- 由创新科技及工业局和引进重点企业办公室共同推动，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。香港特区政府创新科技及工业局去年公布的《香港创科发展蓝图》中，明确指出应加强支持具策略性的先进制造产业发展，譬如半导体芯片，促进香港「新型工业化」的发展。作为全球最大的半导体进出口市场之一，香港更是位处大
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香港科技园公司 杰平方半导体 碳化硅 SiC 垂直整合晶圆厂
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率
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SiC IGBT模型 罗姆 LTspice模型
- L4986简介：L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器，采用专有的乘法器“模拟器”，除了创新型THD优化器，还保证在所有工条件下具有非常低的总谐波失真（THD）性能。该器件引脚采用SO封装，集成了800V
高压启动功能，无需使用传统的放电电阻。可以支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。 ST 提供两个版本：A为65 kHz，B为130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 电路简介：Double-boost 是无桥PFC的一种, 去掉了大功耗的整流桥，可以显著提
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ST SIC 第三代半导体 CCM PFC 4986 电动工具 割草机 双boost double boost 无桥PFC
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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安森美 SiC
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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碳化硅 SiC
- 近日，意法半导体官微宣布，将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势，意法半导体和博格华纳技术团队密切合作，力争让意法半导体的芯片与博格华纳的Viper功率开关匹配，最大限度提高逆变器性能，缩小电驱架构尺寸并提升经济效益。意法半导体汽车和分立器件产品部（ADG）总裁Marco Monti表示，意法半导体和博格华纳合作有助于提升沃尔沃的车辆性能
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意法半导体 博格华纳 SiC 沃尔沃
- STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案，在230 VAC输入时，测量峰值效率为96.3%
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ST 第三代半导体 SIC GNA 图腾柱PFC 无桥PFC 全桥LLC 数字电源
- ● 意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标● 博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将与提供创新和可持续移动解决方案的全球领导者博格华纳公司(纽约证券交易所股票代码：BWA)合作，为博格华纳专有的基于 Viper 功率模块
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意法半导体 SiC 博格华纳 功率模块 沃尔沃 电动汽车
- _____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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宽禁带 SiC GaN 双脉冲测试
- 在科技领域中，碳化硅芯片正如一颗闪耀的明星，逐渐崭露头角。随着移动互联网、人工智能和物联网等领域的迅速发展，芯片技术也不断突破创新。而在这股技术浪潮中，碳化硅芯片凭借其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着阿斯麦这位传统芯片巨头的重磅投资，人们开始纷纷关注，碳化硅芯片是否即将主宰市场？更高的温度耐受性碳化硅芯片，作为一种新兴的半导体材料，因其出色的性能和优异的耐受性而备受关注。其中，其更高的温度耐受性是其最大的优势之一。碳化硅芯片的高温耐受性是由其特殊的晶格结构决定的。碳化硅是由碳原子和硅原子组成的晶体，
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碳化硅芯片 SiC 阿斯麦
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款
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东芝 2200V 双碳化硅 SiC MOSFET模块
- TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
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SiC 牵引逆变器
- 随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
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SiC
- “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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SiC MOSFET 功率损耗 碳中和
- 欧洲是世界半导体的重要一极，ST（意法半导体）、英飞凌、恩智浦（NXP）被称为欧洲半导体的三驾马车，也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场，ST要靠自己找市场、摸爬滚打，以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据，ST 2022年营收158.4亿美元，年增长率为25.6%，是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业，ST是如何显露出真金本色，成为欧洲乃至世界半导体巨头的？又是如何布局未来的？表1 202
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意法半导体 MCU SiC
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