根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期价格差异的限制，实际交易中变得稀缺。详情如下：DRAM 现货价格：关于 DDR4 产品的现货价格，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了大幅度的月度涨价，之前的价格下跌趋势有所缓和。目前，DDR4 市场显示现货价格已停止下跌，交易量有明显增加。转向 DDR5 产品，随着合约价
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存储 DRAM DDR4
根据商业时报 和 Tom's Hardware 的报道，英伟达和联发科的 N1X AI PC 平台发布计划据报道已被推迟，联合开发的下一代处理器的发布时间已从 2025 年下半年推迟至 2026 年第一季度。如商业时报所述，N1X 是英伟达和联发科共同开发的第一个 Windows on Arm PC 处理器。据报告中引用的消息称，N1X 是之前推出的个人 AI 超级计算机 Project DIGITS（DGX Spark）中使用的 GB10 G
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英伟达 Arm AI PC
随着 JEDEC 于 7 月 9 日发布 LPDDR6 标准，内存巨头正竞相满足来自移动和 AI 设备的激增需求。值得注意的是，据行业消息人士援引 商业时报 的报道，DDR6 预计将于 2027 年进入大规模应用。领先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已经启动了 DDR6 开发，重点关注芯片设计、控制器验证和封装模块集成。正如商业时报所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片设计，现在正与内存控制器和平台参与者如英特尔和 AMD 合作进行接口测试。在
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DDR6 DRAM 存储
中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角，从传统 DRAM 开始，在国内市场需求和政府补贴的推动下，中国内存正在提高其竞争力。此外，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia
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CXMT YMTC DRAM NAND
随着内存制造商逐步淘汰 DDR4，预计出货将在 2026 年初结束，合同价格持续上涨。据中国的 华尔街见闻 报道，SK 海力士已将 DDR4 和 LPDDR4X 内存的合同价格上调约 20%，标志着新一轮价格上涨。这种趋势与 TrendForce 的发现相呼应，该机构指出，三大主要 DRAM 供应商正在将产能重新分配给高端产品，并逐步淘汰 PC、服务器级 DDR4 和移动 LPDDR4X。因此，据 TrendForce 预测，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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DDR4 DRAM 存储
涨频和 BIOS 调校爱好者 TrashBench，使用 DIY 散热器将老牌 Nvidia 显卡 GeForce GTX 1060 推至 2,202 MHz。这位 Reddit 用户和 TechTuber 坚持使用这款老 GeForce 的官方 BIOS 和官方电压，但自制的铜管散热器只能被合理地形容为“非同一般”。抛开美观不说，这款散热器让这张显卡在官方 3DMark Fire Strike 图表中取得了惊人的五倍胜利（适用于配备 Core i5-12600KF
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PC 硬件 GPU
根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产能资源，加上中国国家补贴的减弱效应，导致现货市场低迷。详情如下：DRAM 现货价格：尽管过去一周现货价格略有下降，但这主要反映了之前 DDR4 芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4 消费级 DRAM 芯片的现货价格继续上涨，而 8Gb DDR4 等
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内存 DDR4 DRAM
上周，台湾地区顶级 DRAM 制造商南亚科技据报道暂停了 DDR4 现货报价，因为价格飙升。现在，随着 DDR4 16Gb 芯片的价格几乎是同等 DDR5 的两倍——这是 DRAM 历史上的第一次——该公司有望从其大量库存中获利，根据经济日报的最新数据，引用了 DRAMeXchange 的数据，DRAMeXchange 是一个趋势力旗下的 DRAM 定价平台。随着三星、美光和中国芯片制造商缩减 DDR4 生产，南亚科技已成为该行业的主要供应商。据报告称，南亚科技第一季度库存飙升至创纪录的 37.59 亿新
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DDR4 DRAM 存储
东京科学研究所在 IEEE电子元件和技术会议 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的进展。“这些新技术可以帮助满足高性能计算应用的需求，这些应用需要高内存带宽和低功耗以及降低电源噪声，”该研究所表示。BBCube 结合使用晶圆上晶圆 （WOW） 和晶圆上芯片 （COW） 技术，将处理器堆叠在一堆超薄 DRAM 芯片上。将处理器放在顶部有助于散热，而该研究所的面朝下的 COW 工艺最初是为了摆脱焊接互连而开发的，而是在室温下使用喷墨选择性粘合剂沉积。用于 300mm 晶圆，实现了 10μm 的
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DRAM 处理器 3D堆栈集成
随着三星和美光等主要内存制造商减少 DDR4 生产并价格上涨，据报道，台湾地区的主要供应商南亚科技已暂停报价，这表明供应紧张和需求增长，据经济日报报道。行业消息人士进一步解释说，报价暂停主要发生在现货市场，而在合同市场，供应商正在囤积库存并稳步推高价格。TrendForce 的最新调查发现，由于两大主要 DRAM 供应商减少 DDR4 生产以及买家在美国关税变化前加速采购，服务器和 PC 的 DDR4 合同价格预计将在 2025 年第二季度大幅上涨。因此，服务器 DDR4 合同价格预计环比将上涨
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DRAM 存储 市场分析
据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亚科技 华邦电子 HBM
一块搭载了英伟达N1X处理器的惠普开发板（HP 83A3）在Geekbench上亮相。在Geekbench的测试中，运行Linux（Ubuntu 24.04.1）的N1X处理器在单核测试中获得了3096分，在多核测试中获得了18837分，平均频率为4GHz。数据显示这款处理器为20线程配置，由于Arm通常没有像英特尔那样的超线程技术，因此很可能是20个物理核心，类似于英伟达迷你超算所搭载的GB10。同时，该开发板可能配备128GB系统内存，其中8GB预留给GPU。其性能已经接近甚至超过了当前市场上的一些顶
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英伟达 Arm PC 芯片 SoC 处理器 联发科
端侧AI里程碑：面壁大模型+英特尔酷睿Ultra首日协同优化效率提升220%；面壁智能端侧大模型首日上线，英特尔工程师联合优化实现2.2倍推理效率跃升；AI PC时代加速：面壁智能端侧大模型适配酷睿Ultra，效率提升220%；推理速率提升2.2倍！面壁推出MiniCPM 4.0系列LLM模型，英特尔助力带来端侧性能体验；英特尔锐炫B60联合面壁MiniCPM 4.0，端侧首次支持高达128K上下文窗口
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AI PC 推理优化 面壁 英特尔
美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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英特尔 软银 HBM DRAM 三星 SK海力士
自从 USB Implementers Forum 技术演示以来，我们一直在介绍小型、可逆的 USB Type-C 连接器，从那时起的十多年里，该端口逐渐风靡全球。它逐渐从笔记本电脑迁移到游戏机、PC 配件、Android 手机、电子阅读器和 iPhone。尽管存在一些问题和缺点，但与十年前相比，我们更接近于一个可以做所有事情的单一连接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 从一开始就内置的一个弱点是，物理连接器的规格总是与 USB 协议本身的规格（即给定端口能够达到的数据传输速度）、用于充电的
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