV tuner)，该Si2170组件在CMOS单芯片上集成了模拟电视解调器。利用Silicon Labs备受肯定的数字低中频架构，Si2170成为业界首个性能超越传统分立式电视调谐器的硅电视调谐器(Silicon TV tuner)，不仅能为电视生产厂商提供更佳的画质，更带来卓越的模拟和数字广播接收能力。超高集成度可减少100多个分立器件的使用，针对数字电视(iDTV)、机
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Silicon CMOS 电视调谐器
战国时代群雄割据，秦始皇一统天下，成就了后来的西汉盛世。如今的台湾DRAM产业，也面临群雄割据与经营艰辛的困境，到了需要有人出面主导整合再造的时机，因此像台湾内存公司(TMC)这种角色的存在，确有其必要性。
然而，当前DRAM业若要整合，并非光比谁的技术强，最重要的还是钱，尤其在价格萎靡不振，各厂都面临资金庞大压力时，「钱是英雄胆」才是王道哲学。
就目前台湾两大DRAM阵营来看，美光有台塑集团撑腰，尔必达也将陆续获得日方巨额金援，各有其利基之处，两强之间的争霸，势必还有一番厮杀。TMC出面
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TMC DRAM 内存
2009年6月24日，恒忆(Numonyx)与三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布将共同开发制定相变存储器(Phase Change Memory，PCM)产品的市场规格，两大存储器厂商的携手再次印证了“商场上没有永远的对手”。
韩国三星电子称霸存储器行业已有多时，其DRAM市场近30%、闪存市场近40%的份额长期无可撼动。而恒忆作为存储器行业的新宠，其正式成立距今不过一年左右的时间。它的主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM，并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
南亚科努力进行营运转型，如期在6月底之前达成减资和增资的动作。日前办理10亿股的私募，正式以每股私募价格新台币12.22元的定价，取得122.2亿元的资金，认购人包括南亚塑料、台湾化学纤维、台湾塑料、台塑石化、麦寮汽电和长庚医疗财团法人，全数由母公司相关企业力挺到底，成为台湾第1家获得营运资金的DRAM厂，南亚科表示，三厂(Fab3)要尽快转入50奈米的堆叠式技术制程，降低成本结构。
台塑集团对外宣示不加入TMC以来，以实际行动力挺自家DRAM厂进行营运体质强化运动，并挹注新的营运资金，使得旗下
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南亚 DRAM 50纳米 DDR3
新闻事件：
飞思卡尔半导体传感器装运量突破10亿只
行业影响：
飞思卡尔在业内商用汽车传感器供应商中排名第一
代表了飞思卡尔与客户的一个重要里程碑
飞思卡尔半导体提供的传感器技术创新，帮助全球客户过去三十年在汽车、消费、工业和医疗产品上实现重大变化。飞思卡尔一直在传感器领域处于领先地位，最近其传感器装运量突破10亿只，取得重要里程碑。
飞思卡尔提供行业内范围最广的传感器产品系列，在成熟的传感器市场中拥有强劲的发展趋势，该市场涵
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飞思卡尔 传感器 CMOS
台湾DRAM芯片制造大厂——力晶半导体上周五表示，今年资本支出将远低于50亿台币，较去年10月时的预估减少一半以上。
力晶副总经理谭仲民在年度股东大会场边向路透表示，由于制造已升级至65纳米，基本上以现有制程生产即可，因此资本支出也就大幅下降。
力晶在去年10月的投资人说明会中曾表示，今年资本支出目标为100亿台币。力晶自2007年第二季至今年第一季已连亏损八个季度。
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力晶 DRAM 65纳米
据《日本经济新闻》网站最新消息，为了确保日本在最先进的半导体产业领域的国际竞争力，未来3年内，日本政府和民间将总共为半导体巨头尔必达(Elpida)提供2000亿日元(约合21亿美元)融资。
报道说，为了帮助尔必达进行企业重建，除了日本政策投资银行和大型商业银行，国际协力银行也将提供紧急融资。此外，日本官方与民间共同组建的基金——“产业革新机构”也将向其提供资助。
尔必达是日本最大DRAM生产商。报道说，2000亿日元的融资将在未来3年内帮助
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尔必达 DRAM
继台积电上周于技术论坛中广发MEMS英雄帖后，中芯MEMS部门升格为独立部门，以展现深耕MEMS市场决心。中芯表示，踏入此市场仅约1年，但预计2009年底前，已有3项商品已可进入大量投产，而市场上每项MEMS产品，中芯至少都有1个客户，因此对中芯来说，MEMS成长潜力值得期待。
台积电于上周举办技术论坛中对于MEMS市场相当看好，指出进入MEMS市场到现在为止已有7年，当中已累计出多项制程及IP技术，除此之外，台积电更已可提供标准制程(StandardProcess)，让MEMS客户可安心至台积
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中芯国际 MEMS IP CMOS SoC
按Yole Developpement报道,全球MEMS工业正面临之前从未有过的停滞,2008年的销售额下降2%,达68亿美元,其2009年非常可能增长率小于1%。然而当汽车电子,工业压力传感器及打印头市场随着全球经济下滑时,许多新的MEMS应用却得到切实的增长。
MEMS在消费类电子产品中,如加速度计,陀螺仪的市场继续看好,推动供应商如STMicron(日内瓦),Invensense(加州桑尼威尔),其销售额有10-30%增长。随着MEMS在医疗电子和诊断设备的应用扩大,其市场继续增大。今年新
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MEMS 传感器 CMOS 芯片堆叠封装 TSV 纳米印刷
台积电在MEMS领域历经7年苦练后，与客户关系由接受指导，转变成共同合作开发，台积电主流技术事业发展处处长刘信生自信表示，台积电MEMS将迎头赶上国际IDM厂商脚步，相信2010年台积电MEMS将进入收成期。
刘信生在出席台积电技术研讨会时指出，台积电在MEMS上布局已有7年左右，经过几年努力，相信已可迎头赶上IDM大厂。台积电现已能提供多种标准制程模块(Process Module)供客户使用，包含蚀刻模块、掏空模块等，MEMS客户至台积电投产，仅需针对MEMS产品内部架构设计，其余交给台积电
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台积电 MEMS CMOS 晶圆代工
不仅扩充先进制程研发、产能，台积电主流制程技术也将积极抢攻整合组件厂(IDM)的电源管理IC市场，台积电主流技术事业发展处长刘信生表示，目前台积电在电源管理IC约150亿~160亿美元市场市占率约个位数，绝大部分市场由IDM业者把持，不过未来他看好IDM业者产能不足情况下转单到晶圆代工的可能性，同时也将全力扶持台湾IC设计客户抢进此一市场。
刘信生表示，在电源管理市场规模约150亿~160亿美元中，几近8~9成是由IDM业者所把持，目前台积电不论在设计环境与制程平台上都已做足准备，积极抢攻此市场
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台积电 电源管理IC IDM CMOS
采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。
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CMOS 随机数发生器 扩展频谱 振荡器
茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技术开发的疑虑。
存储器业者透露，茂德与海力士2008年底达成共识，将技转54纳米制程DRAM技术，但转换至5
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茂德 DRAM 65纳米
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