Credo Technology（纳斯达克股票代码：CRDO）近日正式宣布推出其基于台积电5nm及4nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品，该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求，包括：超长距（LR+）、长距（LR）、中距（MR）、超极短距（XSR+）以及极短距（XSR）。 Credo IP产品业务开发助理副总裁Jim Bartenslager表示， “Credo先进的混合信号以及数字信号处理（DSP）1
关键字：
Credo 台积电 5nm 4nm SerDes IP
1. 5G发展会带来的影响和好处有哪些？ 5G 的发展会为半导体行业带来哪些挑战？5G，即第五代无线网络技术，为移动电话带来超高速率（数据传输比 4G LTE 快 100-200 倍），在流媒体应用上响应更快、延迟更少，并为人工智能 (AI)、虚拟现实 (VR)、混合现实、物联网设备、自动驾驶、精密的云应用程序服务、机器间连接、医疗保健服务等领域的发展铺平了道路。然而，为了充分实现 5G 的潜在应用场景，我们需要许多其他的组件来支持该全新的基础设施，其中半导体设备的比重也不断增加。其包括高容量
关键字：
KLA 5G 半导体 制造 工艺
Wear OS手表终于可以得到它们迫切需要的升级版芯片了（通过9to5Google）。高通公司在Twitter上发布的一段视频中预告了这种可能性，表示其下一个Snapdragon智能手表芯片 "即将推出"。去年夏天，在三星和谷歌宣布合作开发Wear OS 3之后，高通公司表示它将在明年推出一款新芯片。看起来高通公司正在履行这一承诺，尽管我们不知道它将何时推出。(也许谷歌会在其即将推出的Pixel Watch中使用它）。骁龙芯片为一些Wear OS手表提供动力。但其最近的一款，即Wear
关键字：
智能手表 高通 4nm
据国外媒体报道，推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电，在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展，预计在明年年中就将开始风险试产 —— 也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。业界估计，台积电2nm试产时间点最快在2024年，并于2025年量产，之后再进入1nm以及后续更新世代的“埃米”制程。台积电去年底正式提出中科扩建厂计划，设厂面积近95公顷，总投资金额达8000亿至10000亿元新台币，初期可创造4500个工作机会。以投资规模及近百公顷设厂土地面积研判，除了规划2nm厂
关键字：
台积电 2nm 制程 工艺
AMD 在近日的2022 年金融分析师日的演讲中，展示了其下一代“Zen 5”CPU 微架构。该公司最新的 CPU
微架构路线图还证实，带有 3D 垂直缓存 (3DV Cache) 的“Zen 4” CCD 核心在大量生产中中，包括
EPYC（霄龙）“Genoa”处理器产品线。
AMD 表示，目前已经完成了“Zen 3”架构的设计目标，将其构建在 7 nm 和 6 nm 节点上。新的“Zen 4”架构将在 5 nm
节点 (TSMC N5) 上首次亮相，
关键字：
AMD 4nm Zen5处理器
Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布，首次上了性能+能效的异构设计，今年的13代酷睿代号Raptor Lake，下半年发布，属于12代的改进版，明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改，升级Intel 4工艺，也是Intel首个EUV工艺。 14代酷睿的架构也会大改，第一次采用非单一芯片设计，弹性集成多个小芯片模块，包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封
关键字：
英特尔 EUV 4nm
业界经常议论摩尔定律接近终点，但是由于站立角度不同，看法各异，也很正常。推动半导体业进步有两个“轮子”，分别是尺寸缩小及硅片直径增大，其中尺寸缩小为先。从逻辑工艺制程观察，由1987年的3微米制程到2022年的3纳米量产，平均每2年开发一代新的制程，是逻辑工艺制程激荡的35年。在逻辑工艺的进程中，英特尔曾作出过巨大的贡献，如在2001年发明了称为应变硅（strained silicon）用在90纳米中，及2007年推出了45纳米的HKMG（高k金属栅极），以及于2011年在22纳米时推出了3D Tri-G
关键字：
摩尔定律 芯片 工艺
4 月 25 日消息，根据爆料者 @Moore's Law is Dead 的最新消息，下一代 NVIDIA GeForce RTX 40 系列游戏显卡采用的 Ada Lovelace GPU 核心基于台积电 4nm 工艺制造，在节点上要比 AMD 的 RDNA 3 更有优势。在过去的几年里，台积电的 N5 节点几乎被苹果芯片独揽。但随着台积电产能逐渐增加，开始有越来越多的公司采用新的工艺技术，台积电也被迫努力提高其产能。根据 DigiTimes 的一份报告，台积电今年将增加其 N5 产能约 25
关键字：
GPU 英伟达 RTX 40 台积电 4nm
2022年会有更多的厂商进入5nm节点，除了苹果之外，AMD今年推出的Zen4处理器也会升级台积电5nm，具体产品就是锐龙7000，最快9月份之前就上市了，不过这一代处理器的成本大增，因为5nm代工价格实在是太贵。 根据之前乔治敦大学沃尔什外交学院安全与新兴技术中心（CSET）发布的一篇报告，台积电7nm工艺代工的12英寸晶圆价格要9300美元左右，5nm工艺代工价格则要17000美元左右，3nm工艺将进一步增加到30000美元。 AMD的Zen4升级到了5nm工艺，理论上成本增加将近一倍，而且这
关键字：
台积电 骁龙 芯片 工艺
据媒体报道称高通已将3nm
AP代工订单独家交给了台积电。不仅如此，有业内人士称，高通还将部分4nm骁龙8旗舰处理器的部分代工订单交给台积电。当时我听到这个消息一方面为台积电感到高兴，另一方面心中出现质疑：为什么高通没有选择三星？而近期外媒的爆料给出了这个答案。2月25日，据韩国媒体爆料称，近期三星电子怀疑三星半导体代工厂的产量及良率报告存在“造假”行为，正计划开展一项内部调查。据悉，三星电子DS部门（三星电子旗下半导体事业暨装置解决方案事业部，三星晶圆代工业务隶属于该部门）近期正接受管理咨询部门就三
关键字：
4nm 良率 三星晶圆代工
据国外媒体报道，供应链方面的人士透露，台积电的晶圆代工价格在今年将全面上调，过去没有被涨价的大客户苹果，也已接受。从供应链人士透露的消息来看，台积电16nm及优化的12nm、7nm及优化的6nm、5nm及优化的4nm等先进制程，2022年平均价格约较2021年上涨8-10％，28nm及成熟制程工艺的代工价格将上涨约15%。苹果A16处理器采用的4nm价格亦上涨，不过因为是最大客户，涨幅将低于其它先进制程客户。供应链的消息人士还透露，作为台积电的第一大客户，苹果此前的代工价格从未被上涨，但在代工产能紧张，难
关键字：
苹果 台积电 4nm
2019年AMD与三星达成合作，三星基于此打造了全新的Exynos 2200处理器，原本应该在1月11日发布，但已经取消。Exynos
2200处理器预计会用于三星新一代的Galaxy S22系列旗舰机中，后者还会有新一代骁龙8的版本，但Exynos
2200因为是三星自研的，GPU非常吸引人，所以很多人都在期待Exynos 2200的正式发布。 这次推迟发布之后，三星没有公布原因，也没有提及新的发布时间，爆料称会在1月底2月初再发布，赶在S22系
关键字：
三星 Exynos 2200 处理器 4nm
今天一早，高通公司正式宣布了新一代旗舰处理器骁龙8 Gen 1。 雷军通过视频的方式现身会议现场，并表示小米12将全球首发骁龙8 Gen 1芯片。 据知名爆料博主 数码闲聊站最新消息：春节前上市的骁龙8新旗舰远不止小米，不过现在小米12系列已经进入产能爬坡期，首批备货和同期产品不是一个量级，是比较容易买到的骁龙8新旗舰机。 另一点则是提到小米12的供货问题，他表示小米12的备货非常充足，甚至现在已经开始了产能爬坡，将会在发布会前后实现大规模量产输出，远超同期产品。 同时，小米12此次也将更加容
关键字：
高通 小米 4nm
今年安卓阵营高端旗舰芯片市场，高通推出了骁龙888、骁龙888 Plus和骁龙870，联发科推出了联发科天玑1200、天玑1100等芯片。 展望明年，高通2022年主打的旗舰芯片为骁龙898（暂命名），而联发科这边还将会推出两款旗舰处理器，来跟高通进行竞争。 今天下午，博主 数码闲聊站爆料，明年发哥会施压高通，一颗真旗舰芯片、一颗次旗舰芯片已在路上。 其中真旗舰芯片基于台积电4nm工艺制程打造，次旗舰芯片基于台积电5nm工艺制程打造。 当前联发科天玑1200和天玑1100两颗旗舰芯片都是台积电
关键字：
高通 台积电 4nm
高通骁龙888巨大的发热量让市场诟病，即使采用降频的策略，却仍略有遗憾。正因如此，大家便期待骁龙888继任者——骁龙898能够通过三星4nm工艺，将发热的问题进行改善。日前，骁龙898首个跑分现身Geekbench平台，信息显示，搭载该处理器的为vivo还未推出的新旗舰机型。根据Geekbench跑分来看，搭载骁龙898处理器的vivo旗舰单核跑分为720分，多核跑分为1919分。 &
关键字：
骁龙898 三星 4nm
4nm 工艺介绍
您好，目前还没有人创建词条4nm 工艺!
欢迎您创建该词条，阐述对4nm 工艺的理解，并与今后在此搜索4nm 工艺的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473