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High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？
- 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
- 关键字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
- 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
- 关键字： ASM NXE:3800E EUV 光刻机 High-NA
英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？
- HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。
- 关键字： 英特尔 ASML HIGH NA光刻机
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？
- 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
- 关键字： 英特尔 High-NA EUV 台积电
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
- 关键字： SK海力士 High-k Metal Gate
拆解报告：MOMAX Q.POWER PRO无线二合一移动电源（IP99）
- 摩米士推出了一款MOMAX Q.POWER PRO无线二合一移动电源，拿起就是无线充电宝，放在底座就是立式无线充。此前我们已经推出过产品详细开箱评测，移动电源支持主流快充协议，无线充则支持5W/7.5W/10W无线充电。产品兼容广泛，性能强悍，使用方便 。为了了解产品用料如何，接下来要为大家带来的就是这款产品的拆解报告。一、MOMAX Q.POWER PRO无线二合一移动电源开箱MOMAX无线充移动电源外形为长方体，壳体由上下两部分组成，上壳体是白色亚克力面板，十分光滑。中间印制“MOMAX”Logo，并
- 关键字： MOMAX Q.POWER PRO
人工智能之Q Learning算法
- 人工智能机器学习有关算法内容，请参见公众号“科技优化生活”之前相关文章。人工智能之机器学习主要有三大类：1)分类;2)回归;3)聚类。今天我们重点探讨一下Q Learning算法。 ^_^ 通过前一篇TD-Learning时序差分(请参见人工智能(48)算法介绍，我们知道，TD-Learning时序差分是结合了动态规划DP和蒙特卡洛MC(请参见人工智能(31))方法，并兼具两种算法的优点，是强化学习的中心。 TD-learning时序差分大概分了6类。其中，策略行动价值qπ的off-policy时
- 关键字： 人工智能 Q Learning
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