安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
关键字：
SiC MOSFET RSP
800V车型刷屏，高压SiC车载应用加速普及。实际上，近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产，多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。2024年，随着车企卷价格卷性能战略推进，将进一步拉动SiC渗透。SiC迎来800V高压平台风口◆ 800V架构成为电动汽车主流电动化进程持续推进，安森美（onsemi）电源方案事业部汽车主驱方案部门产品总监Jonathan
Liao指出预计到2030年将有1.5亿辆新能源汽车驶上道路。但从消费者角度看购买电动车的两大顾虑是续航里程和充电便利性
关键字：
SiC 逆变器 功率模块
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKIN
关键字：
优晶科技 8英寸 SiC 单晶生长设备
6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半导体）在官网披露，其与ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，为电动汽车（EV）开发基于碳化硅（SiC）的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍，GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器，可延长电动汽车的续航里程、减少充电停车次数、同时降低OEM厂商的系统级成本。据了解，牵引逆变器是电动汽车电力传动系统的
关键字：
恩智浦 SiC 逆变器
● 意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效● 双方成立创新联合实验室，共同推动节能智能化电动汽车发展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌
关键字：
吉利汽车 ST SiC 意法半导体
6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、高级驾驶辅助（ADAS）和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。据数据显
关键字：
ST 吉利汽车 SiC
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、
关键字：
SiC ADAS 新能源汽车
能源是人类生存和发展的重要物质基础，能源转型则是当今国际社会关注的焦点问题，随着全球对环境保护意识的增强和能源危机的担忧，新能源市场的需求正在快速增长。 当前全球汽车产业电动化正在深度推进，在新能源革命浪潮下，新能源汽车产业成为各国重点发力方向。随着新能源汽车技术的日趋成熟，充电基础设施快速发展。近年来，我国已建成世界上数量最多、服务范围最广、品种类型最全的充电基础设施体系。目前按照1公桩=3个私桩的测算，中国2023年增量市场的纯电动车的车桩比已经1：1，领先世界其它国家数倍
关键字：
充电桩 新能源汽车 SIC
电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上，至少在本世纪下半叶之前，SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件，衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步，以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性？为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性，还需要哪些改进和发展？SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物，与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行，并能有效处理更高电压，从而增强电动汽车的功率密度
关键字：
SiC 电动汽车 功率器件
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
关键字：
第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
关键字：
Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
关键字：
SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
SiC技术似乎已成为蔚来旗下新车型标配。蔚来在去年12月发布的行政旗舰车型ET9，搭载了蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5C，呈现出来的效果就是充电5分钟，续航255公里。近日，蔚来旗下又一款搭载SiC技术的车型正式发布，这便是其全新品牌乐道的首款车型L60。据悉，乐道全域采用900V高压架构，包括电驱系统、热泵空调、辅助加热器（PTC）、车载充电机（OBC）、直流电压变换器（DC-DC）均为900
关键字：
Sic 新能源汽车 蔚来
Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示，将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅（SiC）功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如，基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外，英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
关键字：
英飞凌 小米 SU7 智能电动汽车 SiC
近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，据悉
关键字：
中宜创芯 SiC
sic fet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic fet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic fet的理解，并与今后在此搜索sic fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473