据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亚科技 华邦电子 HBM
一块搭载了英伟达N1X处理器的惠普开发板（HP 83A3）在Geekbench上亮相。在Geekbench的测试中，运行Linux（Ubuntu 24.04.1）的N1X处理器在单核测试中获得了3096分，在多核测试中获得了18837分，平均频率为4GHz。数据显示这款处理器为20线程配置，由于Arm通常没有像英特尔那样的超线程技术，因此很可能是20个物理核心，类似于英伟达迷你超算所搭载的GB10。同时，该开发板可能配备128GB系统内存，其中8GB预留给GPU。其性能已经接近甚至超过了当前市场上的一些顶
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英伟达 Arm PC 芯片 SoC 处理器 联发科
端侧AI里程碑：面壁大模型+英特尔酷睿Ultra首日协同优化效率提升220%；面壁智能端侧大模型首日上线，英特尔工程师联合优化实现2.2倍推理效率跃升；AI PC时代加速：面壁智能端侧大模型适配酷睿Ultra，效率提升220%；推理速率提升2.2倍！面壁推出MiniCPM 4.0系列LLM模型，英特尔助力带来端侧性能体验；英特尔锐炫B60联合面壁MiniCPM 4.0，端侧首次支持高达128K上下文窗口
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美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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自从 USB Implementers Forum 技术演示以来，我们一直在介绍小型、可逆的 USB Type-C 连接器，从那时起的十多年里，该端口逐渐风靡全球。它逐渐从笔记本电脑迁移到游戏机、PC 配件、Android 手机、电子阅读器和 iPhone。尽管存在一些问题和缺点，但与十年前相比，我们更接近于一个可以做所有事情的单一连接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 从一开始就内置的一个弱点是，物理连接器的规格总是与 USB 协议本身的规格（即给定端口能够达到的数据传输速度）、用于充电的
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Microsoft USB-C PC
据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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三星 HBM LSI DRAM 半导体 晶圆代工
根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 方面，DDR5 价格已显现放缓迹象，预计 25 年第三季度整体 DRAM 价格涨幅将有所缓和。至于 NAND 闪存，现货价格在 2 月下旬以来上涨后已达到相对较高的水平，购买势头现在正在降温。详情如下：DRAM 现货价格：与 DDR4 产品相比，DDR5 产品仍然会出现小幅现货价格上涨。然而，DDR5 产品的平均现货价格已经相当高，在某些情况下甚至高于合同价格。因此，上升趋势最近有所缓和。组件公司和现货交易员仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
据路透社报道，据报道，英特尔正在考虑剥离其网络和边缘业务组 （NEX），以专注于 PC 和数据中心。计划包括出售该部门并将其与另一家公司合作。据说英特尔已经与其他公司谈过这个计划。4 月，它以 87.5 亿美元的价格将 Altera 51% 的股份出售给 Silver Lake。之前的合作伙伴关系销售是与投资公司 Apollo 进行的，Apollo 斥资 110 亿美元收购了英特尔在爱尔兰的 Fab 34 49% 的股份，另一家是英特尔将其 IMS 纳米制造业务 20% 的股份出售给贝恩资本据说英特尔已经
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英特尔 网络和边缘业务 PC 数据中心
5月19日下午，华为召开新品发布会，其中最重磅的产品当然是形态颇为另类的 —— MateBook Fold折叠电脑，有32GB+1TB和32GB+1TB两个版本，售价分别为23999元和26999元。超大折MateBook Fold华为MateBook Fold采用了全球最大的双层OLED显示屏，也是行业中首次采用LTPO技术的电脑显示屏，支持自适应刷新率。这块屏幕HDR峰值亮度为1600nits，分辨率为3.3K。屏幕展开后屏幕尺寸为18英寸，比例为4:3 ，折叠状态下尺寸为13英寸，比例为3:2，整机
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5 月 14 日，Rambus 宣布推出专为客户端芯片组设计的下一代 AI PC 内存模块的完整阵容。这包括两个为客户端计算量身定制的新型电源管理 IC （PMIC）：用于 LPDDR5 CAMM2 （LPCAMM2） 内存模块的 PMIC5200 和用于 DDR5 CSODIMM 和 CUDIMM 内存模块的 PMIC5120。PMIC5200 针对 LPDDR 电源轨进行了优化，可提供出色的电源转换精度和效率。PMIC5120 目前支持高达 7200 MT/s 的数据传输速率，并且旨在在未来扩展到更高
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Rambus 内存模块 AI PC
作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布推出面向下一代人工智能（AI）个人电脑（ PC）内存模块的完整客户端芯片组，包含两款用于客户端计算的全新电源管理芯片（PMIC）。PMIC是实现高效供电的关键，能够为先进的计算应用提供突破性的性能表现。这两款业界领先的全新Rambus PMIC分别是适用于LPDDR5 CAMM2（LPCAMM2）内存模块的PMIC5200，以及适用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
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Rambus AI PC 内存模块 客户端 芯片组
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
在特朗普加征关税之前囤积数据推动的 DRAM 需求激增似乎是真实的。据韩国 Etnews 报道，三星一年多来首次提高了 DRAM 价格，其中 DDR4 的涨幅最大。该报告表明，三星在 5 月初与主要客户敲定了新的定价条款，已将 DDR4 价格提高了约 20%。与此同时，该报告补充说，DDR5 价格的涨幅较小，约为 5%。三星第二季度利润或将得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 价格是以数月为基础进行谈判的，因此最近的上涨预计将在一段时间内支持盈利能力，从而为三星第二
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款通过AEC-Q200认证、采用紧凑型薄形SOT-227封装并可安装在散热片上的全新厚膜功率电阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可选配用于内部温度监测的NTC热敏电阻和用于更高效安装的预涂相变热接口材料（PC-TIM），在80°C底壳温度下可提供高脉冲处理能力和高达200W的高功率耗散。日前发布的器件采用裸露铝衬底取代金属片，可用作预充电、放电、主动放电或缓冲电阻，降低汽车、工业和航空航天等应用的
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据 ComputerBase 称，英伟达和联发科预计将在 2025 年台北国际电脑展上推出他们联合开发的基于 Arm 的 PC 处理器。即将推出的芯片 N1X 和 N1 针对台式机和笔记本电脑，标志着 Nvidia 更深入地进入 Windows-on-Arm 生态系统。然而，由于未解决的技术障碍，零售可用性可能会推迟到 2026 年，Heise 援引 SemiAccurate 的话说。两家公司的首席执行官 — 英伟达的黄仁勋和联发科技的 Rick Tsai
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