在去年的Freescale全国大学生智能车大赛中，赛道信息检测方案总体上有两大类：光电传感器方案和摄像头方案。前者电路设计简单、信息检测频率高，但检测范围、精度有限且能耗较大;后者获取的赛道信息丰富，但电路设计和软件处理较复杂，且信息更新速度较慢。在比较了两种方案的特点并实际测试后，我们选择了摄像头方案。本文将在获得摄像头采集数据的前提下，讨论如何对数据进行处理和控制策略的实现。
数据采集
我们选择了一款1/3?OmniVision?CMOS摄像头，用LM1881进行信号分离，结合AD采样
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飞思卡尔 智能车 传感技术 CMOS 摄像头
据国外媒体报道，美国科技巨头IBM的研究人员、DRAM内存芯片技术发明人罗伯特·登纳德(Robert Dennard )将于下周四获得美国电气和电子工程师协会(IEEE)颁发的荣誉勋章。
DRAM内存芯片技术发明人罗伯特·登纳德
与“摩尔定律”(Moore's Law)提出者、英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)相比，今年76岁的登纳德并不太为全球公众所熟悉。但在全球技术研发领域
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IBM DRAM 摩尔定律
继韩国海力士十二英寸封装测试项目落户无锡，其在无锡的销售中心日前也正式签约。海力士无锡工厂新任董事权五哲日前透露，十二英寸后工序项目明年初将建设完毕，届时，该集团将真正实现在无锡的一体化生产，成为中国最大的半导体生产基地。
海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在全球半导体公司中名列前茅。无锡工厂是其在海外唯一的生产基地，承担了韩国总部百分之五十的DRAM生产量，占全世界DRAM市场的百分之十。
权五哲称，金融危机下，国际内存需求量逆势上升，该公司目前内存价格较年初已上涨二倍。明年实现
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海力士 DRAM 封装测试 DDR3
Thomson Reuters12日报导，法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。
2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混合信号制程的专业半导体代工厂商，且为力旺于韩国首位取得合作的半导体代工策略
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Magnachip CMOS 传感器 液晶显示器驱动芯片 微控制器
NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。
这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂，该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。
东芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28纳米 半导体
台湾存储芯片生产商茂德科技董事长陈民良周二表示，公司正与数家企业就开展战略合作生产芯片事宜进行谈判。
陈民良在年度大会上向公司股东表示，茂德科技将利用其台中的工厂生产DRAM芯片。
该公司还将打算利用其新竹的芯片厂生产非主流DRAM产品和非DRAM芯片。
由于存储芯片行业供应过剩及全球经济滑坡导致的需求下滑，茂德科技此前八个季度连续亏损，导致公司现金紧张，举步维艰。
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茂德 DRAM 存储芯片
茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技术开发的疑虑。
存储器业者透露，茂德与海力士2008年底达成共识，将技转54纳米制程DRAM技术，但转换至5
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茂德 DRAM 65纳米
德国总理默克尔15日在柏林的一次演讲中暗示，政府可能对本国半导体企业提供财政资助，以帮助这些企业更好地与美国公司竞争。
默克尔在演讲中比较了德国英飞凌、奇梦达与美国英特尔的情况，并认为英特尔获得了美国政府经济刺激计划的慷慨支持。她表示，对欧洲仅剩的几家半导体生产商，政府可能需要对其提供资助。
数据显示，受经济衰退影响，DRAM价格过去一年下跌58%。德国半导体企业深受打击，奇梦达已经于今年1月23日申请破产保护。
据悉，由于德国9月27日将迎来全国大选，总理默克尔和其挑战者副总理兼外
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英飞凌 DRAM 半导体
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件，它能实现磁电转换，可用于检测磁场及其变化。
霍尔效应虽然在1879年才被发现，但是直到20世纪50年代才出现了对其的应用，然而器件成本很高。1965年，人们开始将霍尔传感器集成进硅芯片中，从而促进了霍尔器件的应用。
经历三大发展阶段
霍尔器件的发展大致可分为三个阶段：
第一阶段是从霍尔效应被发现到20世纪40年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大,霍尔效应十分微弱而没有引起人们的重视。到了1910年，有人用金属铋制成霍尔元件作为磁场传感器
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霍尔传感器 CMOS A/D转换器 总线接口
中国台湾存储芯片生产商茂德科技董事长陈民良周二表示，公司正与数家企业就开展战略合作生产芯片事宜进行谈判。
陈民良在年度大会上向公司股东表示，茂德科技将利用其台中的工厂生产DRAM芯片。
该公司还将打算利用其新竹的芯片厂生产非主流DRAM产品和非DRAM芯片。
由于存储芯片行业供应过剩及全球经济滑坡导致的需求下滑，茂德科技此前八个季度连续亏损，导致公司现金紧张，举步维艰。
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茂德 DRAM 存储芯片
NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器(PCM)，该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。
他表示，“我们已经看到了很好性能。下一个问题是是否继续生产。”他还补充道，这一决议还未作出。PCM的关键优势在于可以在断电时也能保存数据，作为当前环保节能战略的积极响应，因此前景十分看好。预计PCM的性能要好于闪存，并且其几何尺寸也要比闪存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存储技术
过去一向扮演DRAM市场领头羊的三星电子(Samsung Electronics)，在近期这波合约价上涨过程中，却表现异常的沈默，存储器业者表示，三星不仅不愿意跟进调涨，甚至业界不断传出三星有意不让1Gb容量DDR2价格上涨超过1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想让原本奄奄一息的台厂，再度有喘息机会，加上DRAM产业前景仍不明确，终端需求回笼迹象还不明显，但却已传出多家DRAM厂开始低调增加投片量，希望能赶上2009年下半PC市场传统旺季，这不仅让整体DRAM市场弥漫著相当诡异气氛，亦让台DRAM厂对
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三星 DRAM 晶圆 DDR2
据港台媒体报道，美国国家标准和技术研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在进行软性忆阻器 (Flexible memristor) 的开发研究，希望能为内存科技打开新的大门。这项技术虽然相当创新，但其实去年已经先由惠普对外展示它灵活的形式，让外界为之惊艳。
根据《CENT》报导，NIST 表示目前忆阻器 (memristor) 是以防晒乳与牙膏的原料─二氧化钛制造而成，是种轻薄又灵活的透明聚合物。NIS
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惠普 DRAM 内存 软性忆阻器
2008年，在国际金融危机的影响下，中国网络与通信类电子整机、计算机类电子整机、消费类电子整机产量以及汽车电子增速明显下降，这也直接导致MEMS加速度计、MEMS压力计、DMD(数字微镜元件)、喷墨打印头、硅麦克风等产品需求量快速下滑。2008年，中国MEMS市场规模达110.6亿元，同比增长21.9%，较2007年，市场增速下降接近20个百分点。
MEMS市场前景乐观
2008年，中国MEMS市场增速大幅回落。然而，作为半导体领域最为前沿的产品领域之一，未来，MEMS新型显示器、MEMS
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汽车电子 MEMS CMOS
《山寨科技创了什么新》一文(本刊5月5日号总第267期)发表以后，读者的热情反应与分歧的意见，让远在大洋彼岸的我始料未及。在本文中，我试图再次整理山寨中的创新因素，让居庙堂之高者明白，创新不必非来自于高高在上的微软、诺基亚或者默克，也不必像当年搞“两弹一星”那样举全国之力倾斜投入，关键在于利用市场全球化、技术开放化的强大推手，在国际价值产业链上配置资源。
中国要走的自主知识产权的创新道路上，山寨科技的摸索已经为我们探明了前进的路径：
研发模式：蚂蚁雄兵的模块化开发强
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TI DRAM 手机
cmos.dram介绍
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