- 智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而，在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下，人们开始探索更快的电量补给，以高效充电来压缩充电时间，降低充电的时间成本，从而换取设备的便携性，提升用户体验。目前，USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格，以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
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上海贝岭 驱动IC MOSFET
- 随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
- 碳化硅的发展与电动汽车的快速发展紧密相连，随着新能源汽车的加速渗透，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。Wolfspeed将建造全球最大碳化硅材料工厂近日，碳化硅厂商Wolfspeed公司表示，随着需求的激增，其将在北卡罗来纳州查塔姆县建造一座价值数十亿美元的新工厂，以生产为电动汽
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碳化硅 电源管理芯片
- 2022年9月20日，国内第三代半导体碳化硅头部企业——基本半导体完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。这是基本半导体在今年完成的又一轮融资。6月和7月，该公司分别完成了C2和C3轮两轮融资。连续多轮资本的加持，充分印证了基本半导体在业务加速拓
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基本半导体 代半导体 碳化硅
- 半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
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碳化硅 氮化镓
- 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
- SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
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罗姆半导体，MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
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东芝 SiC MOSFET
- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，昨天美国时间举行了剪彩仪式，庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链，从SiC粉末和石墨原料的采购，到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证，以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
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安森美 碳化硅工厂 SiC
- 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
- 本文介绍最新的驱动器+ MOSFET (DrMOS)技术及其在稳压器模块(VRM)应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。引言随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些器件需要的功率急剧增加。微处理器所需的这种电源由稳压器模块(VRM)提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率
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ADI MOSFET 电源系统设计
- Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
- 功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
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硅 碳化硅 氮化镓 功率半导体
- 与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC 让设计人员能够减少元器件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC 元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少 CO2 排放量
的环保型产品和系统。罗姆在 SiC 功率元器件和模块的
开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的
应用中都实现了更佳的节能效果。水原德健, 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理
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202207 碳化硅 电动汽车 罗姆
碳化硅(sic)mosfet介绍
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