新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
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ROHM 超低导通电阻 Nch MOSFET
在国内新能源车市场，特斯拉称得上是最大的“鲶鱼”，一举一动总能搅动起不小的“水花”。近日，“鲶鱼”特斯拉在其投资者活动日上公开了备受期待的“秘密宏图第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平台将减少75%的碳化硅使用”一度带崩相关板块，引发A股碳化硅中的个股集体跳水。近两年，碳化硅在新能源汽车中占据着重要位置，相关概念在资本市场上也一度受到热捧，更具戏剧性的是，特斯拉正是推动碳化硅上车的“先驱”。如今，特斯拉对碳化硅的态度出现180度大反转，背后的真实意图是什么？将会对国内新能
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特斯拉 碳化硅 新能源车企
简介在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。 为什么使用宽带隙（WBG）材料？对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流
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SiC Microchip
据外媒报道，知名汽车电子厂商采埃孚（ZF）近日宣布将从意法半导体(ST)采购碳化硅模块。双方签署的多年期合同据报道涉及供应数量达数百万的SiC模块。报道称，到2030年，采埃孚在电动汽车领域的订单总额预计将超过300亿欧元，公司高管Stephan
von Schuckmann表示，为了应对蓬勃增长的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供应商。“在
意法半导体，我们现在找到了这样一家供应商，其在复杂系统方面的经验符合我们的要求，最重要的是，该供应商能够以极高质量和所需数量生产模块。”意法半导体汽车和分立
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采埃孚 意法半导体 碳化硅
据外媒报道，近日，德国汽车Tier-1厂商采埃孚（ZF）和功率半导体厂商意法半导体（ST）共同发布新闻稿称，双方签订了车用碳化硅多年采购合同。根据合同条款，采埃孚将自2025年起向ST采购数千万颗第三代SiC MOSFET器件，满足汽车逆变器对车规级SiC器件在量和质上的需求。采埃孚将于2025年量产新型模块化逆变器架构，这些SiC器件将集成到该平台中。截至目前，采埃孚的在手订单（到2023年）金额总计超过300亿欧元（约合人民币2274亿元），其中一个汽车逆变器订单来自欧洲一家车企，该车企计划2025年
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碳化硅 意法半导体
近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体
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碳化硅 氧化镓
4月7日，中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，将加快汽车功率芯片的国产化。在成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会期间，第一财经记者获悉，汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会，降本提质是国产功率芯片尤其是碳化硅功率半导体“上车”的关键；三安光电用于电动车主驱的碳化硅功率半导体有望今年四季度正式“上车”。 汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会 有行业专家向第一财经记者表示，一辆电动车如果前驱与后驱都用功率半导体，功率半导体约占电机控制器的成本50%。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉告诉第一财经记者
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汽车电子 功率半导体 碳化硅
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导
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Diodes 碳化硅 MOSFET
2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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贸泽 安森美 EliteSiC 碳化硅
因应日趋严苛的能源效率规范，特别是像server power的应用，从白金效率甚至是钛金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在静态切换的应用场合，减少功率损耗以提升效率，特别是针对高输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系统效率，与传统bridge diode相比，在230Vac输入时在50% load约可提高0.5%，而115Vac输入时在50% load约可提高1%。利用JRC NJ393C OP比较器搭
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Infineon S7 MOSFET 电源整流
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。近年来，全球电力供应日趋紧张，这就要求设备要更加节能。据了解，电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此，在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路，越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面，针对使用MOSFET时所产生的噪声，主要通过添加部件和改变
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超快反向恢复时间 Super Junction MOSFET MOSFET
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET，尽
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英飞凌 MOSFET
今日，盛美上海宣布，首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。当前，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为主的第三代半导体迅速发挥发展，其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉，碳化硅衬底用于功率半导体制造，而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热，以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
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功率半导体 盛美上海 Ultra C SiC 衬底清洗
３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世，化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实，但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒，Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者，Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
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Qorvo Matter SiC FET UWB
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023
SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON
Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
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SiC 功率半导体 IGBT 美光
碳化硅(sic)mosfet介绍
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