随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三类宽禁带功率器件，在近1 MHz高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC、单相LLC与三相LLC——对其系统效率与元件数量的影响。仿真结果表明，尽管三
关键字：
800V 半导体技术 AI数据中心 SiC 安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM
关键字：
ROHM SiC 模块 三相逆变器 参考设计
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。这些产品通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。详见罗姆官方网站。样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V A type (Small) (BST400D12P4A101
关键字：
ROHM SiC塑封型模块 SiC
2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP）助力光子学技术加速发展，发光二极管（LED）与微发光二极管（MicroLED）则依托氮化镓、砷化镓、蓝宝石及硅基平台发展。化合物半导体供应链正围绕头部企业整合：碳化硅晶圆领域有沃尔夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件领域为英飞凌科技（Infineon Tec
关键字：
化合物半导体 衬底 年复合增长率 碳化硅 SiC
英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言，这一产品意义重大：它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时，这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演
关键字：
英飞凌 IC SiC
汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能是通过逻辑信号控制驱动电机，并生成驱动电机运转所需的高频电流。牵引逆变器作为电动汽车高压电池与驱动电机之间的桥梁，核心作用是将电池输出的直流电转换为交流电，进而精准调控电机的转速、扭矩等关键运行参数。目前，市面上的电动汽车大多搭载 400V 电压平台的电池包。为实现更快的充电速度与更高的系
关键字：
SiC 电动汽车 高压 逆变器 功率模块
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过
关键字：
安森美 功率电路 SiC JFET 热插拔控制
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电流、应对不断攀升的电力需求、为什么要使用固态断路器。本文为系列教程的第二部分，将介绍SSCB 采用 SiC JFET 的四个理由。断路器制造商首要关注的是发热问题。 所有半导体在电流流过其中时都会产生热量。 这种热量可以用导通电阻来衡量， 其表示符号为 RDS(on) 。当然，
关键字：
安森美 功率电路 固态断路器 SiC JFET
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障电流已达到前所未有的水平，对保护装置的响应速度与耐受能力提出了更严苛的要求，超快速交流/直流断路器由此成为关键需求。在过去很长一段时间里，机械断路器（EMB）始终是这类保护场景的主流选择。但随着用电场景对可靠性、响应速度的要求不断升级，传统机械断路器的局限性逐渐凸显，而固态断路器（SSCB
关键字：
安森美 固态断路器 SiC JFET
全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融合，共同致力于推动汽车与工业能源管理领域的发展。利普思的功率模块凭借卓越的性能和可靠性，广泛应用于电动汽车、充电基础设施、可再生能源系统及工业功率转换等高要求场景。随着市场对高效率、功率密度及可靠性需求的不断提升，利普思正积极探索能在更高开关频率与电压下稳定运行的碳化硅（SiC）功率器件。
关键字：
Melexis 迈来芯 RC缓冲器 利普思 SiC
Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。 利用率下降、产能过剩和投资减少的循环引发了行业参与者的担忧。尽管放缓，SiC仍是电气化路线图的核心，预计到2030年设备收入将接近100亿美元。行业首个重大投资周期由2019-2024年资本支出热潮推动，造成了显著的上游产能过剩。设备资本支出在2023年达到约30亿美元的峰值，导致上游硅碳价值链出现显著产能过剩。20
关键字：
SiC yole
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英伟达Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略材料，预示着由高性能计算应用驱动的高价值增长第二波浪潮。硅基价格趋势：原材料上涨压力，高端基材价格大幅降幅SiC市场在定价动态上展现出明显的差异。一方面，散装SiC材料的价格——如黑色和绿色SiC粉末及颗粒——一直在上涨。根据包括CIP
关键字：
硅质原材料 6英寸 SiC
安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）数据中心应用中覆盖从电网到核心的完整电源树的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技术领域拥有数十年的创新积累，为固态变压器、电源、800 V直流配电以及核心供电等应用提供行业领先的解决方案。通过整合这些技术，安森美将成为少数几家能够以可扩展、实用的设计，满足现代AI基础设施严苛电力需求的公司
关键字：
安森美 奥拉 Vcore 碳化硅 SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的
关键字：
ROHM SiC MOSFET
● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充电器、可再生能源及AI数据中心等应用场景中的功率密度英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以
关键字：
英飞凌 罗姆 ROHM SiC功率器件 SiC
sic fet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic fet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic fet的理解，并与今后在此搜索sic fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473