优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源，减少热量产生，还可以缩小电源尺寸。本文将讨论如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的数量比，以提高电源设计的效率。图 1 显示了一个具有 HS-FET 和 LS-FET 的简化电路。图 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的电路选择 MOSFET 时，如何恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率，这对电源工程师来说是一项挑战。 MOSFET的结构和损耗组成MOSFE
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MPS MOSFET
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
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GaN SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工业设备功率模块
EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时，可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC（如今为 Qorvo）SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构，其效率高于 IGBT，且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过，这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说，成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
IT之家 3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日发布报告称，随着电池电动汽车的发展，汽车半导体的需求激增，宽带隙技术的使用也有所增加。SiC MOSFET 为动力系统提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市场收益在 2022 年至 2027 年期间将以 35% 的复合年增长率从 12 亿美元（IT之家注：当前约 82.44 亿元人民币）增长到 53 亿美元（当前约 364.11
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碳化硅
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
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Nexperia SMD 铜夹片 LFPAK88 MOSFET
日前，英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟率大中华区诸多高管出席，分享公司在过去一个财年所取得的骄人业绩，同时探讨数字化、低碳化行业发展趋势，并全面介绍英飞凌前瞻性的业务布局。 2022财年英飞凌全球营收达到142.18亿欧元，利润达到33.78亿欧元，利润率为23.8%，均创下历史新高。其中，大中华区在英飞凌全球总营收中的占比高达37%，继续保持英飞凌全球最大区域市场的地位，为公司全球业务的发展提供
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英飞凌 数字化 低碳化 SiC
中国 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达
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Qorvo 750V SiC FETs
第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。△Source：TrendForce集邦咨询今年以来，SiC领域屡受资本青睐，融资不断。截至今日，已有20家SiC相关企业宣布获得融资，融资金额超23亿。融资企业包括天科合达、天域半导体、瞻芯电子、派恩杰等领先企业。天科合达天科合达完成了Pre-IPO轮融
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SiC 融资
在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？工程师老前辈可能还记得双极晶体管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模块将双极达林顿晶体管模块踢出逆变器的速度有多快。电力电子的驱动力一直是降低损耗
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英飞凌 SiC
_____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且在汽车
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MOSFET IGBT
据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
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SiC MOSFET
根据市调统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作案明朗化，将推动2023年整体碳化硅（SiC）功率组件市场产值达22.8亿美元、年成长41.4％。 主要成长原因在于SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动车与再生能源设备系统效率。集邦表示，SiC功率组件的前两大应用为电动车与再生能源领域，分别在2022年已达到10.9亿美元及2.1亿美元，占整体SiC功率组件市场产值约67.4％和13.1％。车用方面，安森美与大众汽车签属战略协议，另外该系列产品亦被起亚
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SiC
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2
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第三代半导体 收购 SiC GaN
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应
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ADI MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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