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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

碳化硅MOSFET晶体管的特征

  • 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字： 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二极管  

SiC功率元器件的开发背景和优点

  • SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
  • 关键字： SiC  碳化硅  

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
  • 关键字： SiC  碳化硅  

ST先进SiC牵引电机逆变器解决方案

  • 意法半导体（ST）作为全球领先的汽车半导体供应商之一，多年前就开始布局新能源汽车领域，在2019年正式成立新能源车技术创新中心，推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发，满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法，为客户前期方案评估和后续开发提供了便利，大大缩短了整个研发周期。
  • 关键字： SiC  碳化硅  牵引逆变器  

ST第三代碳化硅技术问世 瞄准汽车与工业市场应用

  • 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明，从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据，图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，
  • 关键字： ST  碳化硅  汽车  工业  SiC  

ST：发展碳化硅技术 关键在掌控整套产业链

  • 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。 意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，就能节省95.
  • 关键字： ST  GaN  SiC  

跻身第三代半导体市场 ST助力全球碳中和

  • 　　随着第三代半导体的工艺越来越成熟和稳定，应用在工业和电动汽车上的产品也变得多样化。作为半导体行业中的佼佼者，意法半导体同样重视第三代半导体带来的优势作用，推出了有关氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列产品，有力地推动了第三代半导体在电动汽车和工业领域上的应用发展。2022年2月意法半导体召开媒体交流会，介绍了意法半导体在全球碳中和理念的背景下，如何通过创新技术和推出新的产品系列，为世界控制碳排放做出贡献。　　据调查，工业领域中将电力利用效率提升1%，就能节约95.6亿千瓦时的能源。这意味着节约了
  • 关键字： 意法半导体  ST  碳化硅  氮化镓  202203  

非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计

  • 离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以
  • 关键字： MOSFET  

扩展新应用领域，PI推出首款汽车级开关电源IC

  • 　　2022年2月15日，Power Integrations召开新品发布会，推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新产品是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，可提供高达70W的输出功率，主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车，以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。在ACDC消费类应用中积累了深厚经验的Power Integrations，此次将目光聚焦到电动汽车领域的ACDC应用上
  • 关键字： PI  MOSFET  电动汽车  ACDC  开关电源  

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

  • 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱
  • 关键字： MOSFET  

Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

三安集成：碳化硅车规产品“上车”，湖南基地实现规模交付

  • 新年第一个月，中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证，车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。新能源汽车迎来“碳化硅元年”，湖南三安驶入发展快车道在化石燃料资源和环境问题面前，各国都发布了“双碳”计划。欧盟各国决定在2040-2060年间彻底禁止燃油车，拜登政府也计划拿出超过600亿美元用于推动家用车和公交车的电动化，日本则是通过提高行业燃油经济性标准以促进新能源车普及。碳化硅功率器件以其出色的能源转换效率，在充电桩、车载充电
  • 关键字： 三安集成  碳化硅  车规产品  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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