- 台湾芯片产业正走在十字路口上，今天的决定可能影响业界未来多年的方向与活力。
目前台湾的DRAM公司太多，又都债台高筑，政府急于整合DRAM产业，因而创设台湾记忆体公司(TMC)，推动整合。政府也终于处理迫切需要改变的半导体大陆投资政策。
民间半导体业者也做好改变的准备，张忠谋回任台积电董事长，准备领导台积电进军大陆市场。联电也把自己和大陆和舰半导体的关系正常化，准备迎接即将来临的改变。
台积电与联电深知下一阶段的成长机会在大陆，也深知如果要成为大陆半导体领导厂商，必须做好全力打进市场
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台积电 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40纳米制程开始试产，尔必达(Elpida)也考虑在2010年直接从65纳米跳至40纳米制程，美光计划年底在新加坡12寸厂率先导入40纳米制程，将成为美光旗下第1个导入40纳米制程的厂房，为2010年40纳米大战来临作暖身!美光指出，虽然现在多家DRAM厂开始复工生产，但多是采用落后制程生产，也很难募得新资金升级机器设备，因此不认为全球DRAM产业供需会因此恶化。
美光表示，2009、2010年对美光而言，最大的挑战是从目前
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Samsung 40纳米 DRAM
- 随著TMC股东和班底逐渐浮上台面，美光(Micron)和台塑集团将加速送出整合计画书，美光在台代表暨华亚科执行副总勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不会成功，即使成功亦不会解决台湾DRAM产业问题，但台系DRAM厂并不会步上奇梦达(Qimonda)后尘，因为台湾12寸厂产能相当吸引人，不会像奇梦达倒了都还找不到买主，而美光在台湾DRAM产业布局策略，除华亚科之外，亦将寻求与其它DRAM厂合资(JV)机会。
现阶段TMC还未有产能奥援，初期定位以利基型存储器公司作出发，采取尔必
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美光 DRAM NAND
- 三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处内存芯片工厂进行升级改造，这一过程中将裁员500人。
三星奥斯汀半导体公司将投资5亿美元将对该工厂进行改造。该工厂将于10月份关闭，改造工作将于2009年末至2010年初开始。
今年早些时候，三星奥斯汀半导体公司在三星电子的大规模重组中裁员20人。该公司在当地拥有两家工厂，分别生产DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
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三星 内存芯片 DRAM NAND
- “2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭，产业链进一步整合是必然趋势，而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存，就必需尽快寻找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR闪存厂商Spansion(飞索)公司企业营销总监John Nation抵京，他带来了Spansion最新的第二季度财务状况，以及公司为脱离破产保护而进行的战略调整。
Spansion是全球最大的NOR型闪存制造商，也是全球最大一家专门出品闪存的企业。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM 闪存
- 台湾新成立DRAM公司——台湾创新记忆体公司(TMC)拟于第四季投入市场的计划正进入冲刺阶段，台湾半导体封测厂矽品周四表示，董事会通过将投资TMC普通股，金额10-20亿台币，为首家表态将投资TMC的企业。
矽品发言人江百宏表示，“决定投资主要是看好TMC与日本尔必达的合作模式，而且这是政府支持的产业再造计划。”
TMC公司人士则是不予置评。
为了整合台湾DRAM产业，“经济部”在今年3月便宣布主导成立TMC，由
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TMC DRAM
- 耶鲁大学的研究人员和Semiconductor Research Corp (SRC)称利用铁电材料制作存储器来代替DRAM和闪存非常合适。目前DRAM技术必须每几个毫秒就刷新一下，而铁电存储器可以持续几分钟而无需刷新。
耶鲁大学和SRC的研究人员制成了一种用于FeDRAM的铁电晶体管实验样品，该FeDRAM保存信息的时间比DRAM长1000倍，而功耗仅为DRAM的1/20，而且尺寸可以缩至ITRS上的最先进节点。
“我们的存储器的速度至少和DRAM一样快，但尺寸和闪存一样小，
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存储器 DRAM 闪存 FeDRAM
- SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
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内存芯片 CMOS FeDRAM
- 尔必达和Numonyx已经推迟它们的代工计划达6个月。NOR闪存大厂Numonyx原本与尔必达签约的第一个代工订单，计划在2009年中期开始量产，如今要推迟到2010年的上半年。
尽管近期DRAM价格回升及日本政府为尔必达注资，可是对于存储器制造商尔必达最大的问题是如何生存下来。显然尔必达还不可能如奇梦达同样的命运，退出存储器。但是日本存储器制造商需要经济剌激，因为从长远看能生存下来可能是个奇迹。
前些时候尔必达CEO己经把尔必达的生存问题提高到日本国家的利益上。但是仍有人质疑为什么要支持
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尔必达 DRAM 50nm 40nm
- DDR3需求畅旺，市场缺口本季仍无法满足，南科、华亚科、力晶等本土DRAM厂陆续放大DDR3投片量，抢食商机。
在英特尔CULV平台带动需求下，DDR3价格走势凌厉。根据集邦科技(DRAMe change)报价，1Gb DDR3现货价格已从第二季末的1.5美元附近，近期已站稳2.15美元以上，本季以来涨幅逾43%。
尽管DDR2最近也开始展开涨价行情，但现货价仍在1.45美元附近，DDR3与DDR2仍有近五成的价差，价格优势带动下，将有助推升业者营运。
在DDR3效应推升下，市调机构
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力晶 DRAM DDR3 CULV
- 曾经是欧洲最大内存厂的奇梦达进入资产拍卖阶段，而此举刚好给了大陆切入内存产业领域的大好时机!浪潮集团将于8月中收购奇梦达西安研发中心，至于苏州封测也传出将由华润集团接手，而这些收购公司背后都有国资背景，显见在官方撑腰并下指导棋的情况下，大陆内存产业链终于完备。
德国内存龙头厂奇梦达确定遭到市场淘汰，并已正式进入资产拍卖阶段。目前奇梦达的资产包括6大研发中心、美国的弗吉尼亚与德国的德勒斯登12吋晶圆厂，以及大陆、葡萄牙、马来西亚的后段封测厂。至于奇梦达在大陆的基地，只有西安的研发中心与苏州的内存后
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奇梦达 晶圆 服务器 DRAM NAND
- 据金融时报报道，尽管有迹象表明，台湾的DRAM存储芯片产业可能摆脱为期三年的低迷，但分析师和高管仍然认为，台湾可能无法充分利用改善中的市场前景。分析师普遍担心台湾DRAM存储芯片公司是否能筹足现金，为工厂引进50纳米技术。
DRAM芯片是每台计算机不可缺少的部分，但该产业的过度扩张导致产品价格大幅下跌，过去三年累计亏损150亿美元。
而经济危机更加深了该行业的困境，唯一的欧洲领先DRAM存储芯片厂商德国奇梦达今年破产。
台湾南亚科技，——世界排名第五，上周称公
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TMC DRAM 50纳米 存储芯片 DDR3
- 8月7日消息 据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经
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尔必达 DRAM 40nm 50nm 60nm
- 台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代，差点出现世代交替断层危机，公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代，直接跳到40纳米，50纳米恐成短命制程，未来真正决战点会是40纳米制程技术。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大厂2009年纷转进50纳米制程，且
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DRAM 40纳米 60纳米 50纳米
- 台湾动态随机存取记忆体(DRAM)制造大厂——南亚科周四表示，个人电脑需求量的日渐升温将助推高其第三季晶片产出;其稍早公布的第二季亏损已有所缩减。
南亚科正押注未来数月的个人笔记本电脑需求，因这类产品需要新一代效能更高的记忆体晶片;但多数分析师仍表示，南亚科今年料难由亏转盈。
南亚科副总白培霖向记者表示，“DRAM整体市场正逐步复苏，我们在接下来的几个月情况应该比较好。”
白培霖并称，公司第三季的位元产出将成长最多20%，而第二季成长率
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南亚科 DRAM DDR3
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