SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。ISOPLUS - SMPD 及其优势SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势：·
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Littelfuse SMPD MOSFET
2023 年 5 月 16 日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电动汽车（EV）充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术，开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。 安森美为Kempower 的Satellit
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安森美 Kempower 充电桩 EliteSiC MOSFET 电动汽车快充
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
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意法半导体 隔离式降压转换器 功率转换 IGBT SiC GaN 晶体管栅极驱动
奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块，用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件，并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 这些交互式数据手册使用Nexperia的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、RDS(o
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Nexperia 交互式数据手册 MOSFET
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势，因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行，同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低，需要管理的热耗散较少，还有利于使
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安森美 IGBT SiC
MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作
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雷卯 MOSFET
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准，或许还
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英飞凌 SiC MOSFET
4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。此次车规级碳化硅芯片产线的成功通线，是基本半导体打造国产碳化硅功率器件IDM领先企业的一大重要战略布局。据官微介绍，基本半导体车规级碳化硅芯片产线项目获得国家工信部的产业专项支持，并连续两年入选深圳市年度重大项目，厂区面积13000平方米，配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。项目通过打造垂直整合制造模式，加快设计、制造共同迭代
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基本半导体 车规级 碳化硅
据国外媒体报道，德国博世集团于本周三表示，将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，以扩大其碳化硅芯片（SiC）的半导体业务。目前，博世和TSI公司已经达成协议，但并未透露此次收购的具体细节，且这项收购还需要得到监管部门的批准。资料显示，TSI是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前，主要开发和生产200毫米硅晶圆上的大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学等行业的应用。而博世在半导体领域的生产时间已超过60年，在全球范围内投资了数十亿欧元，特别是在德国罗伊特林根和德累斯顿的水厂。博世认为，此次收购
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博世 TSI 半导体 SiC
近日，电科材料6英寸碳化硅外延片产业化工作取得重大进展，6英寸中高压碳化硅外延片月产能力实现大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半导体器件的关键材料。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研发。同时，积极与国产设备厂商合作开发生产装备，推动碳化硅核心装备国产化。未来，电科材料将持续创新突破，推出更多高端碳化硅材料产品。
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电科材料 6英寸 碳化硅
4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼，以应对人员的增加。此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外
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功率半导体 IGBT MOSFET SIC
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
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SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
大家应该还记得，当遭受国补退坡重创的电动汽车于2019-2020年间慢慢恢复元气，开始走出国补退坡的阴影时，市面上开始出现了一些在性能上追平甚至超越传统燃油车的电动汽车，当时的电动车市场呈现出来的是典型的哑铃型结构：便宜的A00级车型和30万以上的高端车型（包括部分B级车和C级车）卖得很好，但在10-30万的主流区间，电动车企的表现一直比较惨淡。这种市场格局在2016-2021国内乘用车分级别电动化率走势图上一展无遗，历时五年的时间，A00车已经达到了90%以上的渗透率。这两年来，市场格局风云变幻，正如欧
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碳化硅 比亚迪 蔚来 电动汽车 新能源汽车
被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅未来使用的信心与前景。华为的碳化硅产业链布局近日华为举办了智能电动新品发布会，并发布了聚焦动力域的“DriveONE新一代超融合黄金动力平台”以及“新一代全液冷超充架构”的充电网络解决方案。其中，DriveONE新一代超融合黄金动力平台主要包括面向B/B+级纯电、B/B+级增程混动，以及A级纯电车型动力总成解决方案，目标是不断提升整车度电里程和升油里程
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特斯拉 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介绍
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