Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示，将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅（SiC）功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如，基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外，英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
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英飞凌 小米 SU7 智能电动汽车 SiC
近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，据悉
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中宜创芯 SiC
德国顶级芯片制造商热衷于挖掘中国对特种半导体的需求。
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SiC 英飞凌
TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析S
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IGBT SiC 开关特性
在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
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GaN FET D类音频放大器
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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碳化硅 SiC MOSFET
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC 8英寸
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。图1：BESS 实施概览BESS 的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点
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安森美 SiC 电池储能
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